目錄:筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司>>光學(xué)無(wú)源器件>>晶體/棱鏡/窗片>> TL-ZP-401紅外非線性晶體/ZnGeP2/AgGaSe2/GaSe/ZnTe
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更新時(shí)間：2024-12-04 17:52:53瀏覽次數(shù)：1203評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生 |
|---|---|---|---|
| 規(guī)格 | 7x5x15mm |
紅外非線性晶體/ZnGeP2/AgGaSe2/GaSe/ZnTe 本產(chǎn)品由于具有*的功能，ZnGeP2、 AgGaSe2、AgGaS2、 GaSe 和 ZnTe作為光學(xué)非線性晶體，在中紅外和遠(yuǎn)紅外應(yīng)用方面已經(jīng)贏得了人們極大的興趣。它們的應(yīng)用包括：中紅外波段OPO，近、中紅外波段頻率轉(zhuǎn)換，CO2 激光倍頻，THz生成。紅外非線性晶體 具有大的有效光學(xué)非線性，寬的光譜和角度接收范圍，透光范圍寬，對(duì)溫度穩(wěn)定性和振動(dòng)控制沒(méi)有苛刻的要求，可以進(jìn)行良好的機(jī)械加工（ GaSe除外）。其它晶體有 : CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe,ZnS
1、AgGaS2 硫鎵銀晶體
AgGaS2簡(jiǎn)稱(chēng)AGS晶體,中文名是硫鎵銀晶體,他的透光波段為0.53至12 µm。雖然其非線性光學(xué)系數(shù)在上述提到的紅外晶體中是最小的，但是其邊緣為550 nm短波長(zhǎng)高透光度被用于Nd:YAG激光泵浦的OPO，也被大量應(yīng)用于利用二極管、摻鈦藍(lán)寶石、Nd:YAG和紅外燃料激光器進(jìn)行的差頻混頻實(shí)驗(yàn)，直接紅外對(duì)抗系統(tǒng)，以及CO2激光倍頻。通過(guò)信號(hào)和飛秒OPO系統(tǒng)駐波的差頻，硫鎵銀晶體薄片在中紅外波段超短脈沖發(fā)生方面用的很普遍。
14 mm長(zhǎng)鍍?cè)鐾改ず陀糜诒籒d:YAG激光泵浦的OPO的AgGaS2晶體的透過(guò)光譜
AgGaS2晶體1型 OPO 和SHG調(diào)諧曲線
2、ZnGeP2晶體(簡(jiǎn)稱(chēng)ZGP晶體),磷鍺鋅晶體
ZnGeP2磷鍺鋅晶體的透光波段為0.74至12 µm，其中有用的透光范圍從1.9至10.6 µm。 ZnGeP2擁有最大的非線性光學(xué)系數(shù)和較高的激光損傷閾值。它成功地應(yīng)用于以下應(yīng)用領(lǐng)域：
■ 通過(guò)與10.6 µm 波長(zhǎng)混頻的 CO2激光的上轉(zhuǎn)換；
■ CO和 CO2 激光輻射的和頻；
■ 脈沖式CO、CO2 和DF化學(xué)激光的高效倍頻；餌和鈥激光泵浦時(shí)的中紅外OPO光的發(fā)生。
E K S M A 光 學(xué) 提 供 具 有 低 吸 收<0.04 cm-1 @ 2.1 µm的ZnGeP2 晶體，更好的適應(yīng)OPO或OPA應(yīng)用，然后泵浦2.05-2.1 µm，鍍?cè)鐾改ぁ?/p>
ZnGeP2晶體1型OPO和SHG調(diào)諧曲線
ZnGeP2晶體在2 µm附近的吸收光譜
15 mm長(zhǎng)鍍?cè)鐾改nGeP2晶體OPO@2.1 µm 的透過(guò)光譜
3、AgGaSe2 硒鎵銀晶體
