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            產(chǎn)品推薦:氣相|液相|光譜|質(zhì)譜|電化學(xué)|元素分析|水分測(cè)定儀|樣品前處理|試驗(yàn)機(jī)|培養(yǎng)箱


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            850nm單模光纖耦合VCSEL激光二極管 產(chǎn)品介紹

            來(lái)源:筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司   2022年09月19日 11:30  

            PL-VCSEL-1-A81 850nm VCSEL 是一款垂直發(fā)射 MOVPE 生長(zhǎng)的 GaAsP/AlGaAs 單模二極管激光器。 波長(zhǎng)調(diào)諧可以通過(guò)激光電流和溫度調(diào)諧來(lái)實(shí)現(xiàn)。內(nèi)置TEC和熱敏電阻。我們的 850 nm 單模 VCSEL 專為高速、高性能通信應(yīng)用而設(shè)計(jì)。

            中心波長(zhǎng)
            850nm
            通用參數(shù)

            產(chǎn)品特點(diǎn):

            電學(xué)和光學(xué)特性對(duì)溫度的依賴性較低

            垂直腔面發(fā)射激光器

            內(nèi)部TEC和熱敏電阻,ESD保護(hù)

            窄線寬

            2nm可調(diào)諧

             

            產(chǎn)品應(yīng)用:

            長(zhǎng)途電話接入網(wǎng)

            局域網(wǎng)

            以太網(wǎng)


            光電參數(shù) 條件:TO P = 20°C, IO P = 10.0 mA除非另有說(shuō)明(TO P=芯片背面溫度,由TEC控制)

             

            參數(shù)

            符號(hào)

            最小

            典型

            最大

            單位

            備注

            工作波長(zhǎng)

            λR

            850nm

            閾值電流

            ITH


            1


            mA


            輸出功率

            Popt

            0.5

            1


            mW


            閾值電壓

            UTH


            1.8


            V


            工作電流

            IOP


            3


            mA

            Popt =   0.5mW

            工作電壓

            UOP


            3


            V

            Popt =   0.5 mW

            光電轉(zhuǎn)換率

            ηWP


            12


            %

            Popt =   0.5 mW

            斜率效能

            ηS


            0.3


            W/A


            上升和下降時(shí)間

            Tr     /Tf


            90/120


            Psec


            微分串聯(lián)電阻

            RS


            100

            200

            Ω

            Popt =   0.5 mW

            3dB   調(diào)制帶寬

            ν3dB

            0.10

            2.5


            GHz

            Popt =   0.5 mW

            Due   to   ESD protection diode

            相對(duì)噪聲強(qiáng)度

            RIN


            -130

            -120

            dB/Hz

            Popt =   0.3 mW @ 1   GHz

            波長(zhǎng)電流調(diào)諧系數(shù)



            0.6


            nm/mA


            波長(zhǎng)溫度調(diào)諧系數(shù)



            0.06


            nm/K


            熱敏電阻(VCSEL chip)

            Rthermal

            3


            5

            K/mW


            邊模抑制比(SMSR)


            35



            dB

            I   = 2 mA

            光束發(fā)散角

            θ

            10


            25

            °

            Popt =   0.5mW, full width 1/e2

            光譜寬度



            100


            MHz

            Popt =   0.5 mW

             

            Tec 特性

            單位

            最小

            典型

            最大

            備注

            Tec 電流

            mA

            -150(Heating)


            +300(Cooling)

            Proper   Heart Sink Required

            NTC 熱敏電阻

            9.5

            10.0

            10.5

            T=25℃@10 KΩ

            NTC 熱敏電阻

            10/exp{3892-(1/289K-I/TOP)}

             

             

            光譜圖





            L-I 曲線(T@25°C)




            溫度/波長(zhǎng)調(diào)諧曲線@TEC電流




            激光光斑圖(2D/3D)



            光束輪廓

            在遠(yuǎn)場(chǎng)中,單模VCSEL的強(qiáng)度分布是wan美的高斯形狀





            絕對(duì)最大值參數(shù)

            參數(shù)

            單位

            最小

            典型

            最大

            存儲(chǔ)溫度

            -40

            25

            125

            芯片溫度

            +10

            25

            40

            工作電流

            mA

            0

            3.0

            5.0

            正向電壓

            V

            0.8

            3.0

            4.8

            TEC 電流

            mA

            -150

            -

            +300

            焊接溫度*

            100

            130

            260

            功耗

            mw

            -

            -

            5

             

            (*TEC溫度必須低于150℃)

             


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