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臺式碳納米管/石墨烯合成設(shè)備MPCNT-Premium技術(shù)原理分析
臺式碳納米管/石墨烯合成設(shè)備MPCNT-Premium技術(shù)原理分析
在硅襯底上生長
的長排列的 CNT 薄膜（CNT 長度約為 2 mm）的橫截面 SEM 圖
粉狀碳納米管
這是一款緊湊型CNT合成裝置，在MPCNT-Basic版本的基礎(chǔ)上進行了擴展，增加了燈絲加熱機構(gòu)和多氣體引入機構(gòu)等優(yōu)良功能。不僅是乙醇原料，還有乙炔氣、甲烷氣等碳氫化合物原料氣體、H2還原氣體的導入口，可以生產(chǎn)垂直排列的CNT和粉末型CNT。
通過燈絲加熱機制對催化劑前驅(qū)體進行預熱升華，可以將催化劑原位負載在基體或載體（Si、石英、陶瓷等）上，原則上無需單獨的催化劑制備過程。 . 換言之，它是在同一裝置中同時實現(xiàn)催化劑形成和CNT生產(chǎn)的獨立的CNT合成裝置。
此外，這種燈絲加熱機制具有促進碳納米管生長的作用，使得生成長度可達數(shù)毫米的長碳納米管成為可能。生產(chǎn)的碳納米管比其他公司的碳納米管產(chǎn)品（不包括AIST的超生長碳納米管）長幾十到幾百倍，具有高導電性和增強效果的特點。
沉積在Ni顆粒表面的石墨烯（核殼結(jié)構(gòu)）的拉曼光譜
當在乙醇或烴氣氣氛中升華催化劑前體的同時加熱基板和催化劑載體時，
催化劑負載在基板或載體的表面上，同時CNT生長。
| 目的 ： | 一種低成本的桌面 CVD 系統(tǒng)，可輕松合成垂直排列的 CNT 和石墨烯薄膜。 |
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| 特征 ： |
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