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            通過XPS和REELS評(píng)估DLC薄膜中的sp2/sp3碳含量

            來源:愛發(fā)科費(fèi)恩斯(南京)儀器有限公司   2022年09月07日 10:10  

            DLC概述

            DLC(Diamond Like Carbon,類金剛石)是一種含有金剛石結(jié)構(gòu)(sp3鍵)和石墨結(jié)構(gòu)(sp2鍵)的亞穩(wěn)非晶態(tài)物質(zhì),具有以sp3鍵碳共價(jià)結(jié)合為主體并混合有sp2鍵碳的長(zhǎng)程無序立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。DLC材料作為21世紀(jì)戰(zhàn)略新材料之一,因具備質(zhì)量穩(wěn)定(化學(xué)惰性),硬度高,耐磨、耐腐蝕性好,摩擦系數(shù)低,與基體結(jié)合力強(qiáng)以及生物相容性好等優(yōu)良性能,被廣泛應(yīng)用于機(jī)械、汽車、光學(xué)、醫(yī)療、包裝印刷和電子材料等領(lǐng)域。研究表明,DLC膜的性質(zhì)主要由sp2和sp3鍵的相對(duì)含量所決定。但由于sp3鍵的含量變化范圍廣,在不同工藝條件下制備的DLC膜的性能也有所不同。因此,表征DLC膜中碳原子的雜化和成鍵方式對(duì)研究其改性和制備工藝的改良極其重要。


            X射線光電子能譜儀(XPS)擁有高表面靈敏(<10 nm)和高空間分辨(<10 um)的元素組分、元素含量以及化學(xué)態(tài)解析能力,結(jié)合離子束剝離技術(shù)和變角度XPS技術(shù),還可以對(duì)膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行深度分析。此外,利用反射式電子能量損失譜(REELS),能夠獲得碳原子的雜化與成鍵方式。因此,結(jié)合XPS和REELS就能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)DLC薄膜中sp2/sp3碳含量的全面表征。


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            DLC應(yīng)用領(lǐng)域


            REELS基本原理

                電子能量損失譜學(xué)是研究材料性質(zhì)的重要手段,它通過分析電子束與材料相互作用過后的非彈性散射電子的能量損失分布,獲取材料的本征信息。其原理是利用已知?jiǎng)幽艿碾娮邮Z擊材料,入射電子經(jīng)歷和材料原子的非彈性碰撞,而發(fā)生角度偏轉(zhuǎn)與能量交換,能量交換過程來源于對(duì)材料的電子態(tài)激發(fā),它因而包含了材料的能帶結(jié)構(gòu)信息。REELS是反射式電子能量損失譜,利用特定能量的電子束為激發(fā)源,與樣品發(fā)生非彈性碰撞后測(cè)量其反射電子的能量分布。這種能量分布包含由于激發(fā)原子態(tài)、芯能級(jí)和價(jià)帶躍遷、材料帶隙等引起的離散能量損失特征。因此,利用REELS可以進(jìn)行表面電子態(tài)、化學(xué)態(tài)分析,半導(dǎo)體帶隙的測(cè)量,碳sp2/sp3雜化的鑒定,H的半定量分析等。

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            REELS原理的示意圖



            應(yīng)用

            根據(jù)在2005年德國(guó)工程師學(xué)會(huì)上制定的“碳涂層”標(biāo)準(zhǔn),可將DLC薄膜分為不同的種類。若已知薄膜中的碳sp2、sp3雜化鍵的比例以及氫含量,即可獲得不同性能特征的DLC薄膜,并根據(jù)三元相圖確定樣品所對(duì)應(yīng)的DLC膜的種類(如下圖所示)。

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            sp3、sp2和H成分組成的DLC三元相圖(t=tetrahedral四面體,

            a=amorphous無定型, C=carbon碳, H=hydrogenated氫化)


            結(jié)合XPS和REELS可以獲得樣品中sp2、sp3雜化碳的信息,從而判斷出DLC薄膜的種類。下圖(左)展示了, XPS對(duì)不同工藝下制備的DLC薄膜的定性和定量分析結(jié)果:結(jié)合能在284.5±0.2 eV和285.5±0.2 eV的特征峰分別歸因于sp2碳和sp3碳,并獲得了不同樣品中sp2/sp3碳的比值。


            為進(jìn)一步鑒定樣品中碳的sp2/sp3雜化,對(duì)樣品進(jìn)行了原位REELS表征,結(jié)果見下圖(右)。C 1s core-loss采譜的能量范圍為E=280-320 eV。譜圖主要存在兩個(gè)特征峰:~285 eV處代表了1s→π*躍遷峰;~292 eV處出現(xiàn)的是1s→σ*躍遷峰。REELS結(jié)果表明在Graphite、a-C、a-C:H和ta-C樣品中都存在較強(qiáng)的π和π+σ等離子體損失峰。π等離子體峰寬度較小,π+σ等離子體峰展寬較大,π-等離激元的強(qiáng)度與不飽和鍵的數(shù)量有關(guān),且晶體中的激發(fā)過程比非晶態(tài)的激發(fā)過程復(fù)雜得多。總之,REELS證明了樣品中sp2、sp3雜化碳的存在,且二者在不同碳材料中的比例各不相同。


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            不同類型碳材料的XPS(左)和REELS(右)譜圖結(jié)果:

            a-C(無氫類金剛石碳膜);a-C:H(氫化類金剛石碳膜);

             ta-C(四面體非晶碳); Diamond (金剛石);Graphite (石墨)




            結(jié)論

            PHI VersaProbe系列XPS可搭載REELS分析裝置,利用XPS評(píng)估DLC薄膜中sp2/sp3的比例,并借助REELS進(jìn)一步鑒定碳的sp2和sp3雜化,二者相輔相成??偠灾Y(jié)合XPS和REELS可實(shí)現(xiàn)對(duì)碳材料樣品的原位表征,快速評(píng)估DLC薄膜樣品的性能,以輔助科研人員深入研究DLC薄膜。




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