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化學氣相沉積是反應物質在氣態(tài)條件下發(fā)生化學反應，生成固態(tài)物質沉積在加熱的固態(tài)基體表面，進而制得固體材料的工藝技術。它本質上屬于原子范疇的氣態(tài)傳質過程。
常用的化學氣相沉積法有常壓化學氣相沉積法(Atmospheric-pressure CVD，APCVD)、低壓化學氣相沉積法(Low-pressure CVD，LPCVD)和等離子增強化學氣相沉積法(Plasma-enhanced CVD，PECVD)，而這三種化學氣相沉積法的均有各自的優(yōu)、缺點及應用的地方。
常用的化學氣相沉積法有常壓化學氣相沉積法(Atmospheric-pressure CVD，APCVD)、低壓化學氣相沉積法(Low-pressure CVD，LPCVD)和等離子增強化學氣相沉積法(Plasma-enhanced CVD，PECVD)，而這三種化學氣相沉積法的均有各自的優(yōu)、缺點及應用的地方。
化學氣相沉積主要應用于兩大方向：
1、制備涂(鍍)層，改善和提高材料或零件的表面性能(提高或改善材料或部件的抗氧化、耐磨、耐蝕以及某些電學、光學和摩擦學性能)。
2、開發(fā)新型結構材料或功能材料(制備纖維增強陶瓷基復合材料、C/C復合材料等；制備納米材料；制備難熔材料的粉末、晶須、纖維(SiCf，Bf)；制備功能材料)。
目前CVD技術在保護膜層、微電子技術、太陽能利用、光纖通信、超導技術、制備新材料等許多方面得到廣泛的應用。隨著工業(yè)生產(chǎn)要求的不斷提高，CVD的工藝及設備得到不斷改進，不僅啟用了各種新型的加熱源，還充分利用等離子體、激光、電子束等輔助方法降低了反應溫度，使其應用的范圍更加廣闊。CVD今后應該朝著減少有害生成物，提高工業(yè)化生產(chǎn)規(guī)模的方向發(fā)展。此外，使CVD的沉積溫度更加低溫化，對CVD過程更精確地控制，開發(fā)厚膜沉積技術、新型膜層材料以及新材料合成技術，將會成為今后研究的主要課題。
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