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            agc濺射靶材的特點(diǎn)及運(yùn)用示例分析

            閱讀:859          發(fā)布時(shí)間:2023-12-11

            agc濺射靶材的特點(diǎn)及運(yùn)用示例分析

            1. 光學(xué)薄膜用靶材

            目的

            1. 汽車(chē)和住宅用表面處理玻璃的低輻射涂層

            2. 顯示膜和玻璃減反射涂層

            3. 觸摸屏等光學(xué)調(diào)整膜(折射率匹配膜)

            4. 信息電子玻璃用光學(xué)多層膜(CD、DVD等的鏡子)

            材料產(chǎn)品名稱(chēng)目標(biāo)形狀目標(biāo)薄膜(氧化膜用)
            平板圓柱直流濺射特征耐堿性耐酸性耐刮擦其他的
            硅基SC
            高速成膜(>結(jié)晶Si)、
            高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱率
            n=1.46
            無(wú)定形 
            熱噴涂硅穩(wěn)定放電n=1.46
            無(wú)定形 
            鈮基N.B.O.
            熱噴涂
            高密度、
            高速成膜(>Nb)
            n=
            2.3 無(wú)定形
            鈦基TXO
            熱噴涂
            高速成膜(>Ti)n=2.45
            無(wú)定形

            此處列出的質(zhì)量數(shù)據(jù)僅供參考,并非保證值。關(guān)于下單時(shí)的質(zhì)量保證,我們將另行協(xié)商決定。請(qǐng)注意,列出的質(zhì)量數(shù)據(jù)如有更改,恕不另行通知。

            特征

            SC

            • 由于其高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱性、均勻的結(jié)構(gòu)靶材,實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)期穩(wěn)定放電。

            • 與使用結(jié)晶Si成膜的情況相比,成膜速度提高了20%。

            • 通過(guò)氧化反應(yīng)濺射獲得非晶SiO 2膜。

            • 通過(guò)氧化反應(yīng)濺射獲得的薄膜是無(wú)色且高度透明的。

            N.B.O.

            • 成膜速度比金屬鈮成膜時(shí)快3倍以上。

            • 通過(guò)氧化反應(yīng)濺射獲得非晶Nb 2 O 5膜。

            • 通過(guò)氧化反應(yīng)濺射獲得的薄膜是無(wú)色且高度透明的。

            TXO

            • 成膜速度比金屬Ti快7倍以上。

            • 通過(guò)氧化反應(yīng)濺射獲得非晶TiO 2膜。

            • 通過(guò)氧化反應(yīng)濺射獲得的薄膜是無(wú)色且高度透明的。

            2. 高耐久性保護(hù)膜用靶材/中折射率薄膜用靶材

            目的

            1. 汽車(chē)、住宅用表面處理玻璃(有色玻璃、熱反射玻璃等)保護(hù)膜

            2. 顯示薄膜(觸摸屏等)的防反射涂層

            3. 適用于條碼閱讀器和復(fù)印機(jī)頂部玻璃的防刮保護(hù)膜

            4. 適用于所有需要耐堿、耐刮傷的薄膜的保護(hù)膜。

            材料產(chǎn)品名稱(chēng)目標(biāo)形狀目標(biāo)薄膜(氧化膜用)
            平板圓柱直流濺射特征耐堿性耐酸性耐刮擦其他的
            硅基SX
            高密度
            、低飛弧特性
            n=
            1.7 無(wú)定形
            英石
            開(kāi)發(fā)中
            高密度、
            高速成膜(>SX)
            n=1.7~
            2.0非晶態(tài)

            此處列出的質(zhì)量數(shù)據(jù)僅供參考,并非保證值。關(guān)于下單時(shí)的質(zhì)量保證,我們將另行協(xié)商決定。請(qǐng)注意,列出的質(zhì)量數(shù)據(jù)如有更改,恕不另行通知。