AgGaSe2硒鎵銀晶體晶體的透光波段在0.73至18 µm波段之間。其有用透光范圍0.9-16 µm及寬的相匹配能力，在被多種當(dāng)前常用激光泵浦時(shí)，能為OPO應(yīng)用提供具潛力的應(yīng)用。在2.05 µm的Ho:YLF激光泵浦下，已經(jīng)獲得2.5-12 µm的波長(zhǎng)，以及在1.4-1.55 µm激光泵浦下，獲得1.9-5.5 µm的非臨界相位匹配操作。脈沖式CO2激光的高效倍頻已經(jīng)得到證明。
AgGaSe2晶體1型OPO和SHG調(diào)諧曲線
18 mm長(zhǎng)無(wú)鍍膜AgGaSe2晶體的透過(guò)光譜
25 mm長(zhǎng)鍍?cè)鐾改さ腁gGaSe2晶體的透過(guò)光譜
4、GaSe硒化鎵
GaSe 硒化鎵晶體 的 透 光 波 長(zhǎng) 在 0 . 6 5 至18 µm之間. GaSe晶體已經(jīng)成功的應(yīng)用于以下方面：CO2 激光的高效倍頻，脈沖式CO、CO2和DF化學(xué) 激光(λ = 2.36 µm)倍頻，CO和CO2激光向可見(jiàn)光的上轉(zhuǎn)換，通過(guò)釹和紅外燃料激光器或(F-)-centre激光脈沖的差頻混頻產(chǎn)生紅外脈沖，3.5–18 µm范圍內(nèi) OPG光的發(fā)生，飛秒脈沖泵浦時(shí)0.2-5 THz范圍的高效太赫茲發(fā)生。由于材料結(jié)構(gòu)(沿(001)平面切開(kāi))限制了應(yīng)用領(lǐng)域，為了得到特定相位匹配角的晶體切割是不可能的。
物理特性：
晶體 | ZnGeP2 | AgGaSe2 | AgGaS2 | GaSe | ZnTe |
晶體對(duì)稱(chēng)性 | 四方 | 四方 | 四方 | 六角 | 立方閃鋅礦 |
點(diǎn)群 | 42m | 42m | 42m | 62m | 43m |
晶格常數(shù), ? a | 5.465 | 5.9901 | 5.757 | 3.742 | 6.1037 |
c | 10.771 | 10.8823 | 10.305 | 15.918 | - |
密度, g/cm3 | 4.175 | 5.71 | 4.56 | 5.03 | 5.633 |
光學(xué)特性：
晶體 | ZnGeP2 | AgGaSe2 | AgGaS2 | GaSe | ZnTe | |
透光范圍,µm | 0.74-12 | 0.73-18 | 0.53-12 | 0.65-18 | 0.65-17 | |
折射率@ | ||||||
1.06 µm | no | 3.2324 | 2.7005 | 2.4508 | 2.9082 | 2.7779 |
ne | 3.2786 | 2.6759 | 2.3966 | 2.5676 | ||
5.3 µm | no | 3.1141 | 2.6140 | 2.3954 | 2.8340 | 2.6974 |
ne | 3.1524 | 2.5823 | 2.3421 | 2.4599 | ||
10.6 µm | no | 3.0725 | 2.5915 | 2.3466 | 2.8158 | 2.6818 |
ne | 3.1119 | 2.5585 | 2.2924 | 2.4392 | ||
吸收系數(shù), cm-1 @ | ||||||
1.06um | 3.0 | <0.02 | <0.09 | 0.25 | - | |
2.5um | 0.03 | <0.01 | 0.01 | 0.05 | - | |
5.0um | 0.02 | <0.01 | 0.01 | 0.05 | - | |
7.5um | 0.02 | - | 0.02 | 0.05 | - | |
10.0um | 0.4 | - | <0.06 | 0.05 | - | |
11.0um | 0.8 | - | 0.06 | 0.05 | - | |
非線性光學(xué)特性：
晶體 | ZnGeP2 | AgGaSe2 | AgGaS2 | GaSe | ZnTe |
激光損失閾值, MW/cm2 | 60 | 25 | 10 | 28 | - |
