對Fab工廠而言，控制晶圓、電子化學品、電子特氣和靶材等原材料中的無機元素雜質含量至關重要，即便是超痕量的雜質都有可能造成器件缺陷。

然而半導體雜質含量通常在ppt級，ICP-MS分析時用到的氬氣及樣品基體都很容易產生多原子離子干擾，標準模式、碰撞模式下很難在高本底干擾的情況下分析痕量的目標元素。

珀金埃爾默NexION系列半導體ICP-MS，憑借其*的以動態(tài)反應池技術為基礎的UCT（通用池）技術，既能實現(xiàn)標準模式、碰撞模式，也可以通過反應模式消除干擾，從根本上成功解決了多原子干擾的技術難題。

晶圓中的金屬雜質分析(UCT-ICP-MS)

晶圓等半導體材料中的主要成分是硅。高硅基體的樣品在傳統(tǒng)的冷等離子體條件下分析，其中的耐高溫元素硅極易形成氧化物。這些氧化物沉積在錐口表面后，會造成明顯的信號漂移。NexION系列半導體ICP-MS在高硅基體的樣品分析中采用強勁的高溫等離子體，大大降低了信號漂移。通過通入純氨氣作為反應氣，在DRC 模式下，有效消除了40Ar+ 對40Ca+、40Ar19F+ 對59Co+、40Ar16O+ 對56Fe+ 等的干擾。通過調節(jié)動態(tài)帶通調諧參數(shù)消除不希望生成的反應副產物，克服了過去冷等離子體的局限，有效去除多原子離子的干擾。在實際檢測中實現(xiàn)了10 ng/L 等級的定量，同時表現(xiàn)出良好的長期穩(wěn)定性。

基質耐受性：Si 基質濃度為100ppm 到5000ppm 樣品100ppt 加標回收

穩(wěn)定性：連續(xù)進樣分析多元素加標濃度為100ppt 的硅樣品溶液（硅濃度為2000ppm）

《NexION 300S ICP-MS 測定硅晶片中的雜質》

NexION ICP-MS 測定半導體級鹽酸中的金屬雜質

在半導體設備的生產過程中，許多流程中都要用到各種酸類試劑。其中重要的是鹽酸（HCl），其主要用途是與過氧化氫和水配制成混合物用來清潔硅晶片的表面。由于半導體設備尺寸不斷縮小，其生產中使用的試劑純度變得越來越重要。

ICP-MS具備測定納克/升（ng/L，ppt）甚至更低濃度元素含量的能力，是適合測量痕量及超痕量金屬的技術。然而，常規(guī)的測定條件下，氬、氧、氫離子會與酸基體相結合，對待測元素產生多原子離子干擾。如，對V+(51) 進行檢測時去除 ClO+ 的干擾。雖然在常規(guī)條件下氨氣與ClO+ 的反應很迅速，但如果需要使反應*、干擾被去除干凈，則需要在通用池內使用100% 純氨氣。NexION系列半導體ICP-MS的通用池為四級桿，具備可控的質量篩選功能，可以調節(jié)RPq 參數(shù)以控制化學反應，防止形成新的干擾，有效應對使用高活性反應氣體的應用。

20% HCl 中各元素的檢出限、背景等效濃度、10 ng/L 的加標回收率

20% HCl 中典型元素ppt 水平標準曲線

20% HCl 中加標50 ng/L 待測元素，連續(xù)分析10 小時的穩(wěn)定性