深圳市普索進(jìn)出口貿(mào)易有限公司 李沛 133 -1650 -1405(同V)
深圳市普索進(jìn)出口貿(mào)易有限公司(普索貿(mào)易)是一家專業(yè)經(jīng)營工控行業(yè)備件進(jìn)口的公司,公司依托德國分公司在歐盟區(qū)域常年的采購經(jīng)驗(yàn),與歐盟境內(nèi)3000多個(gè)工控品牌,5000多家供應(yīng)商建立起長久的合作,為客戶提供100%原裝正品的工業(yè)產(chǎn)品及零部件的同時(shí)提供優(yōu)質(zhì)的價(jià)格及服務(wù)
LOHER德國-代理- LOHER現(xiàn)貨
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LOHER DNGW-200 LB-02A 3339417 德國 電機(jī)端蓋 用途:適用于LOHER牌ANGA-250ME-04P電機(jī)
LOHER DNGW-225 MB-02A 3339411 德國 葉片 用途:適用于LOHER牌L03034061散熱風(fēng)扇
LOHER E.GV-250MB-04 德國 電機(jī)端蓋 用途:適用于LOHER牌ANGA-250ME-05P電機(jī)
LOHER ENGV 250 德國 葉片 用途:適用于LOHER牌L03034062散熱風(fēng)扇
LOHER ENGV090 德國 電機(jī)端蓋 用途:適用于LOHER牌ANGA-250ME-06P電機(jī)
LOHER EAFY63/4 B-7 德國 葉片 用途:適用于LOHER牌L03034063散熱風(fēng)扇
LOHER DNGW063AD02M IM:VI 453926 德國 電機(jī)端蓋 用途:適用于LOHER牌ANGA-250ME-07P電機(jī)
LOHER Motor Fans(Impeller)des Motors DNGW132-ML-04M 德國 葉片 用途:適用于LOHER牌L03034064散熱風(fēng)扇
LOHER L4-100001072 德國 電機(jī)端蓋 用途:適用于LOHER牌ANGA-250ME-08P電機(jī)
LOHER 3~MOT DNGW-090LD 04C EN60034/EN50014 德國 葉片 用途:適用于LOHER牌L03034065散熱風(fēng)扇
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LOHER 3_mot DNGW-090LD-04C 1.5 KW 德國 葉片 用途:適用于LOHER牌L03034066散熱風(fēng)扇
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LOHER 3~MOT DBGW-132ML-04C 380-420/655~725V 17/9.9A NR:2329003 德國 電機(jī)端蓋 用途:適用于LOHER牌ANGA-250ME-11P電機(jī)
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LOHER 1PS1223-0BD69-3BA4-Z 德國 電機(jī)端蓋 用途:適用于LOHER牌ANGA-250ME-13P電機(jī)
LOHER ANG-132SB-04C 5.5KW 10.8A 1440R/mi. 德國 葉片 用途:適用于LOHER牌L03034070散熱風(fēng)扇
LOHER 2324867 德國 電機(jī)端蓋 用途:適用于LOHER牌ANGA-250ME-14P電機(jī)
LOHER PTB 02 ATEX 3059 德國 葉片 用途:適用于LOHER牌L03034071散熱風(fēng)扇
