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            目錄:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司>>光電探測器>>MCT碲鎘汞探測器>> 四級熱電冷卻紅外光電探測器

            四級熱電冷卻紅外光電探測器
            • 四級熱電冷卻紅外光電探測器
            參考價 面議
            具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
            參考價 面議
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            • 品牌 其他品牌
            • 型號
            • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
            • 所在地 上海
            屬性

            $NV_PropertyInfoName.SubString(0,25)

            >

            更新時間:2024-12-04 09:01:49瀏覽次數(shù):981評價

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            2-12μm 中紅外MCT 四級熱電冷卻紅外光電探測器 PV-4TE系列具有好的性能和穩(wěn)定性。探測器在λopt時達(dá)到最佳性能。起始波長可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動態(tài)范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。

            PV-4TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級熱電冷卻紅外光電探測器,具有好的性能和穩(wěn)定性。探測器在λopt時達(dá)到最佳性能。起始波長可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動態(tài)范圍以及高頻下的性能,但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。3°楔狀藍(lán)寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。

            產(chǎn)品應(yīng)用

            醫(yī)學(xué)熱成像

            紅外光譜分析

            中紅外氣體吸收檢測

            中紅外激光探測

            技術(shù)參數(shù)

            參數(shù)

            探測器型號

            PV-4TE-3

            PV-4TE-3.4

            PV-4TE-4

            PV-4TE-5

            PV-4TE-6

            PV-4TE-8

            PV-4TE-10.6

            有源元件材料

            外延MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)


            最佳波長λopt,μm

            3.0

            3.4

            4.0

            5.0

            6.0

            8.0

            10.6

            探測靈敏度D*(λpeak),cm·Hz?/w

            3×1011

            ≥2×1011

            ≥1×1011

            ≥4×1010

            ≥9×109

            ≥5×108

            ≥4×108

            探測靈敏度D*(λopt),cm·Hz?/W

            ≥1.5×1011

            ≥1×1011

            ≥6×1010

            ≥1.5×1010

            ≥5×109

            ≥4×108

            ≥2×108

            電流響應(yīng)度Ri(λopt),A/W

            ≥0.5

            ≥0.8

            ≥1.0

            ≥1.3

            ≥1.5

            ≥1.0

            ≥0.5

            時間常數(shù)T,ns

            280

            200

            ≤100

            ≤80

            ≤50

            ≤45

            ≤25

            電阻-感光元件面積乘積R·A,Ω·cm2

            ≥300

            ≥20

            ≥8

            ≥0.4

            ≥0.03

            ≥0.0006

            ≥0.0005

            有源元件溫度Tdet,K

            ~195

            感光面面積A,mm×mm

            0.05×0.05,0.1×0.1

            0.05×0.05

            封裝

            TO8,TO66

            接收角Φ

            70°

            窗口

            wAl2O3

            wZnSeAR


            探測器光譜響應(yīng)特性曲線

            PV-4TE.png

            熱敏電阻特性曲線

            PV-2TE1.jpeg

            四級TE冷卻參數(shù)表

            參量

            數(shù)值

            Tdet , K

            ~195

            Vmax , V

            8.3

            Imax , A

            0.4

            Qmax , W

            0.28


            抗反射涂層窗口光譜透過率曲線

            PV-2TE2.jpeg

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