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            行業(yè)產(chǎn)品

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            北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司>>介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀>>1MHZ介電常數(shù)測試儀>> GDAT-A1Mhz介電常數(shù)/介質(zhì)損耗測定儀

            1Mhz介電常數(shù)/介質(zhì)損耗測定儀

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            參考價 20000
            訂貨量 1
            具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
            • 型號 GDAT-A
            • 品牌 北廣精儀
            • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
            • 所在地 北京市
            在線詢價 收藏產(chǎn)品 加入對比 查看聯(lián)系電話

            更新時間:2024/07/17 14:38:39瀏覽次數(shù):744

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            產(chǎn)品簡介

            產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 價格區(qū)間 1萬-2萬
            應(yīng)用領(lǐng)域 農(nóng)林牧漁,能源,電子/電池,汽車及零部件
            1Mhz介電常數(shù)/介質(zhì)損耗測定儀主要測試材料:絕緣導(dǎo)熱硅膠,石英晶玻璃,陶瓷片,薄膜,OCA光學(xué)膠,環(huán)氧樹脂材料,塑料材料,FR4 PCB板材, PA尼龍/滌綸,PE聚乙烯,PTFE聚四氟乙烯,PS聚苯乙烯,PC聚碳酸旨,PVC,PMMA等

            詳細介紹

            1Mhz介電常數(shù)/介質(zhì)損耗測定儀討論——b:串聯(lián)模型——對于某種具有電介質(zhì)損耗

            信號源范圍DDS數(shù)字合成信號

            10KHZ-70MHz

            10KHZ-110MHz

            100KHZ-160MHz

            信號源頻率覆蓋比

            7000:1

            11000:1

            16000:1

            信號源頻率精度 6位有效數(shù)

            3×10-5 ±1個字  

            3×10-5 ±1個字   

            3×10-5 ±1個字   

            采樣精度

            11BIT

            11BIT

            12BIT

            高精度的AD采樣,了Q值的穩(wěn)定性,以及低介質(zhì)損耗材料測試時候的穩(wěn)定性

            Q測量范圍

            1-1000自動/手動量程

            1-1000自動/手動量程

            1-1000自動/手動量程

            Q分辨率

            4位有效數(shù),分辨率0.1

            4位有效數(shù),分辨率0.1

            4位有效數(shù),分辨率0.1

            Q測量工作誤差

            <5%

            <5%

            <5%

            電感測量范圍 4位有效數(shù),分辨率0.1nH

            1nH-8.4H ,分辨率0.1nH

            1nH-8.4H 分辨率0.1nH

            1nH-140mH分辨率0.1nH

            電感測量誤差

            <3%

            <3%

            <3%

            調(diào)諧電容

            主電容30-540pF

            主電容30-540pF

            主電容17-240pF

            電容直接測量范圍

            1pF~2.5uF

            1pF~2.5uF

            1pF~25nF

            調(diào)諧電容誤差

            分辨率

            ±1pF或<1%

            0.1pF

            ±1pF或<1%

            0.1pF

            ±1pF或<1%

            0.1pF

            1Mhz介電常數(shù)/介質(zhì)損耗測定儀

            這些試驗方法所用術(shù)語定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語定義見術(shù)語標(biāo)準(zhǔn)D1711。

              本標(biāo)準(zhǔn)專用術(shù)語定義:

              電容,C,名詞——當(dāng)導(dǎo)體之間存在電勢差時,導(dǎo)體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲存電分離電荷的性能。

              討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當(dāng)電量采用庫倫為單位,電位采用伏特為單位時,電容單位為法拉,即:

              C=q/V (1)

              耗散因子(D),(損耗角正切),(tanδ),名詞——是指損耗指數(shù)(K'')與相對電容率(K')之間的比值,它還等于其損耗角(δ)的正切值或者其相位角(θ)的余切值(見圖1和圖2)。

              D=K''/K' (2)

              3.2.2.1 討論——a:

              D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp(3)

              式中:

              G=等效交流電導(dǎo),

              Xp=并聯(lián)電抗,

              Rp=等效交流并聯(lián)電阻,

              Cp=并聯(lián)電容,

              ω=2πf(假設(shè)為正弦波形狀)

              耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q,有時成為儲能因子。對于串聯(lián)和并聯(lián)模型,電容器耗散因子D都是相同的,按如下表示為:

              D=ωRsCs=1/ωRpCp(4)

              串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿足以下要求:

              Cp=Cs/(1 D2) (5)

              Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2(6)

            601.jpg


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