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我們可以了解到干法刻蝕的主要過程。反應(yīng)腔體內(nèi)氣體等離子體中的離子，在反應(yīng)腔體的扁壓作用下，對被刻蝕的表面進(jìn)行轟擊，形成損傷層，從而加速了等離子中的自由活性激團(tuán)在其表面的反應(yīng)，經(jīng)反應(yīng)后產(chǎn)生的反應(yīng)生成物，一部分被分子泵從腔體排氣口排出，一部分則在刻蝕的側(cè)壁上形成淀積層。干法刻蝕就是在自由活性激團(tuán)與表面反應(yīng)和反應(yīng)生成物不斷淀積的過程中完成的。離子轟擊體現(xiàn)了干法刻蝕的異方性，而由于側(cè)壁的淀積，則很好的抑制了自由活性激團(tuán)反應(yīng)時，等方性作用對側(cè)壁的刻蝕[3]。正因為干法刻蝕這一物理反應(yīng)和化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合的du特方式，在異方性和等方性的相互作用下，可以精確的控制圖形的尺寸和形狀，體現(xiàn)出濕法刻蝕的you越性，成為亞微米圖形刻蝕的主要工藝技術(shù)之一。 隨著微細(xì)化加工的深入發(fā)展，干法刻蝕工藝技術(shù)已貫穿了整個制品流程，參與到了各個關(guān)鍵的工藝工序中。從器件隔離區(qū)、器件柵極、LDD側(cè)壁保護(hù)、接觸孔與通孔、孔塞、上下部配線的形成，到金屬鈍化以及光刻膠的剝離與底部損傷層的修復(fù)，均涉及了干法刻蝕技術(shù)。