LOHER DB110D5013 德國 電機(jī)端蓋 用途:適用于LOHER牌ANGA-250ME-15P電機(jī)
LOHER AB250B4016D 德國 葉片 用途:適用于LOHER牌L03034072散熱風(fēng)扇
LOHER 6625096043 德國 電機(jī)端蓋 用途:適用于LOHER牌ANGA-250ME-16P電機(jī)
LOHER 6625096163 德國 葉片 用途:適用于LOHER牌L03034073散熱風(fēng)扇
LOHER AMGK-112MB-02C 2257812 德國 電機(jī)端蓋 用途:適用于LOHER牌ANGA-250ME-17P電機(jī)
LOHER ANGA-132SB-04C 380V 5.5kw 德國 葉片 用途:適用于LOHER牌L03034074散熱風(fēng)扇
半導(dǎo)體材料中的載流子濃度直接決定著半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力,因此要制造出符合要求的半導(dǎo)體器件,必須定量地研究載流子濃度的影響因素。
半導(dǎo)體中有空穴和電子兩種載流子,半導(dǎo)體中的電流是這兩種載流子定向移動(dòng)形成的電流之和。
空穴濃度和電子濃度分別用
和
表示,單位為
或
,實(shí)際常用
作單位。
一、有關(guān)電子與能級(jí)的基本概念
1.1 能級(jí)與能帶
能級(jí):由量子物理,束縛態(tài)電子的能量是量子化的(一系列離散值),每一個(gè)能量值對應(yīng)于一個(gè)能級(jí)(Energy Level)。
【注:從數(shù)學(xué)上講,束縛態(tài)電子能量量子化的根本原因在于在勢阱中的薛定諤方程(它給出了描述電子出現(xiàn)概率的波函數(shù)
與位置
,時(shí)間
所滿足的微分關(guān)系)的正弦解具有周期性,從而電子的能量由正整數(shù)
決定而取一系列離散值?!?/p>
能帶:當(dāng)N個(gè)原子(阿伏加德羅常數(shù)數(shù)量級(jí))集聚成晶體時(shí),由于之間能量的相互影響,原本孤立的原子的能級(jí)會(huì)分裂為N個(gè)能級(jí),這些間距很小的能級(jí)所形成的能量近似連續(xù)的區(qū)域稱為能帶(Energy Band)。如鈉晶體的3s能帶,3p能帶等。
禁帶,允帶:允許電子出現(xiàn)的能帶稱為允帶(Allowed/Permissible Band)。相應(yīng)地,不存在可能的量子態(tài)(即電子不可能出現(xiàn))的能量區(qū)域稱為禁帶(Forbidden Band)。
在允帶中,比較特殊的兩個(gè)是價(jià)帶和導(dǎo)帶。
價(jià)帶,導(dǎo)帶:0K時(shí),晶體中最上面有電子存在的能帶稱為價(jià)帶(Valence Band)。價(jià)帶上面相鄰的空白能帶稱為導(dǎo)帶(Conduction Band)。
費(fèi)米能級(jí):0K時(shí),能量高于
的能級(jí)沒有電子分布,而能量低于
的能級(jí)上每個(gè)量子態(tài)都有一個(gè)電子,這一能級(jí)
稱為費(fèi)米能級(jí)。(顯然費(fèi)米能級(jí)的位置與電子是否可能出現(xiàn)在該位置無關(guān),即費(fèi)米能級(jí)既可能在允帶中,也可能在禁帶中)
PS:按量子理論,電子在0K時(shí)是有能量的。因此把費(fèi)米能級(jí)套在經(jīng)典理論上會(huì)出現(xiàn)佯謬。例如:0K時(shí),如果令
,則在費(fèi)米能級(jí)的電子具有量級(jí)為
的速度(費(fèi)米速度),而按經(jīng)典理論電子是靜止的;又如,如果令
(
為玻爾茲曼常量),則金屬有高達(dá)
的溫度(費(fèi)米溫度),而實(shí)際溫度是0K!
