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LT-2型單晶少子壽命測試儀
是參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命。半導體材料的少數載流子壽命測量，是半導體的常規(guī)測試項目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內的各種類型硅單晶，以及經熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。

LT-2型單晶少子壽命測試儀

是參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命。半導體材料的少數載流子壽命測量，是半導體的常規(guī)測試項目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內的各種類型硅單晶，以及經熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。

本儀器根據通用方法高頻光電導衰退法的原理設計，由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器，特制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機結構緊湊、測量數據可靠。

LT-2型單晶少子壽命測試儀技術指標

測試單晶電阻率范圍>2Ω.cm

配備光源類型

波長：1.09μm；余輝<1 μS；
閃光頻率為：20～30次／秒；
閃光頻率為：20～30次／秒；

高頻振蕩源用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz

前置放大器：放大倍數約25，頻寬2 Hz-1 MHz

儀器測量重復誤差<±20％

測量方式采用對標準曲線讀數方式

儀器消耗功率<25W

儀器工作條件：溫度： 10-35℃、 濕度 < 80％、使用電源：AC 220V，50Hz

可測單晶尺寸：斷面豎測：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；
縱向臥測：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；

配用示波器：頻寬0—20MHz；
電壓靈敏：10mV／cm；