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            北京斯達(dá)沃科技有限公司

            PRODUCT DISPLAY

            當(dāng)前位置:北京斯達(dá)沃科技有限公司>>激光粒度分析儀系列>>納米粒度儀>> Nicomp Z3000型納米粒徑及Zeta電位分析儀Nicomp Z3000

            納米粒徑及Zeta電位分析儀Nicomp Z3000

            參  考  價(jià):面議
            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

            產(chǎn)品型號(hào):Nicomp Z3000型

            品       牌:斯達(dá)沃

            廠商性質(zhì):生產(chǎn)商

            所  在  地:北京市

            更新時(shí)間:2024-05-08 14:12:58瀏覽次數(shù):3718次

            聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 化工儀器網(wǎng)
            測(cè)量范圍 0.3 nm - 10 μm微米 測(cè)量時(shí)間 30秒
            產(chǎn)地類別 進(jìn)口 分辨率 0.3微米
            分散方式 濕法分散 價(jià)格區(qū)間 40萬(wàn)-50萬(wàn)
            儀器種類 動(dòng)態(tài)光散射 應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,食品/農(nóng)產(chǎn)品,電子/電池,制藥/生物制藥,電氣
            重現(xiàn)性 ±1%
            納米粒徑及Zeta電位分析儀Nicomp Z3000采用*設(shè)計(jì)理念優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),充分有效地融合了動(dòng)態(tài)光散射(Dynamic Light Scattering, DLS)和電泳光散射(ELS)技術(shù),即可以多角度(步長(zhǎng)0.9μm;)檢測(cè)分析液態(tài)納米顆粒系的粒度及粒度分布,又可以小角度測(cè)量Zeta電位。粒度測(cè)試范圍:粒度測(cè)試范圍:0.3 nm – 10 µm。

            納米粒徑及Zeta電位分析儀Nicomp  Z3000介紹


                  NICOMP 380 Z3000納米粒徑與電位分析儀采用*設(shè)計(jì)理念優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),充分有效地融合了動(dòng)態(tài)光散射(Dynamic Light Scattering, DLS)和電泳光散射(ELS)技術(shù),即可以多角度(步長(zhǎng)0.9μm;)檢測(cè)分析液態(tài)納米顆粒系的粒度及粒度分布,又可以小角度測(cè)量Zeta電位。粒度測(cè)試范圍:粒度測(cè)試范圍:0.3 nm – 10 µm。


                   NICOMP 380 Z3000納米粒徑與電位分析儀通過(guò)檢測(cè)分析膠體顆粒的電泳遷移率測(cè)量Zeta電位。Zeta電位是對(duì)顆粒之間相互排斥或吸引力的強(qiáng)度的度量,是表征膠體分散系穩(wěn)定性的重要指標(biāo),Zeta電位(正或負(fù))越高,體系越穩(wěn)定。Zeta電位表征的是粒子之間的排斥力。由于大部分的水相膠體體系是通過(guò)粒子之間的靜電排斥力來(lái)保持穩(wěn)定的,粒子之間的排斥力越大,粒子越不容易發(fā)生聚集,膠體也會(huì)越穩(wěn)定。NICOMP 380 Z3000結(jié)合了動(dòng)態(tài)光散射技術(shù)(DLS)和電泳光散射法(ELS),實(shí)現(xiàn)了同機(jī)測(cè)試納米粒子分布和Zeta電勢(shì)電位。


            應(yīng)用行業(yè)磨料、化學(xué)機(jī)械拋光液、陶瓷、粘土、涂料、污染監(jiān)測(cè)、化妝品、乳劑、食品、液體工作介質(zhì)/油、墨水、  乳液、色漆、制藥粉體、顏料、聚合物、蛋白質(zhì)大分、二氧化硅以及自組裝TiO_2納米管(TNAs)等


            自動(dòng)滴定儀

            NICOMP 380 Z3000納米粒徑與電位分析儀在增加自動(dòng)滴定模塊后,可以一次性使用同一樣品在不同PH值或不同離子濃度的條件下進(jìn)行一系列測(cè)試,實(shí)現(xiàn)了在等電點(diǎn)測(cè)試的技術(shù)難題。

            相位分析光散射法PALS(Phase Analyze Light Scattering)技術(shù)