禁帶寬度:導(dǎo)帶底與價(jià)帶頂之間的能量差稱為禁帶寬度
。 ![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=E_g=E_c-E_v)
1.2 從能帶角度看導(dǎo)體、絕緣體、半導(dǎo)體
導(dǎo)體:價(jià)帶中有電子且未被電子填滿的晶體是導(dǎo)體。當(dāng)外加電場時(shí),價(jià)帶電子被加速形成電流。
絕緣體:0K時(shí),價(jià)帶被電子填滿,導(dǎo)帶空白,且禁帶較寬的晶體是絕緣體。一般地,升高溫度或外加電壓都難以使價(jià)帶電子獲得足夠的能量躍入導(dǎo)帶,因此絕緣體導(dǎo)電能力差。
半導(dǎo)體:0K時(shí),價(jià)帶被電子填滿,導(dǎo)帶空白,且禁帶較窄的晶體是半導(dǎo)體。半導(dǎo)體在常溫(例如300K)時(shí)就有一定量電子在導(dǎo)帶中,溫度升高時(shí),更多電子受激躍入導(dǎo)帶,導(dǎo)電能力明顯增強(qiáng)。
二、半導(dǎo)體載流子濃度與載流子能量的關(guān)系
[注:本節(jié)討論均在半導(dǎo)體無外加電壓(即熱平衡)狀態(tài)下進(jìn)行]
載流子數(shù)量計(jì)算基本原理:載流子濃度=載流子總數(shù)的可能最大值
載流子出現(xiàn)概率
i.e. 載流子濃度=量子態(tài)密度
費(fèi)米-狄拉克分布函數(shù)
2.1 量子態(tài)密度
單位體積,單位能量中載流子總數(shù)的最大值(即可能的量子態(tài)總數(shù))稱為量子態(tài)密度。導(dǎo)帶量子態(tài)密度用
表示,價(jià)帶量子態(tài)密度用
表示。
量子態(tài)密度與載流子動(dòng)能的平方根成正比。公式是:
在
中,導(dǎo)帶電子量子態(tài)密度 ![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=g_c%28E%29=%5Cfrac%7B4%5Cpi+%282m_n%5E%2A%29%5E%7B%5Cfrac%7B3%7D%7B2%7D%7D%7D%7Bh%5E3%7D%5Csqrt%7BE-E_c%7D)
價(jià)帶空穴量子態(tài)密度![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=g_v%28E%29=%5Cfrac%7B4%5Cpi+%282m_p%5E%2A%29%5E%7B%5Cfrac%7B3%7D%7B2%7D%7D%7D%7Bh%5E3%7D%5Csqrt%7BE_v-E%7D)
解釋:①
為空穴或電子的有效質(zhì)量(考慮晶格對載流子束縛作用的等效質(zhì)量)。普朗克常數(shù) ![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=h=6.626%5Ctimes+10%5E%7B-34%7DJ%5Ccdot+s)
②設(shè)導(dǎo)帶中電子的能量為
,將導(dǎo)帶底的能量
視作電子的勢能,那么
即為電子的動(dòng)能。同理,價(jià)帶頂能量
與空穴能量的差值
即為價(jià)帶中空穴的動(dòng)能。
2.2 費(fèi)米-狄拉克分布
在一定溫度
下,能量為
的電子出現(xiàn)在某一量子態(tài)的概率為
![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=f_F%28E%29=%5Cfrac%7B1%7D%7B1+%5Cmathrm%7Be%7D%5E%7B%5Cfrac%7BE-E_F%7D%7BkT%7D%7D%7D)
相應(yīng)地,能量為
的空穴出現(xiàn)在某一量子態(tài)(即某一量子態(tài)為空)的概率為
。
解釋:①
為該溫度下的費(fèi)米能級(jí)。根據(jù)此式,費(fèi)米能級(jí)也可以定義為:在一定溫度下,若能量為
的量子態(tài)被載流子占據(jù)的概率為1/2,則
為該溫度下的費(fèi)米能級(jí)。
②玻爾茲曼常量
。用關(guān)系
可以容易地驗(yàn)證這一數(shù)值。
有了量子態(tài)密度和費(fèi)米-狄拉克分布的表達(dá)式,就可以通過對能量在整個(gè)能帶中積分,得出單位體積內(nèi)電子的數(shù)目為
,
空穴濃度為
。
