1.碳化硅薄膜和緩沖層
2.用于低 k 阻擋層和蝕刻停止層的 SiCO:H 薄膜
3.碳摻雜（拉伸應(yīng)變）硅
4.碳氮化硅用于硅基光伏電池的鈍化
5.ALD 促進(jìn)圖案化和種子層
·
通過適當(dāng)選擇碳硅烷前體和沉積條件，碳化硅骨架可以向取代硅和類金剛石結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變。
碳硅烷是這樣的化合物，其中硅和碳元素根據(jù)以下通用結(jié)構(gòu)以大約 1:1 的比例在分子骨架或聚合物主鏈中交替：
一、碳硅烷化合物
二甲基硅烷：
附加屬性：水解敏感性與堿水溶液發(fā)生反應(yīng)
應(yīng)用：
通過等離子體 CVD 生成立方碳化硅。
采用三極等離子體 CVD 進(jìn)行立方碳化硅外延生長(zhǎng)。
二烷基硅烷還原劑：
有機(jī)硅烷與烴類似，具有充當(dāng)離子還原劑和自由基還原劑的能力。這些試劑及其反應(yīng)副產(chǎn)物比許多其他還原劑更安全、更容易處理和處置。硅的金屬性質(zhì)及其相對(duì)于氫的低電負(fù)性導(dǎo)致 Si-H 鍵極化，產(chǎn)生氫化氫和與鋁、硼和其他金屬基氫化物相比更溫和的還原劑。硅基還原劑手冊(cè)的表總結(jié)了一些關(guān)鍵的硅烷還原。
揮發(fā)性碳硅烷：
碳硅烷是其中硅和碳元素在分子骨架或聚合物主鏈中以大約1:1的比例交替的化合物。通過適當(dāng)選擇碳硅烷前體和沉積條件，碳化硅骨架可以向取代硅和類金剛石結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變。
二、低聚硅烷和聚硅烷
聚二甲基硅烷：
應(yīng)用：
用于碳氮化硅薄膜的CVD。
在高溫下形成聚碳硅烷。
安全：
氮?dú)?/span> 下包裝
揮發(fā)性碳硅烷：
碳硅烷是其中硅和碳元素在分子骨架或聚合物主鏈中以大約1:1的比例交替的化合物。通過適當(dāng)選擇碳硅烷前體和沉積條件，碳化硅骨架可以向取代硅和類金剛石結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變。
揮發(fā)性高級(jí)硅烷：
揮發(fā)性高級(jí)硅烷是低溫、高沉積速率的前體。通過適當(dāng)選擇前體和沉積條件，硅沉積可以從非晶氫化硅轉(zhuǎn)向微晶硅結(jié)構(gòu)。當(dāng)硅原子數(shù)量增加到超過兩個(gè)時(shí)，電子能夠進(jìn)行西格瑪-西格瑪鍵共軛。三個(gè)氫原子中的兩個(gè)在末端硅原子上的解離吸附具有較低的能壘。
聚（二甲基硅烷）；聚二甲基硅：
1.預(yù)陶瓷聚合物
2.在達(dá)到熔點(diǎn) 250-270 °C 之前會(huì)發(fā)生大幅降解
3.DP：25-50
4.在高溫下形成聚碳硅烷
5.用于硅基光伏電池鈍化的揮發(fā)性碳氮化硅 (SiCN) 前體的固態(tài)源
6.用于碳氮化硅薄膜的CVD
7.在 650 °C 以上的溫度下轉(zhuǎn)化為碳硅烷
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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