            PSS 于 2004 年推出先的 PALS 技術(shù),用相位(Phase)變化的分析取代原 先頻譜的漂移,不僅使 Zeta 電位分析的精度及穩(wěn)定性有了顯著的提高,而且突破了水相體系的限制,對(duì)油、有機(jī)物體系同樣能提供 Zeta 電位的分析。

            NICOMP 380 Z3000 納米粒徑與電位分析儀特點(diǎn)

            同機(jī)測(cè)試懸浮液體的粒徑分布以及ZETA電勢(shì)電位

            Zeta電位運(yùn)用了多普勒電泳遷移原理以及的相位分析散射法可以測(cè)試水相和有機(jī)相的樣品

            檢測(cè)范圍寬廣,亞微米顆粒均可以被檢測(cè)

            樣品測(cè)試量小

            高辨析率

            結(jié)果重現(xiàn)性好,誤差小于1%

            100 % 樣品可回收li

            可搭載自動(dòng)滴定儀, 自動(dòng)稀釋器和自動(dòng)進(jìn)樣器

            無(wú)須校準(zhǔn)

            一次性進(jìn)樣,避免交叉污染樣品

            可選配大功率激光發(fā)生器以及jun品級(jí)APD雪崩二極管檢測(cè)器來(lái)檢測(cè)粒徑小于1nm的顆粒


            技術(shù)參數(shù):

            粒徑檢測(cè)范圍

            粒度分析:0.3 nm - 10 μm

            Zeta電位檢測(cè)范圍

            粒度0.3 nm-100 μm

            分析方法

            粒徑:動(dòng)態(tài)光散射,Gaussian 單峰算法和 Nicomp 無(wú)約束自由擬合多峰算法;

            電位:電泳光散射(ELS)技術(shù)和相位分析光散射法

            pH值范圍

            2 - 12

            溫度范圍

            0℃ - 90 ℃

            激光光源(可選)

            5 mW氦氖光源;

            15 mW, 35 mW,50 mW激光光源;

            100 mW激光光源(紅);

            20 mW,50 mW,100 mW激光光源(藍(lán)/綠)

            檢測(cè)角度(可選)

            90°或 多角度(10°- 175°,可選配)

            檢測(cè)器(可選)

            PMT(光電倍增管),

            CMP(4倍增益放大)

            APD雪崩二極管(7倍增益放大)

            高濃度樣品背散射

            175°背散射

            可用溶劑

            水相,絕大多數(shù)有機(jī)相

            樣品池

            標(biāo)準(zhǔn)4 mL樣品池(1cm×4cm,高透光,石英玻璃或塑料);

            1mL樣品池(玻璃,高透光率微量樣品池,zui小進(jìn)樣量10μL)

            選配模塊

            高濃度背散射;自動(dòng)稀釋模塊,自動(dòng)進(jìn)樣器,多角度檢測(cè)器,高能激光發(fā)生器,高增益檢測(cè)器,21CFR PART11規(guī)范軟件,在線模塊。

            分析軟件

            Windows 兼容軟件;

            符合 21 CFR Part 11 規(guī)范分析軟件(可選)

            驗(yàn)證文件

            電壓

            220 - 240 VAC,50Hz 或100 - 120 VAC,60Hz

            計(jì)算機(jī)配置要求

            Windows XP及以上版本windows操作系統(tǒng),40Gb硬盤,1G內(nèi)存,光驅(qū),USB接口,串口(COM口)

            外形尺寸

            56 cm * 41 cm * 24cm

            重量

            約26kg(與配置有關(guān))

            電泳光散射法(ELS)與粒子的動(dòng)電(Zeta)電位:



                  ELS 是將電泳和光散射結(jié)合起來(lái)的一種新型光散射。它的光散射理論基礎(chǔ)是 準(zhǔn)彈性碰撞理論,只是在實(shí)驗(yàn)時(shí)在式樣槽中多加一個(gè)外電場(chǎng),帶電粒子即以固定 速度向與帶電粒子電性相反的電極方向移動(dòng),與之相應(yīng)的動(dòng)力光散射光譜產(chǎn)生多普勒漂移,這一漂移正比于帶電粒子的移動(dòng)速度,因此實(shí)驗(yàn)測(cè)得譜線的漂移,就 可以求得帶電粒子的電泳速度,從而求得ζ-電位。