(注:對于電子,當(dāng)能量增大時(shí),由于費(fèi)米-狄拉克函數(shù)迅速趨于零,因此可將積分上限設(shè)定為+∞而不必使用導(dǎo)帶頂能量??昭ㄍ矸粗?。)
三、半導(dǎo)體載流子濃度與半導(dǎo)體自身參數(shù)的關(guān)系
3.1 載流子濃度與能帶能量值Ec,Ev的關(guān)系
在第二節(jié),我們得到了在無外加電壓(熱平衡)條件下,半導(dǎo)體載流子濃度與載流子能量之間的關(guān)系式。雖然載流子的能量是一個(gè)很難確定的值,但可以看到,我們對能量進(jìn)行積分后,所得到的載流子濃度表達(dá)式就僅包含半導(dǎo)體自身參數(shù)(如價(jià)帶頂能量
,導(dǎo)帶底能量
等等)和溫度了。因此,這一節(jié)我們首先要將載流子濃度的表達(dá)式計(jì)算出來。
在費(fèi)米-狄拉克分布函數(shù)的玻爾茲曼近似(
)條件下,可以積分計(jì)算出半導(dǎo)體的導(dǎo)帶電子熱平衡濃度為
![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=n_0=N_c%5Cmathrm%7Be%7D%5E%7B-%5Cfrac%7BE_c-E_F%7D%7BkT%7D%7D)
說明:①
的下標(biāo)0表示無外電壓的熱平衡態(tài)。
②
是與半導(dǎo)體材料和溫度有關(guān)的常數(shù),稱為導(dǎo)帶有效狀態(tài)密度。
。
同理,半導(dǎo)體的價(jià)帶空穴熱平衡濃度為
![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=p_0=N_v%5Cmathrm%7Be%7D%5E%7B-%5Cfrac%7BE_F-E_v%7D%7BkT%7D%7D)
3.2 載流子濃度與本征半導(dǎo)體參數(shù)的關(guān)系
上一節(jié),我們雖然得出了載流子濃度不依賴于粒子能量的表達(dá)式,但依然依賴于導(dǎo)帶底、價(jià)帶頂?shù)哪芰恐礒c和Ev。本節(jié)將用更具有普遍意義的費(fèi)米能級(jí)和本征半導(dǎo)體的參數(shù)代替Ec和Ev。
本征半導(dǎo)體:純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。
本征半導(dǎo)體有兩個(gè)重要參數(shù):本征載流子濃度,本征費(fèi)米能級(jí)。
(1)本征載流子濃度即為本征半導(dǎo)體中的載流子濃度。由于本征半導(dǎo)體中所有價(jià)電子都形成了共價(jià)鍵,自由電子數(shù)=空穴數(shù),故通常用電子數(shù)
來表示本征載流子濃度。
是半導(dǎo)體材料(即使是已經(jīng)摻雜了的半導(dǎo)體)的一個(gè)重要參數(shù)。
將
和
的表達(dá)式相乘,并考慮關(guān)系
,可以得到
![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=n_i%5E2=N_cN_v%5Cmathrm%7Be%7D%5E%7B-%5Cfrac%7BE_g%7D%7BkT%7D%7D=n_0p_0)
由上式可知:
①本征載流子濃度與材料,溫度和禁帶寬度有關(guān),而與導(dǎo)帶、價(jià)帶、費(fèi)米能級(jí)無關(guān)。
②熱平衡狀態(tài)下,電子濃度
和空穴濃度
的乘積為定值。
(2)本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)稱為本征費(fèi)米能級(jí)。我們可以根據(jù)本征半導(dǎo)體
,得出本征費(fèi)米能級(jí)在能帶中的具體位置。計(jì)算結(jié)果為
![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=E_%7BFi%7D=%5Cfrac%7BE_c+E_v%7D%7B2%7D+%5Cfrac%7B3kT%7D%7B4%7D%5Cmathrm%7Bln%7D%5Cfrac%7Bm_p%5E%2A%7D%7Bm_n%5E%2A%7D)
可見,本征費(fèi)米能級(jí)大約位于禁帶中央。
我們把
這個(gè)關(guān)系式“拆開",得出半導(dǎo)體(無論本征與否)電子、空穴濃度與本征載流子濃度,本征費(fèi)米能級(jí)的具體關(guān)系是
