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            894.6nm, VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器GaAs
            • 894.6nm, VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器GaAs

            貨物所在地:上海上海

            更新時(shí)間:2025-01-23 21:00:07

            瀏覽次數(shù):91

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            894.6nm, VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器GaAs:以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制,不同于LED(發(fā)光二極管)和LD(激光二極管)。結(jié)構(gòu)由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個(gè)發(fā)射鏡分別為P型,N型布拉格發(fā)射器。
            894.6nm, VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器GaAs總覽

            垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡(jiǎn)稱(chēng)VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制,不同于LED(發(fā)光二極管)和LD(激光二極管)。結(jié)構(gòu)由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個(gè)發(fā)射鏡分別為P型,N型布拉格發(fā)射器。有源區(qū)有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作一個(gè)圓形出口,輸出激光。

            894.6nm, VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器GaAs技術(shù)參數(shù)

            應(yīng)用

            原子鐘

            磁力計(jì)

             

            特點(diǎn):

            包裝: 裸片

            芯片工藝: GaAs 垂直腔面發(fā)射激光器

            激光波長(zhǎng): 894.6 nm

            輻射剖面: 單模

            ESD: 250 V acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)

             

            額定值

            Ta = 80°C

             

            參數(shù)

            符號(hào)

             

            操作/焊接溫度

            DC = 100%

            TS

            最小值

            大值

            -20°C

            110°C

            儲(chǔ)存溫度

            Tstg

            最小值

            大值

            -40°C

            125°C

            正向電流(保持單模)

            直流操作;

            DC = 100%; TS = 75°C

            If

            大值

            1.5 mA

            正向電流

            直流操作;

            DC = 100%; TS = 75°C

            If

            大值

            3 mA

            反向電壓

            不適合反向操作

            ESD 耐電壓

            acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)

            VESD

            大值

            250 V

             

            注意:超出大額定值范圍的應(yīng)力可能會(huì)對(duì)設(shè)備造成損壞。

             


              

             特點(diǎn)

            Ta = 80°C, IF = 1.4 mA; DC = 100% - Group 3

             

            參數(shù)

            符號(hào)

             

            正向電流

            VF

            典型值

            1.78 V

            輸出功率

            Φ

            典型值

            0.3 mW

            閾值電流

            Ith

            典型值

            0.61 mA

            斜率效能

            SE

            典型值

            0.37 W / A

            單模抑制比

            SMSR

            最小值

            20 dB

            偏振消光比5)

            PER

            最小值

            15 dB

            峰值波長(zhǎng)

            λpeak-v

            最小值  

            典型值

            大值

            894.1 nm

            894.6 nm

            895.1 nm

            光譜線寬度

            Λlinewidth

            大值

            100   MHz

            調(diào)頻調(diào)制帶寬

            Fm

            最小值

            4.6 GHz

            波長(zhǎng)溫度系數(shù)

            TCλ

            典型值

            0.06 nm / K

            半峰全寬處視場(chǎng)(50% of Φmax)

            φx

            φY

            典型值

            典型值

            12°

            12°

            1/e2處 視場(chǎng)

            φx

            φY

            典型值

            典型值

            20°

            20°

             

            注意:波長(zhǎng),輸出功率根據(jù)操作溫度和電壓的變化而變化。

             

             

             

            相對(duì)光譜發(fā)射 1)

             

             

            輻射特征 1)

             

             

            正向電流 1) 2)

             

            221.png

            光輸出功率 1) 2)

             

            222.png

             

            尺寸圖 3)

             

             

             

             

             

            637705201012097201906.jpg

             

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