@脈寬, ns | 100 | 50 | 20 | 150 | - |
@波長(zhǎng), µm | 10.6 | 2.05 | 1.06 | 9.3 | - |
非線性, pm/V | 111 | 43 | 31 | 63 | - |
Type 1 SHG的相位匹配角@ 10.6 µm, deg | 76 | 55 | 67 | 14 | - |
Walk-off角@5.3 µm, deg 0.57 | 0.57 | 0.67 | 0.85 | 3.4 | - |
熱學(xué)特性：
晶體 | ZnGeP2 | AgGaSe2 | AgGaS2 | GaSe | ZnTe |
熔點(diǎn), oC | 1298 | 851 | 998 | 1233 | 1295 |
熱膨脹系, 10-6/oK | |||||
⊥ | 17.5(a) | 23.4(c) | 12.5 | 9.0 | 8.0 |
⊥ | 9.1(b) | 18.0(d) | - | - | - |
‖ | 1.59(a) | -6.4(c) | -13.2 | 8.25 | - |
‖ | 8.08(b) | -16.0(d) | - | - | - |
@ 293-573 K, b) @ 573-873 K, c) @ 298-423 K, d) @ 423-873 K
計(jì)算折射率的SELLMEIER方程:
晶體 | A | B | C | D | E | F | 表達(dá)式 | |
ZnGeP2 | no | 8.0409 | 1.68625 | 0.40824 | 1.2880 | 611.05 | - | n2=A +Bλ2/(λ2-C) +Dλ2(λ2-E) |
ne | 8.0929 | 1.8649 | 0.41468 | 0.84052 | 452.05 | - | ||
AgGaSe2 | no | 6.8507 | 0.4297 | 0.15840 | 0.00125 | - | - | n2= A+B/(λ2-C) -Dλ2 |
ne | 6.6792 | 0.4598 | 0.21220 | 0.00126 | - | - | ||
AgGaS2 | no | 3.3970 | 2.3982 | 0.09311 | 2.1640 | 950.0 | - | n2= A+B/(1-C/λ2) +D/(1-E/λ2) |
ne | 3.5873 | 1.9533 | 0.11066 | 2.3391 | 1030.7 | - | ||
GaSe | no | 7.443 | 0.405 | 0.0186 | 0.0061 | 3.1485 | 2194 | n2= A+B/λ2+C/λ4+D/λ6 +E/(1-F/λ2) |
ne | 5.76 | 0.3879 | -0.2288 | 0.1223 | 1.855 | 1780 | ||
ZnTe | No, ne | 9.92 | 0.42530 | 0.37766 | 2.63580 | 56.5 | - | n2= A+B/(λ2-C2) +D/(λ2/E2-1) |
可以根據(jù)客戶(hù)要求提供的其它晶體有： CdSe, CdS, CdZnTe, CdTe, ZnSe, ZnS
ZnTe/碲化鋅:
碲化鋅晶體在<110>方向被用于通過(guò)光整流過(guò)程來(lái)產(chǎn)生太赫茲。光整流效應(yīng)是晶體的二階非線性光學(xué)效應(yīng)，也是一種特殊的差頻效應(yīng)。對(duì)于有一定帶寬的飛秒激光脈沖，不同的頻率分相互作用產(chǎn)生從0到幾太赫茲的帶寬。太赫茲脈沖的整流是通過(guò)碲化鋅晶體另一個(gè)<110>方向內(nèi)自由空間電光整流產(chǎn)生的。太赫茲脈沖和可見(jiàn)光脈沖在碲化鋅晶體內(nèi)直線傳播時(shí)，太赫茲脈沖在碲化鋅晶體內(nèi)產(chǎn)生雙折射，這一現(xiàn)象被線偏振可見(jiàn)光脈沖讀出。