![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=n_0=n_i%5Cmathrm%7Be%7D%5E%7B-%5Cfrac%7BE_%7BFi%7D-E_F%7D%7BkT%7D%7D)
![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=p_0=n_i%5Cmathrm%7Be%7D%5E%7B-%5Cfrac%7BE_%7BF%7D-E_%7BFi%7D%7D%7BkT%7D%7D)
(注:這兩個(gè)公式的指數(shù)部分很好記,只需把上一節(jié)公式中的Ec,Ev對應(yīng)地?fù)Q成
即可)
3.3 載流子濃度與摻雜濃度的關(guān)系
設(shè)本征半導(dǎo)體中摻雜了濃度為
的提供電子的施主(Donor)雜質(zhì)(如磷),又摻雜了濃度為
的接受電子的受主(Acceptor)雜質(zhì)(如硼)。設(shè)摻雜后電子、空穴濃度分別為
,
,由于本征半導(dǎo)體中電子濃度=空穴濃度,故有
,又
,聯(lián)立求解并舍去負(fù)根得
![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=n_0=%5Cfrac%7BN_d-N_a%7D%7B2%7D+%5Csqrt%7B%5Cleft%28%5Cfrac%7BN_d-N_a%7D%7B2%7D%5Cright%29%5E2+n_i%5E2%7D)
這一結(jié)果表明,在高摻雜狀態(tài)(本征濃度相對摻雜濃度可以忽略)下,直接
是一個(gè)很好的近似。
四、半導(dǎo)體中的電流——載流子的輸運(yùn)
前三節(jié),我們建立了半導(dǎo)體載流子濃度的表達(dá)式。本節(jié)將開始研究載流子的運(yùn)動(dòng),也就是載流子輸運(yùn)現(xiàn)象。載流子的輸運(yùn)分為兩種基本形式:擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),漂移運(yùn)動(dòng)。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)由濃度梯度引起,漂移運(yùn)動(dòng)由電場引起。
4.1 漂移運(yùn)動(dòng)(Drift)
歐姆定律的微分形式給出漂移電流密度為
![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=J_%7Bdrift%7D=%5Csigma+E=%28e%5Cmu_p+p+e%5Cmu_n+n%29E)
——遷移率
上式是空穴和電子的電流密度之和。由于電子的(-e)和電場力作用方向(-E)抵消,因此兩個(gè)電流用加號(hào)連接。
上式同時(shí)給出了電導(dǎo)率
(有些書上記為
)的具體表達(dá)式。
4.2 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)(Diffusion)
由于擴(kuò)散電流是從高濃度往低濃度擴(kuò)散,亦即同載流子濃度減小率成正比,因此擴(kuò)散電流密度為
![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=J_%7Bdiffusion%7D=eD_p%5Cleft%28-%5Cfrac%7B%5Cmathrm%7Bd%7Dp%7D%7B%5Cmathrm%7Bd%7Dx%7D+%5Cright%29+%28-e%29D_n%5Cleft%28-%5Cfrac%7B%5Cmathrm%7Bd%7Dn%7D%7B%5Cmathrm%7Bd%7Dx%7D+%5Cright%29)
——擴(kuò)散系數(shù)
總電流密度為
![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=J=-eD_p%5Cleft%28%5Cfrac%7B%5Cmathrm%7Bd%7Dp%7D%7B%5Cmathrm%7Bd%7Dx%7D+%5Cright%29+eD_n%5Cleft%28%5Cfrac%7B%5Cmathrm%7Bd%7Dn%7D%7B%5Cmathrm%7Bd%7Dx%7D+%5Cright%29+%28e%5Cmu_p+p+e%5Cmu_n+n%29E)
4.3 遷移率和擴(kuò)散系數(shù)的關(guān)系——愛因斯坦關(guān)系
