半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測試，芯片封裝和封裝后測試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對Wafer劃片槽（ScribeLine）測試鍵（TestKey）的測試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測廠的依據(jù)，測試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測試機(jī)臺上，由WATRecipe自動(dòng)控制測試位置和內(nèi)容，測完某條TestKey后，ProbeCard會自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測試完成。以下有四種產(chǎn)品簡介：HN6000A四通道變頻抗干擾高壓介質(zhì)損耗測試儀  HN7033A自動(dòng)電容電流測試儀 HN6065接地引下線導(dǎo)通測試儀  HN7036A大型地網(wǎng)接地電阻測試儀
高壓介質(zhì)損耗測量儀

HN6000A四通道變頻抗干擾高壓介質(zhì)損耗測試儀 
   
   該儀器可用正、反接線方法測量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備?？梢詼y量電容式電壓互感器的tg及主電容C1、C2電容量。適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測量。高壓介質(zhì)損耗測量儀

抗干擾介損自動(dòng)測試儀技術(shù)參數(shù)
    1、準(zhǔn)確度：
    Cx: ±（讀數(shù)×1%+1pF）
    tg: ±（讀數(shù)×1%+0.00040）
    2、抗干擾指標(biāo)： 變頻抗干擾，在200%干擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
    3、電容量范圍：
    內(nèi)施高壓： 3pF～60000pF/10kV 60pF～1μF/0.5kV
    外施高壓： 3pF～1.5μF/10kV 60pF～30μF/0.5kV
    分辨率： 更高0.001pF，4位有效數(shù)字
    4、tg范圍： 不限，分辨率0.001%，電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識別。
    5、試驗(yàn)電流范圍：10μA～1A借助現(xiàn)場總線通信(HART、Profibus、FoundationFieldbus)，這些裝置能提供被測儀器的quot;健康狀態(tài)quot;信息，這種狀態(tài)信息可由資產(chǎn)監(jiān)測器加以利用。這些資產(chǎn)監(jiān)測器(如ABB的80OXA擴(kuò)展自動(dòng)化系統(tǒng))可探測到有關(guān)儀器性能的下降，通知相應(yīng)的人員開展進(jìn)一步調(diào)查，并在適當(dāng)?shù)那闆r下提供補(bǔ)救措施。無論作為簡單的顯示或報(bào)警信息執(zhí)行，或是作為完整控制系統(tǒng)的一部分，這些功能都可讓客戶主動(dòng)對資產(chǎn)使用情況進(jìn)行優(yōu)化，而非被動(dòng)對突發(fā)事件做出反應(yīng)。
    6、內(nèi)施高壓： 
    設(shè)定電壓范圍：0.5～10kV
    輸出電流：200mA
    升降壓方式： 連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
    試驗(yàn)頻率：
    45、50、55、60、65Hz單頻     
    45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動(dòng)雙變頻
    頻率準(zhǔn)度： ±0.01Hz
    7、外施高壓：
    正接線時(shí)試驗(yàn)電流1A，工頻或變頻40-70Hz
    反接線時(shí)試驗(yàn)電流10kV/1A，工頻或變頻40-70Hz
    8、CVT自激法低壓輸出：輸出電壓3～50V，輸出電流3～30A

高壓介質(zhì)損耗測量儀不過，CCD元件的制造成本高，在高感光度下的表現(xiàn)不太好，而且功耗較大。CMOS的色彩飽和度和質(zhì)感則略差于CCD，但處理芯片可以彌補(bǔ)這些差距。重要的是，CMOS具備硬件降噪機(jī)制，在高感光度下的表現(xiàn)要好于CCD，此外，它的讀取速度也更快。這些特性特別適合性能較高的單反相機(jī)，因此目前市場中常見的單反數(shù)碼相機(jī)幾乎都采用了CMOS傳感器。這些裝備了CMOS傳感器的數(shù)碼相機(jī)甚至具備了拍攝全高清（FullHD）視頻的能力，這是裝備了CCD的數(shù)碼相機(jī)目前無法做到的。

HN7033A自動(dòng)電容電流測試儀

直接從PT的二次側(cè)測量配電網(wǎng)的電容電流，與傳統(tǒng)的測試方法相比，該儀器無需和一次側(cè)打交道，因而不存在試驗(yàn)的性，無需做繁雜的安措施和等待冗長的調(diào)度命令，只需將測量線接于PT的開口三角端就可以測量出電容電流的數(shù)據(jù)。上回我們說到直流充電樁的正常充電流程，那么問題來了，直流充電樁充電時(shí)又有哪些異常情況呢？我們不妨來了解一下，方便日后給充電樁系統(tǒng)“把脈"。，我們來簡單回顧一下上周的精華內(nèi)容，即直流充電模型：直流充電模型左邊是非車載充電機(jī)（即直流充電樁），右邊是電動(dòng)汽車，二者通過車輛插頭、插座相連。我們可以很清楚的看到，充電模型主要由“非車載充電機(jī)"、“車輛接口"、“電動(dòng)汽車"這三部分構(gòu)成，所以充電異常中止基本也由這三部分引發(fā)，那么接下來我們將對這三部分進(jìn)行“體檢"分析。

自動(dòng)電容電流測試儀技術(shù)參數(shù)
    1、測量范圍：對地總電容 ≤120μF（三相對地）
       電容電流 ≤500A（35kv系統(tǒng)）
       電容電流 ≤200A（10kv系統(tǒng)）
    2、測量精度：0.5μF～5μF   ±10%±50個(gè)字
                 5μF～90μF    ±5%
                 90μF～120μF  ±10%他們之前都可以測距測高測量角度，價(jià)格鐳創(chuàng)這個(gè)*高，價(jià)位在3元左右，圖柏斯價(jià)格從35-155左右。奧卡價(jià)格在3-5區(qū)間。歐尼卡激光測距儀以1-3區(qū)間為主。激光測距儀什么牌子好測量物體之間的距離是我們生活中常遇到的事情，尤其是裝修新家的時(shí)候，對數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確度要求就更高了，常見的皮尺、卷尺之類的測量工具，在使用的便捷程度和準(zhǔn)確度上都有所欠缺，所以作為一個(gè)有著2年經(jīng)驗(yàn)的裝修老師傅，我在了解了激光測距儀這個(gè)更加高級的測量工具之后，從那以后我的測量工具都變成了激光測距儀。

HN6065接地引下線導(dǎo)通測試儀