            特征

            SX

            • 通過(guò)氧化反應(yīng)濺射獲得非晶膜,該非晶膜平坦且具有低摩擦特性。

            • 通過(guò)氧化反應(yīng)濺射獲得的薄膜是無(wú)色且高度透明的。

            • 通過(guò)氧化反應(yīng)濺射獲得的薄膜具有優(yōu)異的耐刮擦性和耐化學(xué)性。

            英石

            • 成膜速度比SX更快。

            • 通過(guò)氧化反應(yīng)濺射獲得非晶膜,該非晶膜平坦且具有低摩擦特性。

            • 通過(guò)氧化反應(yīng)濺射獲得的薄膜是無(wú)色且高度透明的。

            • 通過(guò)氧化反應(yīng)濺射獲得的薄膜具有優(yōu)異的耐刮擦性和耐化學(xué)性。

            • 通過(guò)氧化反應(yīng)濺射獲得的薄膜具有液滴特性。

            • 所得薄膜的折射率可在 1.7 至 2.0 之間變化,具體取決于目標(biāo)組合物。

            3. Low-E介電薄膜靶材/中折射率薄膜靶材

            目的

            1. 建材用Low-E(低輻射)薄膜用介電薄膜

            2. 防反射膜等光學(xué)膜用中折射率膜

            材質(zhì)系統(tǒng)產(chǎn)品名稱(chēng)目標(biāo)形狀目標(biāo)膜質(zhì)量
            平板圓柱DC成膜特征
            鋅基深圳合金靶材
            Ar膜沉積
            n=2.0
            無(wú)定形
            AZ
            開(kāi)發(fā)中
            合金靶材
            Ar膜沉積
            n=2.0
            無(wú)定形

            此處列出的質(zhì)量數(shù)據(jù)僅供參考,并非保證值。關(guān)于下單時(shí)的質(zhì)量保證,我們將另行協(xié)商決定。請(qǐng)注意,列出的質(zhì)量數(shù)據(jù)如有更改,恕不另行通知。

            特征

            1. 使用我們的制造方法,圓柱形 SZ 靶材與背襯管實(shí)現(xiàn)了高粘合強(qiáng)度。因此,與傳統(tǒng)的熱噴涂靶相比,可以使用高功率濺射進(jìn)行高速成膜。

            2. 可制造總長(zhǎng)3m以上的長(zhǎng)圓柱形靶材。

            4、透明導(dǎo)電膜用靶材

            目的

            1. 環(huán)境及能源玻璃(太陽(yáng)能電池等)用透明電極

            2. 顯示玻璃用透明電極

            3. 汽車(chē)和住宅玻璃用透明導(dǎo)電膜(熱反射玻璃、電動(dòng)汽車(chē)表面加熱元件等)

            4. 纖維、薄膜等抗靜電涂膜

            材質(zhì)系統(tǒng)產(chǎn)品名稱(chēng)目標(biāo)形狀目標(biāo)膜質(zhì)量
            平板圓柱DC成膜特征電導(dǎo)率耐化學(xué)性其他特性
            鋅基廣州市
            高密度燒結(jié)體
            Ar成膜
            ×n=1.9
            低溫結(jié)晶膜
            偶氮
            開(kāi)發(fā)中
            高密度燒結(jié)體
            Ar成膜
            ×n=1.9
            低溫結(jié)晶膜

            此處列出的質(zhì)量數(shù)據(jù)僅供參考,并非保證值。關(guān)于下單時(shí)的質(zhì)量保證,我們將另行協(xié)商決定。請(qǐng)注意,列出的質(zhì)量數(shù)據(jù)如有更改,恕不另行通知。

            特征

            1. 相對(duì)密度90%以上的高密度ZnO靶材。

            2. 與ITO相比,不易產(chǎn)生結(jié)節(jié),可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的放電。

            3. 可在純氬氣氣氛下成膜。

            4. 即使在室溫下也可以形成結(jié)晶膜。




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