當(dāng)可見(jiàn)光脈沖和太赫茲脈沖同時(shí)在同一晶體內(nèi)傳播時(shí)，可見(jiàn)偏振光在太赫茲脈沖作用下產(chǎn)生旋光，用一個(gè)λ/4波片和一個(gè)分束偏振器以及一組平衡光電二極管，通過(guò)監(jiān)控可見(jiàn)光脈沖從碲化鋅晶體出射后的偏振旋轉(zhuǎn)相對(duì)于太赫茲脈沖的一組延遲時(shí)間，就可以監(jiān)測(cè)太赫茲脈沖的振幅軌跡。能夠讀出完整的電場(chǎng)、振幅和延遲，是時(shí)域太赫茲光譜的魅力之一。
碲化鋅也被用于紅外光學(xué)元件基板和真空沉積。我們可提供尺寸為?40x30 mm的光學(xué)元件。
注意： 碲化鋅含有微氣泡，這并不影太赫茲的產(chǎn)生，然而，它們?cè)诰w被照明時(shí)的投影下是可見(jiàn)的。我們不接受關(guān)于晶體內(nèi)有氣泡的投訴。
如何訂購(gòu)：ZnGeP2 (ZGP) Crystals
貨號(hào) | Size, mm | θ | φ | 鍍膜 | 標(biāo)注 | 交貨期 |
TL-ZP-401 | 7x5x15 mm | 54° | 0° | AR@2.1µm+BBAR@3.5-5µm | OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm | 3周 |
TL-ZP-402 | 7x5x20 mm | 54° | 0° | AR@2.1µm+BBAR@3.5-5µm | OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm | 3周 |
TL-ZP-403 | 7x5x25 mm | 54° | 0° | AR@2.1µm+BBAR@3.5-5µm | OPO @ 2.1-> 3.5-5 µm | 6周 |
AgGaS2 (AGS) Crystals
貨號(hào) | Size, mm | θ | φ | 鍍膜 | 標(biāo)注 | 含稅單價(jià) | 交貨期 |
TAGS-401H | 5x5x1 mm | 39° | 45° | BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm | DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1 | 9800 元 | 1周 |
TAGS-402H | 6x6x2 mm | 50° | 0° | BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm | DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 2 | 16450元 | 聯(lián)系我們 |
TAGS-403H | 5x5x0.4 mm | 34° | 45° | BBAR/BBAR @ 3-6 / 1.5-3 μm | SHG @ 3-6 μm, Type 1 | 12300元 | 1周 |
TAGS-801H | 8x8x0.4 mm | 39° | 45° | BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm | DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1 | 26800元 | 1周 |
TAGS-802H | 8x8x1 mm | 39° | 45° | BBAR/BBAR @ 1.1-2.6 / 2.6-11 μm | DFG @ 1.2-2.4 μm -> 2.4-11 μm, Type 1 | 23490元 | 1周 |
AgGaS2 crystals are provided mounted into 25.4 mm diameter ring holder.
