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            FT-IR自動(dòng)分析系統(tǒng)測量硅晶圓中的元素雜質(zhì)

            閱讀:232      發(fā)布時(shí)間:2025-3-10
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            引言 隨著半導(dǎo)體需求的增加,特別是消費(fèi)電 子產(chǎn)品、汽車以及日益增長的太陽能發(fā) 電行業(yè)中硅器件的使用,硅晶圓的產(chǎn)量 預(yù)計(jì)在未來幾年將出現(xiàn)高速增長。 硅晶圓的生產(chǎn)目前采用了多種工藝,最常見的兩種是 Float ZoneFZ)和 Czochralski CZ)工藝。FZ 工藝可以生產(chǎn)高純度硅晶圓,而 CZ 工藝生產(chǎn)的晶圓相對來說含有更多 的元素雜質(zhì)(特別是碳和氧)。然而,與 FZ 工藝相比,CZ 工藝具有一些重要優(yōu)勢,如更 好的熱應(yīng)力特性、制造速度更快、成本更低等。此外,氧雜質(zhì)的存在有一個(gè)好處,可起 到吸氣劑的作用,可以去除微量金屬雜質(zhì)。因此,在硅晶圓制造行業(yè)中,CZ 工藝的使用 范圍廣。 我們需要測定硅晶圓中的碳和氧雜質(zhì)水平,避免雜質(zhì)水平過高,導(dǎo)致電活性缺陷和產(chǎn)品 故障/報(bào)廢。根據(jù)全球標(biāo)準(zhǔn)方法,紅外光譜提供了快速和簡易的測量方法,用于測定這些 雜質(zhì)水平 1,2,3,4。


            材料和方法 測量系統(tǒng)由配備 MappIR 晶圓支架以及安裝有自動(dòng)化 軟件的 PerkinElmer Spectrum 3™ FT-IR 紅外光譜儀組成, 如圖 1 所示。

            1.png


            該系統(tǒng)能夠在透射或反射模式下分析從 2 英寸到 8 英寸 MappIR)或 12 英寸(Mapp300)尺寸范圍的晶圓。 自動(dòng)化軟件可實(shí)現(xiàn)在無人值守情況下自動(dòng)繪制晶圓圖 譜,根據(jù)預(yù)先設(shè)置或用戶定義的圖譜繪制安排,采集整 個(gè)晶圓的光譜。數(shù)據(jù)采集完成后,根據(jù)規(guī)定的分析方法 進(jìn)行計(jì)算。 在透射模式下采集直徑為 6 英寸的硅晶圓光譜,光譜分 辨率為 4 cm-1,使用 32 次掃描進(jìn)行數(shù)據(jù)采集。Spectrum  3 MappIR 使用干燥氮?dú)膺B續(xù)吹掃,以從光譜中去除 大氣光譜干擾。 500 微米厚 Float Zone 工藝硅晶圓的光譜如圖 2 所示。

            2.png

            紅外光譜顯示在 1500 cm-1 以下存在多個(gè)硅晶格振動(dòng)的 吸收帶。圖 3 顯示了相同的 FZ 晶圓和 CZ 晶圓在 1500  cm-1 以下光譜范圍放大的疊加光譜圖。

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            從光譜可以看出,兩個(gè)晶圓的光譜之間存在差異,特別是 CZ 光譜中 1100cm-1 附近的吸收峰。為了更清楚地查看光譜差異 并對光譜進(jìn)行計(jì)算,標(biāo)準(zhǔn)方法規(guī)定從待分析的 CZ 工藝樣品中 扣減高純度 FZ 參考晶圓的光譜。這將生成如圖 4 所示的光譜 圖。

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            1107 513 cm-1 處的譜帶是由于存在間隙氧,而 605 cm-1 的譜帶則是由于存在替代碳。這些譜帶允許對光譜進(jìn)行定量分 析。具有不同氧濃度范圍的晶圓光譜如圖 5 所示。 此計(jì)算方法允許使用一系列校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)品做線性回歸或使用標(biāo) 準(zhǔn)校準(zhǔn)因子。以前可從 NIST 機(jī)構(gòu)獲取硅晶圓中的氧標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì) 用于校準(zhǔn)工作,由于 NIST 已不銷售此系列標(biāo)樣,此方法已不 再可行,因此絕大多數(shù)分析都直接使用標(biāo)準(zhǔn)校準(zhǔn)因子。

            可以清楚地看到,在不同測量中,氧的峰具有不同強(qiáng)度。計(jì) 算每個(gè)點(diǎn)的氧和碳濃度,如表 2 所示。

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            結(jié)果顯示,氧在整個(gè)晶圓上存在顯著變化,而碳的測量結(jié)果 更加一致。理想的晶圓應(yīng)當(dāng)在整個(gè)晶圓上具有一致的測量結(jié) 果,以避免在晶圓被切割成較小的單片時(shí)出現(xiàn)不一致。


            摘要 配備 MappIR 晶圓分析系統(tǒng)的珀金埃爾默 Spectrum 3 證明 能夠測量硅晶圓中存在的雜質(zhì)水平,這是一個(gè)對晶圓性能非 常重要的參數(shù)??梢酝ㄟ^使用軟件中的“宏程序"實(shí)現(xiàn)自動(dòng) 化數(shù)據(jù)采集和計(jì)算,計(jì)算方法可以根據(jù)監(jiān)管實(shí)體要求的方法 進(jìn)行定制。還可以執(zhí)行其他半導(dǎo)體應(yīng)用,如涂層、電介質(zhì)以 及外延膜的測量。 Spectrum 3 還可用于半導(dǎo)體行業(yè)中的原材料鑒定,并可整合 Spotlight FT-IR 顯微鏡用于缺陷分析

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