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            目錄:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司>>光電探測(cè)器>>InGaAs銦鎵砷光電二極管>> InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

            InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)
            • InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)
            參考價(jià) 面議
            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
            參考價(jià) 面議
            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
            • 品牌 其他品牌
            • 型號(hào)
            • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷(xiāo)商
            • 所在地 上海
            屬性

            $NV_PropertyInfoName.SubString(0,25)

            >

            更新時(shí)間:2024-12-05 21:26:53瀏覽次數(shù):1361評(píng)價(jià)

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            InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

            InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測(cè)的專(zhuān)用器件,可滿(mǎn)足量子通信、弱光探測(cè)等領(lǐng) 域?qū)Ω咝实驮肼晢喂庾訖z測(cè)的技術(shù)需求,實(shí)現(xiàn)對(duì)0.9 ~ 1.7μm波長(zhǎng)的單光子探測(cè)。

            InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

            InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測(cè)的專(zhuān)用器件,可滿(mǎn)足量子通信、弱光探測(cè)等領(lǐng) 域?qū)Ω咝实驮肼晢喂庾訖z測(cè)的技術(shù)需求,實(shí)現(xiàn)對(duì)0.9 ~ 1.7μm波長(zhǎng)的單光子探測(cè)。

            光譜響應(yīng)
            900-1700nm
            響應(yīng)度
            @1550nm 0.85 A/W
            技術(shù)參數(shù)

            線性模式參數(shù)

            產(chǎn)品型號(hào)

            IGA-APD-GM104-R

            參數(shù)

            符號(hào)

            單位

            測(cè)試條件

            最小

            典型

            最大

            反向擊穿電壓

            VBR

            V

            22±3 ID =10μA

            60

            80

            90

            響應(yīng)度

            Re

            A/W

            22±3 ,λ =1550nm ,M =1

            0.8

            0.85


            暗電流

            ID

            nA

            22±3 ,M =10


            0.1

            0.3

            電容

            C

            pF

            22±3 ,M =10, f=1MHz



            0.25

            擊穿電壓溫度 系數(shù)

            η

            V/K

            -40 ~80℃,ID =10μA



            0.15


            蓋革模式參數(shù)


            參數(shù)

            單位

            測(cè)試條件

            最小

            典型

            最大

            單光子探測(cè)效 率PDE

            %

            -45 λ =1550nm, 0.1ph/pulse

            泊松分布單光子源

            20



            暗計(jì)數(shù)率DCR

            kHz

            -45℃ ,1ns門(mén)寬, 2MHz門(mén)控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



             

            20*

            后脈沖概率 APP


            -45℃ ,1ns門(mén)寬, 2MHz門(mén)控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



             

            1× 10-3

            時(shí)間抖動(dòng)Tj

            ps

            -45℃ ,1ns 門(mén) 寬 ,2MHz門(mén)控重頻,PDE=20%



            100

            * 可提供不同等級(jí)規(guī)格產(chǎn)品

            產(chǎn)品特點(diǎn)

            ● 光譜響應(yīng)范圍0.9~1.7μm 

            ● 高探測(cè)效率、低暗計(jì)數(shù)率 

            ● 3 pin TO46

            尺寸規(guī)格

            TO46 (尾纖封裝)

            APD1.png

            產(chǎn)品應(yīng)用

            ● 弱光探測(cè)

            ● 量子保密通信 

            ● 生物醫(yī)療

            InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

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