            相位分析光散射法PALS(Phase Analyze Light Scattering)技術(shù)

            PSS 于 2004 年推出先的 PALS 技術(shù),用相位(Phase)變化的分析取代原 先頻譜的漂移,不僅使 Zeta 電位分析的精度及穩(wěn)定性有了顯著的提高,而且突破了水相體系的限制,對(duì)油、有機(jī)物體系同樣能提供 Zeta 電位的分析。

            動(dòng)態(tài)光散射原理




            Nicomp 380納米粒徑分析儀采用動(dòng)態(tài)光散射(Dynamic Light Scattering, DLS)原理來(lái)獲得范圍在0.3 nm到10 μm的膠體體系的粒度分布。DLS是通過(guò)一定波長(zhǎng)的聚焦激光束照射在懸浮于樣品溶液的粒子上面,從而產(chǎn)生很多的散射光波。這些光波會(huì)互相干涉從而影響散射強(qiáng)度,散射強(qiáng)度隨時(shí)間不斷波動(dòng),二者之間形成一定的函數(shù)關(guān)系。粒子的擴(kuò)散現(xiàn)象(或布朗運(yùn)動(dòng))導(dǎo)致光強(qiáng)不斷波動(dòng)。光強(qiáng)的變化可以通過(guò)探測(cè)器檢測(cè)得到。使用自相關(guān)器分析隨時(shí)間而變的光強(qiáng)波動(dòng)就可以得到粒度分布系數(shù)(Particle size distribution, PSD)。單一粒徑分布的自相關(guān)函數(shù)是一個(gè)指數(shù)衰減函數(shù),由此可以很容易通過(guò)衰減時(shí)間計(jì)算得到粒子擴(kuò)散率。終,粒子的半徑可以很容易地通過(guò)斯托克斯(Stokes-Einstein)方程式計(jì)算得到。

            如下是Nicomp 380納米粒徑分析儀的檢測(cè)原理簡(jiǎn)圖:


            大部分樣品一般都不均勻,往往會(huì)呈現(xiàn)多分散體系狀態(tài),即測(cè)出來(lái)的粒徑正態(tài)分布范圍會(huì)比較大,直觀的呈現(xiàn)是粒徑分布峰比較寬。自相關(guān)函數(shù)是由多組指數(shù)衰減函數(shù)綜合組成,每一個(gè)指數(shù)衰減函數(shù)都會(huì)因指數(shù)衰減時(shí)間不同而存在差異,此時(shí)計(jì)算自相關(guān)函數(shù)就變得不再簡(jiǎn)單。

            Nicomp 380納米粒徑分析儀巧妙運(yùn)用了去卷積算法來(lái)轉(zhuǎn)化原始數(shù)據(jù),從而得出接近真實(shí)值的粒度分布。Nicomp 尤其適合測(cè)試粒度分布復(fù)雜的樣品體系,li用一組*的去卷積算法將簡(jiǎn)單的高斯正態(tài)分布模擬成高分辨率的多峰分布模式,這種去卷積分析方法,即得到PSS粒度儀公司*的粒徑分布表達(dá)方法—Nicomp分布(Nicomp Distribution)。

            有些儀器的高斯分析模式可以使用基線調(diào)整參數(shù)的功能,以此來(lái)補(bǔ)償測(cè)試環(huán)境太臟而超出儀器靈敏度的問(wèn)題。高斯分析模式也可以允許使用者“固體重量模式"或者“囊泡重量模式"來(lái)分析帶有小囊泡的膠體體系,比如脂質(zhì)體。

            Nicomp分析方法是一種專li的高分辨率的去卷積算法,它*在1990年提出并應(yīng)用于分析和統(tǒng)計(jì)粒徑分布。在歷*已經(jīng)證明Nicomp分析方法能夠精確分析非常復(fù)雜的雙峰樣品分散體系(比如 2:1比例),甚至是三峰樣品分散體系。在科學(xué)研究中,找到粒子聚集分布的雜峰是非常有用的。


            NICOMP 380 Z3000納米粒徑與電位分析儀廣泛適用于檢測(cè)懸浮在水相和有機(jī)相的顆粒物。



            同類優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品

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