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CFRP管是由碳纖維增強(qiáng)塑料（CFRP）制成的圓柱形管道。CFRP是纖維增強(qiáng)塑料的縮寫。該樹脂采用碳纖維增強(qiáng)，具有較高的比強(qiáng)度和非彈性模量。因此，碳纖維增強(qiáng)塑料被用于航天開發(fā)和飛機(jī)部件。其他類型的增強(qiáng)塑料包括FRP（纖維增強(qiáng)塑料）和GFRP（玻璃纖維增強(qiáng)塑料），但它們的物理性能因碳纖維成分和含量的不同而異。玻璃鋼FRP是在低模量的塑料中添加高模量的玻璃纖維來提高強(qiáng)度的復(fù)合材料。玻璃鋼GFRP是一種由玻璃纖維制成的復(fù)合材料，使用乙烯基酯和環(huán)氧樹脂等樹脂硬化。它的售價比其他增強(qiáng)塑料要低。碳纖維增強(qiáng)塑
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介電彈性體是一種當(dāng)施加高電場時材料會承受顯著應(yīng)變并改變形狀的彈性體。彈性體是一個由“彈性”和“聚合物”兩個詞組合而成的新詞。它是指具有彈性的聚合物，橡膠就是一個典型的例子。介電彈性體是將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械動能的彈性體。一般來說，該材料必須具有高介電常數(shù)且相對柔軟，并且正在研究和開發(fā)以利用其特性功能將其投入實際應(yīng)用。介電彈性體的應(yīng)用介電彈性體正處于研發(fā)階段。未來應(yīng)用的例子包括各種致動器，例如人造肌肉。目前實際使用的執(zhí)行機(jī)構(gòu)大多是伺服電機(jī)式或液壓式，其轉(zhuǎn)換效率有限。為了實現(xiàn)考慮環(huán)境問題的脫碳社會，工業(yè)界
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離型膜是頂部涂有離型劑的薄膜。主要使用的材料包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯(PP)和聚氯乙烯(PVC)，這是一種附著在信封粘合部分上的薄膜，在關(guān)閉信封時將其除去。脫模膜所用的脫模劑一般是一種化學(xué)物質(zhì)，在樹脂制品的制造過程中，預(yù)先涂在模具表面，使制品更容易從模具上脫模。脫模劑有不同種類，有氟類脫模劑、有機(jī)硅類脫模劑、油類脫模劑、水性脫模劑、粉狀脫模劑等，根據(jù)脫模劑的種類而使用目標(biāo)材料和環(huán)境。離型膜的應(yīng)用與脫模劑類似，在使用模具制造樹脂產(chǎn)品時使用脫模膜，將其插入模具和樹脂之間，以便成型后
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可熔酚醛樹脂是酚醛樹脂的一種。由苯酚和甲醛在堿催化劑作用下反應(yīng)固化而得。還有一種樹脂稱為酚醛清漆，甲階酚醛樹脂使用堿性催化劑，而酚醛清漆樹脂使用酸性催化劑進(jìn)行反應(yīng)。此外，酚醛清漆是熱塑性樹脂，而甲階酚醛樹脂是熱固性樹脂，加熱時會交聯(lián)并硬化?？扇鄯尤渲膽?yīng)用目前，甲階酚醛樹脂很少被模制成單個制品。一般加工成顆粒狀并用作建筑材料。具體例子包括隔音/隔熱材料、墻壁/天花板、地板材料和建筑涂料。使用甲階酚醛樹脂的關(guān)鍵點在于其耐熱性和高阻燃性。另外，它與多種基材兼容，因此常常與其他基材結(jié)合使用，以發(fā)揮各
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閃存編程器是一種寫入閃存的設(shè)備。這是一種專門針對閃存的設(shè)備編程器（ROM編寫器）。有時稱為閃存ROM寫入器。閃存編程器有兩種類型：一種連接到計算機(jī)并向閃存寫入數(shù)據(jù)，另一種將計算機(jī)上創(chuàng)建的寫入文件保存到閃存編程器并獨立寫入。另外，根據(jù)寫入方式的不同，有多種類型，包括支持onboard和offboard的型號。閃存編程器主要用于生產(chǎn)，但也用于軟件開發(fā)和最終產(chǎn)品的現(xiàn)場維護(hù)。flash編程器的使用閃存是一種集成到各種工業(yè)和工業(yè)設(shè)備中用于存儲控制程序和數(shù)據(jù)的設(shè)備。閃存有兩種類型：NOR型和NAND型，主要
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器件編程器是一種可以在各種類型的半導(dǎo)體存儲器（ROM）和可編程器件上讀取、寫入和擦除數(shù)據(jù)的設(shè)備。另一個名字是ROM寫入器?？梢允褂闷骷幊唐鬟M(jìn)行編程的器件包括閃存（NOR、NAND等）、串行閃存、閃存微控制器、邏輯器件等。還有支持eMMC內(nèi)存和UFS內(nèi)存的設(shè)備。如何使用設(shè)備編程器設(shè)備編程器主要用于將開發(fā)的數(shù)據(jù)寫入存儲介質(zhì)（ROM）。雖然它用于個人開發(fā)，但在工業(yè)應(yīng)用中也廣泛使用。它還可用于合并到自動化系統(tǒng)中并在很長一段時間內(nèi)執(zhí)行大量寫入。另外，如果燒寫量不大，可以使用外部ROM燒寫服務(wù)將燒寫工作外
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鐵電存儲器（FeRAM）是一種可讀寫的半導(dǎo)體存儲器（RAM：隨機(jī)存取存儲器）。它通過施加電壓使鐵電電容器極化，并沿殘余極化存儲器的方向存儲數(shù)據(jù)。當(dāng)電源關(guān)閉時會丟失其內(nèi)容的存儲器稱為易失性存儲器，而不會丟失其內(nèi)容的存儲器稱為非易失性存儲器。RAM的主要類型是SRAM（統(tǒng)計RAM）和DRAM（動態(tài)RAM），都是易失性存儲器，但鐵電存儲器是非易失性存儲器。鐵電存儲器的應(yīng)用鐵電存儲器是一種非易失性存儲器，具有高速運行、低功耗、高重寫次數(shù)的特點，非常適合實時頻繁重寫數(shù)據(jù)的應(yīng)用。因此，作為獨立的存儲芯片，它
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DRAM是一種使用半導(dǎo)體元件的易失性存儲設(shè)備（存儲器）。動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的縮寫，主要安裝在計算機(jī)中。由于內(nèi)部電路具有非常簡單的結(jié)構(gòu)，具有用于存儲電荷的電容器和FET（場效應(yīng)晶體管），因此由于FET半導(dǎo)體工藝的小型化，其具有低存儲容量單元的特點，因此適合大規(guī)模集成。與其他存儲介質(zhì)相比的價格。DRAM的使用DRAM的主要用途是在計算機(jī)中。存儲器部分采用電容器和FET（場效應(yīng)晶體管），結(jié)構(gòu)簡單，存儲器容量的單價較低，適合用于需要廉價、大容量存儲器的計算機(jī)和工業(yè)機(jī)械控制設(shè)備。正在由于DRAM的結(jié)構(gòu)是利