愛因斯坦關(guān)系:在溫度一定時(shí),遷移率與擴(kuò)散系數(shù)的比值為常數(shù)。
![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=%5Cfrac%7BD_p%7D%7B%5Cmu_p%7D=%5Cfrac%7BD_n%7D%7B%5Cmu_n%7D=%5Cfrac%7BkT%7D%7Be%7D)
五、半導(dǎo)體中的過剩載流子
當(dāng)出現(xiàn)溫升、光照等外施激勵(lì)時(shí),半導(dǎo)體中就會(huì)產(chǎn)生非平衡過剩載流子。本節(jié)簡要敘述非平衡載流子的濃度變化。過剩載流子濃度記作
,
,這兩者近似相等(電中性條件)。
5.1 雙極輸運(yùn)方程
由于電子和空穴之間存在吸引力(內(nèi)建電場),因此它們將會(huì)以“電子-空穴對"的形式一起運(yùn)動(dòng),這就是雙極輸運(yùn)。
雙極輸運(yùn):空穴和電子以相同的遷移率(或擴(kuò)散系數(shù))一起漂移(或擴(kuò)散)的現(xiàn)象稱為雙極輸運(yùn)。
雙極輸運(yùn)方程: ![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=D%27%5Cfrac%7B%5Cpartial%5E2%28%5Cdelta+n%29%7D%7B%5Cpartial+x%5E2%7D+%5Cmu%27E%5Cfrac%7B%5Cpartial%28%5Cdelta+n%29%7D%7B%5Cpartial+x%7D+g-R=%5Cfrac%7B%5Cpartial+%28%5Cdelta+n%29%7D%7B%5Cpartial+t%7D)
①雙極擴(kuò)散系數(shù)
,雙極遷移系數(shù) ![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=%5Cmu%27=%5Cfrac%7B%5Cmu_p%5Cmu_n%28p-n%29%7D%7B%5Cmu_pp+%5Cmu_nn%7D)
②E:電場強(qiáng)度,包括外電場和內(nèi)建電場(外電場是主要的)
③g,R:生成率,復(fù)合率。g可視為常數(shù), ![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=R=-%5Cfrac%7B%5Cmathrm%7Bd%7D%28%5Cdelta+n%29%7D%7B%5Cmathrm%7Bd%7Dt%7D=%5Cfrac%7B%5Cdelta+n%7D%7B%5Ctau%7D)
由系數(shù)D'和μ'可知,這是一個(gè)變系數(shù)二階偏微分方程。
5.2 摻雜條件和小注入條件
p型半導(dǎo)體的摻雜條件: ![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=p_0%3E%3En_0)
小注入條件: ![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=%5Cdelta+n%3C%3Cp_0)
由這兩個(gè)條件,可將雙極輸運(yùn)方程轉(zhuǎn)化為常系數(shù)微分方程。
5.3 電荷弛豫
t=0向電中性半導(dǎo)體注入一些正電荷(或負(fù)電荷),恢復(fù)電中性的過程。
這個(gè)問題在《工程電磁場》中已經(jīng)出現(xiàn)過,方法是聯(lián)立電荷守恒方程
(J的四維散度等于0),歐姆定律
和庫侖定律
,解得電荷密度的擴(kuò)散方程為
。
5.4 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)
過剩載流子產(chǎn)生后,電子/空穴對應(yīng)的費(fèi)米能級(jí),求解過程和前面類似。
, ![[公式]](https://www.zhihu.com/equation?tex=p_0+%5Cdelta+p=n_i%5Cmathrm%7Be%7D%5E%7B-%5Cfrac%7BE_%7BFp%7D-E_%7BFi%7D%7D%7BkT%7D%7D)
右端代數(shù)式的記憶方法:先記n的。①永遠(yuǎn)是e的負(fù)指數(shù)②系數(shù)的下標(biāo)和e指數(shù)上第一項(xiàng)的下標(biāo)對應(yīng)(n_i對應(yīng)E_Fi)。p的就把指數(shù)項(xiàng)的兩個(gè)能級(jí)顛倒。