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            microphase石墨烯合成裝置MPCVD-50介紹

            閱讀:1370          發(fā)布時間:2022-9-7

            microphase石墨烯合成裝置MPCVD-50介紹

            用于碳納米管的合成、碳成膜、納米陶瓷成膜、氮化、硫屬化物成膜等。

            目的 :用于合成碳納米管、在粉末樣品上沉積碳膜以及各種 CVD 膜沉積的通用管式爐型熱 CVD 設備。
            通過增加氨氣、各種CVD反應氣體、升華固體前驅體、液體前驅體的引入單元,
            可應用于氮化、硫屬化物(二硫化鉬MoS2等)層狀材料沉積等。
            特征 :
            •  配備液體燃料(乙醇)引入系統(tǒng),可用于無法安裝烴類氣體的場所。

            •  3系統(tǒng)質量流量氣體流量控制系統(tǒng),可以進行精確的氣體控制。

            •  真空排氣系統(tǒng)是標準設備,可用作真空爐或氣氛爐。

            •  緊湊而堅固的外殼設計,易于安裝在桌面實驗室工作臺上。

            •  高度可擴展且易于處理任何類型的處理。

            LIB電池用Si負極材料上的碳涂層

             

            二硫化鉬薄膜

            長 CNT/Si 的 SEM 圖像

            粉末狀 CNT 的 SEM 圖像

            主要規(guī)格

            基本配置管式爐正常使用溫度400-1000℃
            爐內尺寸60mmφ×L260mm
            溫度控制1區(qū)可編程溫度控制器
            外形尺寸W300mm x H200mm x D186mm
            電容700W
            芯管材料石英
            尺寸OD50mm x ID46mm x L900mm
            氣體控制質量流量控制器
            引入氣體類型

            載氣:N2 或 Ar

            還原氣體:H2

            烴類氣體:C2H2 或 C2H4 或 CH4

            真空計波登管真空計
            排氣泵旋轉泵
            外形尺寸W156mm x H200mm x D300mm
            液體物料引入系統(tǒng)
            催化劑前驅體引入機制
            外形尺寸W1100mm×H1000mm×D500mm


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