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半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一種介質(zhì)，在不同的條件下可以表現(xiàn)出導(dǎo)電或者不導(dǎo)電的特性。

常見的半導(dǎo)體材料有硅，鍺，磷等元素周期表中處于金屬與非金屬交界處的四價(jià)元素。其中硅是各種半導(dǎo)體材料應(yīng)用中具有的一種。

分類：

半導(dǎo)體可以分為本征半導(dǎo)體和非本征半導(dǎo)體。

本征半導(dǎo)體：*不含雜質(zhì)的純凈半導(dǎo)體，載流子只能靠本征激發(fā)產(chǎn)生，導(dǎo)電性差。

非本征半導(dǎo)體：參有雜質(zhì)，分為N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。

N型半導(dǎo)體：

在本征半導(dǎo)體中摻入+5價(jià)元素（P，Sb）的半導(dǎo)體，給出多的電子變成正離子。

半導(dǎo)體因?yàn)閾诫s多出的載流子為自由電子，所以稱為N型半導(dǎo)體。

N型半導(dǎo)體中的自由電子稱為多數(shù)載流子。

電子是多數(shù)載流子，簡(jiǎn)稱多子，空穴是少數(shù)載流子，簡(jiǎn)稱少子。

因?yàn)閾诫s的雜質(zhì)給出電子，故N型也稱施主雜質(zhì)。

P型半導(dǎo)體：

在本征半導(dǎo)體中摻入+3價(jià)元素（B，Ai）的半導(dǎo)體，得到多的電子變負(fù)離子。

半導(dǎo)體因?yàn)閾诫s多出的載流子為空穴，所以稱為P型半導(dǎo)體。

P型半導(dǎo)體中的空穴是多數(shù)載流子，簡(jiǎn)稱多子。

因?yàn)閾饺氲碾s質(zhì)接受電子，故P型也稱受主雜質(zhì)。

特性：

1、熱敏特性

半導(dǎo)體的電阻率會(huì)隨溫度變化會(huì)發(fā)生明顯地改變。

例如純鍺，濕度每升高10 度，它的電阻率就要減小到原來(lái)的1╱2。

利用半導(dǎo)體的熱敏特性，可以制作感溫元件——熱敏電阻，用于溫度測(cè)量和控制系統(tǒng)中。

2、光敏特性

半導(dǎo)體的電阻率對(duì)光的變化十分敏感。有光照時(shí)、電阻率很小﹔無(wú)光照時(shí)，電阻率很大。

例如，常用的硫化鎘光敏電阻，在沒(méi)有光照時(shí)，電阻高達(dá)幾十兆歐姆，受到光照時(shí)，電阻一下子降到幾十千歐姆，電阻值改變了上千倍。

利用半導(dǎo)體的光敏特性，制作出多種類型的光電器件，如光電二極管、光電三極管及硅光電池等．廣泛應(yīng)用在自動(dòng)控制和無(wú)線電技術(shù)中。

3、摻雜特性

在純凈的半導(dǎo)體中，摻人極微量的雜質(zhì)元素，就會(huì)使它的電阻率發(fā)生極大的變化。

例如，在純硅中摻入百萬(wàn)分之—的硼元素，其電阻率減小。

人們可以通過(guò)摻入某些特定的雜質(zhì)元素，精確地控制半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力，制造成不同類型的半導(dǎo)體器件。

用途：

半導(dǎo)體材料制作成的元器件被廣泛應(yīng)用在電子技術(shù)的各個(gè)方面。比較重要的領(lǐng)域有集成電路、微波器件和光電子器件。

1、集成電路

它是半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展中的一個(gè)領(lǐng)域，已發(fā)展到大規(guī)模集成的階段。

在幾平方毫米的硅片上能制作幾萬(wàn)只晶體管，可在一片硅片上制成一臺(tái)微信息處理器，或完成其它較復(fù)雜的電路功能。

集成電路的發(fā)展方向是實(shí)現(xiàn)更高的集成度和微功耗，并使信息處理速度達(dá)到微微秒級(jí)。

2、微波器件

半導(dǎo)體微波器件包括接收、控制和發(fā)射器件等。

毫米波段以下的接收器件已廣泛使用。

在厘米波段，發(fā)射器件的功率已達(dá)到數(shù)瓦，人們正在通過(guò)研制新器件、發(fā)展新技術(shù)來(lái)獲得更大的輸出功率。

3、光電子器件

半導(dǎo)體發(fā)光、攝象器件和激光器件的發(fā)展使光電子器件成為一個(gè)重要的領(lǐng)域。

它們的應(yīng)用范圍主要是：光通信、數(shù)碼顯示、圖象接收、光集成等。