另外,采用流式細(xì)胞術(shù)對(duì)細(xì)胞的凋亡情況進(jìn)行分析。通過(guò)檢測(cè)細(xì)胞凋亡相關(guān)標(biāo)志物(如 Annexin V 和碘化丙啶)的表達(dá)水平,確定電轉(zhuǎn)染過(guò)程中細(xì)胞凋亡的比例,從細(xì)胞凋亡的角度評(píng)估電轉(zhuǎn)染條件對(duì)細(xì)胞的損傷程度。
三、結(jié)果與分析
電壓對(duì)電轉(zhuǎn)染效果的影響
隨著電壓的升高,基因編輯效率呈現(xiàn)出先上升后下降的趨勢(shì)。在較低電壓(如 100 - 200 V)時(shí),由于電場(chǎng)強(qiáng)度較弱,不足以促使質(zhì)粒有效地穿過(guò)細(xì)胞膜進(jìn)入細(xì)胞內(nèi),導(dǎo)致基因編輯效率較低。當(dāng)電壓升高到 300 - 400 V 時(shí),基因編輯效率顯著提高,在 350 V 時(shí)達(dá)到峰值,此時(shí)能夠有效地將質(zhì)粒導(dǎo)入細(xì)胞并實(shí)現(xiàn)基因編輯。然而,當(dāng)電壓進(jìn)一步升高超過(guò) 400 V 時(shí),細(xì)胞受到的電場(chǎng)損傷加劇,導(dǎo)致細(xì)胞存活率大幅下降,進(jìn)而影響基因編輯效率。例如,在 100 V 時(shí)基因編輯效率僅為 5% 左右,而在 350 V 時(shí)可達(dá)到 30% 左右,但在 500 V 時(shí)又下降至 10% 以下。
從細(xì)胞存活率來(lái)看,電壓與細(xì)胞存活率呈明顯的負(fù)相關(guān)關(guān)系。在低電壓下,細(xì)胞存活率相對(duì)較高,可維持在 80% - 90%。隨著電壓的升高,細(xì)胞受到的電穿孔損傷逐漸加重,細(xì)胞存活率逐漸降低。在 500 V 時(shí),細(xì)胞存活率可能僅為 30% - 40%。
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