關(guān)于質(zhì)量控制實(shí)驗(yàn)室:
Terahertzlabs光學(xué)的質(zhì)量控制實(shí)驗(yàn)室通過(guò)使用高度專(zhuān)業(yè)化的設(shè)備和工藝，能夠?yàn)榭蛻?hù)提供高質(zhì)量的精密光學(xué)元件。質(zhì)量控制實(shí)驗(yàn)室配備了防振光學(xué)平臺(tái)、層流罩和超聲波清洗機(jī)，此外還配備了一系列高精度的測(cè)量設(shè)備來(lái)進(jìn)行各種各樣的測(cè)試。
光學(xué)測(cè)試:
1, Genesys-2 分光光度計(jì)：用于200-1100 nm波段透過(guò)率的精密測(cè)量；
2, EKSPLA laser spectrophotometer – 用于210-2300 nm波段透過(guò)率和反射率的精密測(cè)量，激光光 束直徑<1 mm；
3, ESDI Intellium Z100 Fizeau Interferometer – 用633 nm波長(zhǎng)測(cè)量面形和透過(guò)波前畸變的計(jì)算機(jī)控制科學(xué)干涉儀，標(biāo)準(zhǔn)具精度lambda/20；
4,EKSPLA NL220 laser - Nd:YAG激光器，工作波長(zhǎng)1064、532、355和266 nm，用于晶體角切精度測(cè)量、晶體效率和方向性測(cè)試；
5,Moeller-Wedel Optical Elcomat vario140/40 Autocollimator；
6,G-5 Ganiometers – 用于測(cè)量棱鏡和楔角片角度，以及平面光學(xué)元件
的平行度和塔差；
7, Nikon Microscopes - 56-400倍放大顯微鏡，帶CCD相機(jī)，用于表面質(zhì)
量檢測(cè)；
8,Trioptics Super-Spherotronic HR Spherometer；
實(shí)驗(yàn)室能力:
光學(xué)實(shí)驗(yàn)室具有如下能力：
1,光學(xué)和幾何參數(shù)測(cè)量，如焦距、折射率、曲率半徑、角度和塔差，用于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換（二、三次倍頻）的光軸方向測(cè)量；
2,表面質(zhì)量測(cè)量，按照MIL、ISO或DIN標(biāo)準(zhǔn)；
3, 平面度測(cè)量：波前畸變（反射和透過(guò)光束）；
4, 棱鏡和楔角片角度測(cè)量，平面元件的平行度測(cè)量；
5,材 料 和 薄 膜 鍍 膜 光 譜 測(cè) 量 ， 和 /或 角 反 射 和 透 過(guò) 率 測(cè) 量 （ 2 0 0 -2300 nm）；
6, 用ZEMAX軟件進(jìn)行光學(xué)設(shè)計(jì)。
關(guān)于晶體選擇列表僅供客戶(hù)參考:
A-F系列 | G-H系列 | L-N系列 | P-Z系列 |
Al2O3 | GaTe | LaAlO3 | PbWO4 |
Al | GaN | LiTaO3 | PbF2 |
Au | GaP | LiNbO3 | PbS |
Ag | Ga：ZnO | LiF | PIN-PMN-PT |
AlN 單晶 | GdScO3 | LSAT | PMN-PT |
BaF2 | GaSb | LaF3 | SrTiO3 (國(guó)產(chǎn),進(jìn)口,Ti面終止SrTiO3) |
BaTiO3 | GaAs | LiAlO2 | SrLaAlO4 |
BGO | Graphite(普通；熱解) | LGS 硅酸鎵鑭 | SrLaGaO4 |
BSO | GaSe | LiGaO2 | Si(?超薄Si片) |
Bi2Te3 | GGG (Gd3Ga5O12) | LGT鉭酸鎵鑭 | SiC?(4H,6H,3C) |
Bi2Se3 | Ge | MgAl2O4 | SBN |
Bi2Se2Te | Hg(1-x)Cd(x)Te | MgF2 | SiO2（玻璃和單晶） |
Bi2Te2Se | InP | MgO | Si-Ge |
BP 黑磷 | InAs | MoSe2 | TiO2(銳鈦礦型,金紅石型) |
CdS | InSb | MoS2 | TbScO3 |
CsI (TI) | KH2PO4 | MoTe2 | TGG |
CaCO3 | KTaO3 | MgO:LiNbO3 | TeO2 |
Cu（單晶） | KTa 1-X NbXO3 | NdCaAlO4 | WTe2 |
CdSe | KCl | NaCl | WS2 |
Ce:Lu2SiO5 | KTN | Nb:SrTiO3 （國(guó)產(chǎn)，進(jìn)口） | WSe2 |
CdWO4 | HOPG | NdGaO3 | YAG |
CdZnTe | NaCl | YSZ | |
CdTe | Ni | YAlO3 | |
CeF2 | YVO4 | ||
CaF2 | ZnTe | ||
DyScO3 | ZnSe | ||
Fe:SrTiO3 | ZnO | ||
Fe3O4 | ZnS | ||
Fe2O3 | Zero diffraction plate (Si 和SiO2) |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
會(huì)員.png)
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