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    預(yù)計半導(dǎo)體用超高純度鹽酸試劑和硫酸中存在的鍺雜質(zhì)的含量在50ppt（pg/gr）以下，單從含量來考慮可直接用ICP-MS檢測，但98%的硫酸粘度為27cP，未經(jīng)稀釋直接引入ICP-MS會存在物理干擾，必須稀釋10倍以上后再進(jìn)行分析。 同時，36% 水溶液狀態(tài)的鹽酸未經(jīng)稀釋直接分析也存在物理干擾，無法利用外標(biāo)法（External Calibration）定量，建議使用標(biāo)準(zhǔn)加入法（StandardAddition）定量或稀釋5倍后再分析。因此， 為了運用外標(biāo)法直接檢測鍺（Ge），實際上需要可穩(wěn)定檢測5ppt 以下鍺的高靈敏度ICP-MS。利用ICP-MS分析系統(tǒng)分析鹽酸和硫酸介質(zhì)中的鍺（Ge，70，72，74）時，鹽酸中的氯（Chorine，Cl）和硫酸中的硫（Sulfur，S）會產(chǎn)生干擾,大大增加了這一檢測的難度。

 

    本應(yīng)用的目標(biāo)是利用NexION 2000S ICP-MS系統(tǒng)，了解檢測半導(dǎo)體清洗工藝中廣泛應(yīng)用于去除硅晶片表面的金屬雜質(zhì)和高分子有機(jī)污染物的高純度鹽酸（HCI）和硫 酸（H₂SO₄）中所含超痕量鍺（Germanium）的能力。專門應(yīng)用于半導(dǎo)體高純度工藝分析的NexION 2000S 可采用具有 NH3-DRC（動態(tài)反應(yīng)池）功能的氨質(zhì)量轉(zhuǎn)移（M+ + NH3 → M-NH3+ ）技術(shù)，通過該技術(shù)排除鹽酸和硫酸引起的干擾，成功地檢測出5ppt以下的鍺（Ge）。