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            目錄:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司>>光電探測器>>InGaAs銦鎵砷光電探測器>> APD芯片 四象限雪崩探測接收模塊GD4516YB

            APD芯片 四象限雪崩探測接收模塊GD4516YB
            • APD芯片 四象限雪崩探測接收模塊GD4516YB
            參考價 面議
            具體成交價以合同協(xié)議為準
            參考價 面議
            具體成交價以合同協(xié)議為準
            • 品牌 其他品牌
            • 型號
            • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
            • 所在地 上海
            屬性

            $NV_PropertyInfoName.SubString(0,25)

            >

            更新時間:2024-12-04 08:46:42瀏覽次數(shù):1341評價

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            產(chǎn)地類別 進口 應(yīng)用領(lǐng)域 化工,能源,建材/家具,電子/電池
            APD芯片 四象限雪崩探測接收模塊GD4516YB其采用 InGaAs 四象限 APD芯片與低噪聲跨阻抗放大器混合集成。
            銦鎵砷(InGaAs)高靈敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探測接收模塊

            GD4516YB 是一款高靈敏度大光敏元四象限光電探測模塊,其采用 InGaAs 四象限 APD芯片與低噪聲跨阻抗放大器混合集成。

            產(chǎn)品特點

            ● 正照平面型芯片結(jié)構(gòu)

            ● 象限間隔小、象限間串?dāng)_低

            ● 增益均勻性高

            ● 內(nèi)部集成 TEC 與溫度傳感器

            ● 空間光輸入

            封裝及尺寸

            封裝外形、尺寸及引腳定義(單位:mm;公差:±0.05mm)

            2345截圖20210522103440.jpeg

            附表1 引腳定義

            引腳

            定義

            引腳

            定義

            1

            TEC+

            8

            VCC

            2

            OUT2

            9

            OUT4

            3

            TEC-

            10

            GND

            4

            GND

            11

            VEE

            5

            /

            12

            OUT1

            6

            OUT3

            13

            R-

            7

            GND

            14

            R+

            產(chǎn)品應(yīng)用

            激光定位

            激光通信

            捕獲、跟蹤

            激光制導(dǎo)

            技術(shù)參數(shù)

            測試條件:TA=22±3℃, VEE=-5V, VCC=5V,VAPD=VBR-3V,λ= 1.55μm。

            參數(shù)名稱

            最小值

            典型值

            最大值

            單位

            工作波長

            -

            1550

            -

            nm

            光敏面直徑

            -

            800

            -

            um

            象限間隔

            -

            50

            -

            um

            -3dB 帶寬

            -

            2

            -

            MHz

            最大線性輸出電壓幅度

            -

            3

            -

            Vpp

            交流串?dāng)_

            -

            -

            5%

            -

            電壓響應(yīng)度

            5

            -

            -

            MV/W

            增益一致性

            -

            -

            5%


            輸入等效噪聲功率@2M

            -

            -

            0.15

            pW/√Hz


            絕對最大額定值

            測試條件:TA=22±3℃, VEE=-5V, VCC=5V, λ= 1.55μm。

            參數(shù)名稱

            額定值

            單位

            貯存溫度范圍 TSTG

            -55~+100

            工作溫度范圍 TC

            -30~+70

            焊接溫度   Tp

            260(10s)

            TEC 電壓 VTEC

            7.4±0.74

            V

            TEC   電流 ITEC

            3.2±0.32

            A

            熱敏電阻阻值 Rth

            10

            工作電壓   VCC

            ±5(±0.1)

            V



            熱敏電阻阻-溫特性表

            xx1.jpeg

            產(chǎn)品符合 GJB 8120-2013《半導(dǎo)體光電模塊通用規(guī)范》。

            貯存使用要求:

            儲存和使用

            ● 器件應(yīng)儲存在溫度為-10°C~+40°C和相對濕度不大于80%的通風(fēng)、無腐蝕性氣體影響的潔

            凈環(huán)境。

            ● 儲存和使用過程避免外來物理損壞。

            靜電防護

            ● 產(chǎn)品為靜電敏感器件,在取放、安裝過程必須采取相應(yīng)的靜電防護措施,如焊裝工具良好接地、人員佩戴防靜電手腕,穿戴防靜電服、工作臺上鋪設(shè)防靜電桌布等。

            ● 器件安裝、上電

            ● 使用器件時,首先接地,然后開啟電源;關(guān)閉器件時,首先移除光源,然后斷開電源。

            ● 器件應(yīng)用時參數(shù)設(shè)計不應(yīng)超過其最大額定值。

            ● 器件測試安裝應(yīng)輕拿輕放,避免引線針及光纖折損。




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