什么是無機雜質(zhì)？無機雜質(zhì)，按照雜質(zhì)電離能的大小可分為淺能級雜質(zhì)和深能級雜質(zhì)。淺能級雜質(zhì)對半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性質(zhì)影響大，如Ⅲ族元素硼、鋁、鎵、銦和V族元素磷、 砷、銻；而深能級雜質(zhì)對少數(shù)載流子的復(fù)合影響更顯著，尤其過渡金屬元素，如銅、銀、金、鐵、鈷、鎳、鉻、錳、鉬等。除特殊用途外，重金屬元素對于半導(dǎo)體材料都是有害雜質(zhì)。

標(biāo)準(zhǔn)SEMI F57：用于超純水和液態(tài)化學(xué)品輸送系統(tǒng)的聚合物材料及組件的規(guī)范文件，規(guī)定了在UPW分配系統(tǒng)中輸送超純水(UPW)的超高純度(UHP)聚合物材料和組件的最低性能要求。主要針對聚合物材料和組件的性能要求和驗證。

國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會SEMI為半導(dǎo)體制程設(shè)備提供了一系列環(huán)境、安全和衛(wèi)生方面的準(zhǔn)則，適用于所有用于芯片制造、量測、組裝和測試的設(shè)備。半導(dǎo)體先進(jìn)制程工藝中使用的超純水，超純化學(xué)品的使用要求日益提高，材料的選擇在半導(dǎo)體濕法工藝中越發(fā)重要，對含氟聚合物的純度要求也越來越高。SEMI F57標(biāo)準(zhǔn)對UHP液態(tài)化學(xué)品輸送系統(tǒng)(LCDS)中高聚合物材料和組件的選擇、生產(chǎn)過程、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)設(shè)計等各方面均提出了要求和有效建議。

SEMI F57標(biāo)準(zhǔn)適用的主要產(chǎn)品類別有：

1）半導(dǎo)體超純水和液態(tài)化學(xué)品傳送系統(tǒng)中的聚合物材料、組件及過程設(shè)備；

2）管道、配件、閥門、過濾殼體、壓力傳感器、流量計、計量器、校準(zhǔn)器。

• 針對金屬離子污染，主要有22類，其分別的限制如下：

• TOC可以對半導(dǎo)體加工產(chǎn)生影響，包括硅氧化、蝕刻均勻性、清洗（包括晶片和掩模）、粘附、柵氧化層擊穿電壓、外延、原子層沉積（ALD）、氮化硅的CVD或其他薄膜沉積步驟。TOC限值要求如下：

（1）根據(jù)SEMI F40提取方法的要求進(jìn)行沖洗和浸泡后，取5cmX5cm樣品，浸泡4個樣品，1個空白水樣。分別在24h，72h，120h，168h進(jìn)行測試。提取方法如下：

（3) 取樣量 4L/D≥10 (L-長度 D-直徑）

1. 金屬檢測：PlasmaQuant MS 電感耦合等離子體質(zhì)譜儀（ICP-MS）

• 高靈敏度，滿足半導(dǎo)體追求極限低含量檢測需求。

• iCRC集成化碰撞反應(yīng)池技術(shù)，高效、安全、快速、方便地消除干擾。

• 3D聚焦離子反射鏡在提高靈敏度的同時無需維護(hù)降低背景。

• 全數(shù)字檢測系統(tǒng)高達(dá)11個數(shù)量級的線性動態(tài)范圍，使得高低濃度測量無需分別校正。

• 高解析四極桿提供更好的質(zhì)量分離效果。

• 穩(wěn)定強勁的等離子體，適合任何基體樣品測試。

• 快速分析，冷開機5分鐘即可達(dá)到工作狀態(tài)。

• 低消耗，氬氣消耗量僅為常規(guī)儀器的一半。