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            日本napson手持式電阻檢測儀EC-80P檢測方向說明

            閱讀:155          發(fā)布時間:2021-6-10
            提 供 商 秋山科技(東莞)有限公司 資料大小 142.1KB
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            資料類型 JPG 圖片 瀏覽次數(shù) 155次
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            日本napson手持式電阻檢測儀EC-80P檢測方向說明

            產(chǎn)品特點(diǎn)

            • 只需觸摸手持式探頭即可進(jìn)行電阻測量。
            • 在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換
            • 使用JOG撥盤輕松設(shè)置測量條件
            • 連接到連接器的電阻測量探針是可更換的,因此它支持廣泛的電阻。
            • (電阻探頭:z多可以使用2 + PN判斷探頭)
            • 測量規(guī)格

              測量目標(biāo)

              相關(guān)(硅,多晶硅,碳化硅等)半導(dǎo)體/太陽能電池材料
              的新材料/相關(guān)功能性材料(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
              導(dǎo)電薄膜相關(guān)的(金屬,ITO等)
              硅基外延離子注入的樣品
              化合物與半導(dǎo)體有關(guān)的(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
              其他(*請與我們聯(lián)xi)

              測量尺寸

              無論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

              測量范圍

              [電阻率] 1 m至200Ω·cm
              (*所有探頭類型的總范圍/厚度500 um)
              [抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq
              (*所有探頭類型的總范圍)

              *有關(guān)每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
              (1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
              0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
              (3 )高:10至1000Ω/□( 0.5至60Ω-??cm)
              (4)S高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
              (5)太陽能晶片:5至500Ω/□(0. 2至15Ω-cm)

             

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