SRM2842半導(dǎo)體薄膜標(biāo)準(zhǔn)品(美國NIST)旨在用作測量薄膜成分的分析方法的參考標(biāo)準(zhǔn)，例如電子微探針分析 (EMPA)、光致發(fā)光 (PL)、俄歇電子能譜 (AES) 和 X 射線光電子能譜（XPS）。 SRM 2842 的一個(gè)單元由 AlxGa1-xAs 外延層組成，在安裝的砷化鎵 (GaAs) 襯底上生長經(jīng)過認(rèn)證的 Al 摩爾分?jǐn)?shù) x使用膠帶粘貼到不銹鋼圓盤上。每個(gè)單元都密封在含有氮?dú)鈿夥盏木埘ケ∧ば欧庵?。正確使用 SRM 作為比較標(biāo)準(zhǔn)取決于分析方法（參見“測量條件和程序"和 NIST 特別出版物 260-163 [1]）。

認(rèn)證鋁值：

NIST 認(rèn)證值是 NIST 對(duì)其準(zhǔn)確性有最高置信度的值，因?yàn)?NIST [2] 已調(diào)查或解釋了所有已知或可疑的偏差來源。鋁 (Al) 的認(rèn)證值（以摩爾分?jǐn)?shù)表示）在表 1 中提供。認(rèn)證值基于 Al 摩爾分?jǐn)?shù)與薄膜 PL 光譜中峰強(qiáng)度能量之間已確認(rèn)的相關(guān)性 [3 ,4]。認(rèn)證值的不確定度是擴(kuò)展不確定度 (k = 2)，旨在接近 95% 的置信水平 [5]。對(duì)每個(gè) SRM 單元進(jìn)行了兩次額外的質(zhì)量檢查。一、分子在樣品生長過程中監(jiān)測束外延生長系統(tǒng)。為了作為 SRM 被接受，由每個(gè)單元的反射高能電子衍射的強(qiáng)度振蕩確定的 Al 摩爾分?jǐn)?shù)必須在其擴(kuò)展的不確定性范圍內(nèi)與認(rèn)證值一致。其次，薄膜的自由載流子濃度必須在 1 × 1016 cm-3 和 5 × 1016 cm-3 之間

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表 1. SRM 2842 中鋁的認(rèn)證值（摩爾分?jǐn)?shù)）

鋁：樣品±樣品

證書到期：

SRM2842半導(dǎo)體薄膜標(biāo)準(zhǔn)品(美國NIST) 的認(rèn)證在規(guī)定的測量不確定度范圍內(nèi)有效，有效期至 2031 年 8 月 1 日，前提是按照本證書中給出的說明處理和儲(chǔ)存 SRM（參見“處理、儲(chǔ)存和使用說明"） ）。如果 SRM 損壞、污染或以其他方式修改，則認(rèn)證無效。表面氧化和污染會(huì)因使用和儲(chǔ)存而增加標(biāo)本。對(duì)于對(duì)表面污染敏感的應(yīng)用，SRM 和未知樣品需要就地清潔，通常是光濺射。如果濺射薄膜導(dǎo)致薄膜明顯變粗糙或出現(xiàn)選擇性濺射跡象，則應(yīng)更換 SRM。