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            目錄:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司>>光電探測器>>InGaAs銦鎵砷光電探測器>> InGaAsPD/APD-TIA光電模塊

            InGaAsPD/APD-TIA光電模塊
            • InGaAsPD/APD-TIA光電模塊
            參考價(jià) 面議
            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
            參考價(jià) 面議
            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
            • 品牌 其他品牌
            • 型號
            • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
            • 所在地 上海
            屬性

            $NV_PropertyInfoName.SubString(0,25)

            >

            更新時(shí)間:2024-12-04 08:33:32瀏覽次數(shù):1200評價(jià)

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            InGaAsPD/APD-TIA光電模塊特點(diǎn):
            ● 傳輸速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps
            ● 高靈敏度
            ● 工作波長范圍:1260~1650nm
            ● 單電源供電
            ● 遵循Telcordia Technoligies GR-468-CORE標(biāo)準(zhǔn)
            ● RoHS認(rèn)證RoHS compliant

            筱曉光子庫存?zhèn)溆懈鞣N有效面積和封裝的PIN結(jié)二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。

            我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內(nèi)具有高響應(yīng)率,其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個(gè)光電探測器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長范圍從400到1700 nm。

            為了豐富我們的光電二極管產(chǎn)品線,我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用,探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應(yīng),從而扭曲光電二極管的時(shí)域響應(yīng)。因此,我們建議使光入射在有效面積中心。為此,可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔。

            產(chǎn)品特點(diǎn)

            ● 傳輸速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps

            高靈敏度

            工作波長范圍:1260~1650nm

            單電源供電

            遵循Telcordia Technoligies GR-468-CORE標(biāo)準(zhǔn)

            RoHS認(rèn)證RoHS compliant

            封裝及尺寸

            fz.png

            引腳定義

            yj.png

            引腳編號

            引腳功能說明

            引出端符號

            1

            信號正輸出端

            Vout+

            2

            放大器電源

            VCC

            3

            偏置電壓

            VAPD

            4

            信號負(fù)輸出端

            Vout-

            5

            接地

            GND (case)


            yj1.png


            引腳編號

            引腳功能說明

            引出端符號

            1

            信號正輸出端

            Vout+

            2

            信號負(fù)輸出端

            Vout

            3

            接地

            -GND   (case)

            4

            放大器電源

            VCC


            注意事項(xiàng)

            a.嚴(yán)格按照引腳說明連接,輸出AC耦合時(shí),差分負(fù)載應(yīng)為100Ω

            b. 貯運(yùn)、使用過程中必須采取適當(dāng)?shù)撵o電防護(hù)措施。

            c.器件屬于高電壓工作器件,使用時(shí)應(yīng)采取適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)和措施避免人體受到傷害。

            產(chǎn)品應(yīng)用

            ● 無源光網(wǎng)絡(luò)與SDH/SONET傳輸系統(tǒng)

            吉比特以太網(wǎng)與光纖信道

            其它應(yīng)用Other application

            訂購信息

            型號: IRPD5521Y-□□□□-☆-T-XX

            速率□□□□:

            0155:155Mbps

            1.25:1.25Gbps

            2.5:2.5Gbps

            探測器類型☆:

            A: APD

            P: PD

            T: TIA

            封裝XX:

            PG:尾纖

            TO:TO封裝

            技術(shù)參數(shù)

            參數(shù)名稱

            符號

            測試條件

            最小

            典型Typ.

            最大

            單位

            TIA工作電流

            ICC

            Vcc=3.3V

            -

            44

            59

            mA

            反向擊穿電壓1)

            VBR

            ID=100μA

            35

            -

            55

            V

            VBR溫度系數(shù)

            σ

            γ= dVBR/dTC

            -

            0.1

            0.15

            V/℃

            差分跨阻

            IRPD5521Y-155

            IRPD5521Y-1.25

            IRPD5521Y-2.5

            ZT

            Pin=-30dBm, RL=100Ω,

            54

            26

            3.6

            -3dB帶寬

            IRPD5521Y-155

            IRPD5521Y-1.25

            IRPD5521Y-2.5

            f-3dB

            Pin=-30dBm

            100

            1000

            2000

            MHz

            響應(yīng)度

            Re

            M=1 , λ = 1.55μm

            0.85

            0.95

            -

            A/W

            輸出阻抗

            ZO

            Single ended

            -

            50

            70

            Ω

            靈敏度

            IRPD5521Y-155A

            IRPD5521Y-155P

            IRPD5521Y-1.25A

            IRPD5521Y-1.25P

            IRPD5521Y-2.5A

            IRPD5521Y-2.5P

            PS

            λ=1.55μm,NRZ, PRBS=223–1, BER=10-10,

            ER=10dB,

            V=Vop

            -47 -39 -35 -28 -34 -26

            dBm

            過載功率

            APD

            PIN

            PMAX

            -5

            +3

            -

            -

            dBm

            光回?fù)p

            Lo

            λ = 1.55μm

            -

            -

            -30

            dB

            備注:1)僅適用于APD探測器


            最大絕對額定值 T=25deg

            參數(shù)名稱

            符號

            額定值

            單位

            TIA電源電壓

            VCC

            5

            V

            APD反向電壓APD

            VAPD

            VBR

            V

            APD/PD反向電流

            Ir

            2

            mA

            APD/PD正向電流

            If

            2

            mA

            工作溫度范圍

            TC

            -40 ~ +85

            貯存溫度范圍

            TSTG

            -55 ~ +100



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