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            儀器介紹 | 徠卡EM TIC 3X三離子束研磨儀

            來源:廣州領(lǐng)拓儀器科技有限公司   2024年11月25日 17:25  



            徠卡三離子束研磨儀

            Leica EM TIC 3X

            使用傳統(tǒng)磨拋技術(shù)時,樣品受到形變或機械損傷的可能性,會掩蓋樣品內(nèi)部真實的結(jié)構(gòu)信息,而針對這一問題,離子束研磨技術(shù)利用氬離子轟擊的方式可獲得高質(zhì)量切割截面或拋光平面,避免機械損傷,獲得適宜于掃描電子顯微鏡(SEM)分析和原子力顯微鏡(AFM)檢測的高質(zhì)量樣品表面。

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            01

            靈活裝配系統(tǒng)

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            徠卡EM TIC 3X三離子束研磨儀可以靈活選擇多種樣品臺,滿足個性化應(yīng)用需求。

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            截面切割

            標(biāo)準(zhǔn)樣品臺:用于常規(guī)樣品制備以及對制備獲得的平整截面做襯度增強作用(離子束刻蝕),有效加工區(qū)域達4×1 mm,獲得大面積的無應(yīng)力損傷高質(zhì)量截面。

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            平面拋光

            旋轉(zhuǎn)樣品臺:用于對已經(jīng)機械拋光的樣品表面進行離子束平面拋光,去除機械磨拋產(chǎn)生的涂抹效應(yīng)和細小劃痕等假象,暴露樣品內(nèi)部的真實結(jié)構(gòu)。


            在離子拋光過程中,樣品可以旋轉(zhuǎn)或擺動,同時樣品可橫向移動,最大可獲得?25 mm的研磨區(qū)域。小角度擺動模式可應(yīng)對大尺寸樣品的平面拋光。

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            高通量制樣

            三樣品臺:用于高通量制樣,可同時放入三個樣品,一次運行完成樣品制備。

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            冷凍制樣

            冷凍樣品臺:在低溫環(huán)境下進行離子切割,針對特殊的熱敏感型樣品,如聚合物、橡膠、生物材料等制備獲得高質(zhì)量結(jié)果。溫度控制范圍+30°C ~ -160°C,帶25 L液氮罐,自動泵取液氮。

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            02

            散焦鞍式離子槍

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            徠卡三離子束研磨儀配備三把散焦鞍式離子槍。非聚焦離子源能量溫和,不會導(dǎo)致局部溫度過高帶來熱損傷,同時在應(yīng)對復(fù)雜樣品,如復(fù)合材料樣品時,表現(xiàn)得更具優(yōu)勢。三把離子槍多角度轟擊,獲得加工面積更大,效率更高,且避免產(chǎn)生窗簾效應(yīng)。

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            03

            襯度增強作用

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            在標(biāo)準(zhǔn)樣品臺的離子切割之后,無需取下樣品,用同樣的樣品載臺在低電壓下即可對樣品進行襯度增強作用,可以強化樣品內(nèi)不同相之間的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(如晶界)。

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            04

            觀察系統(tǒng)

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            徠卡采用體視顯微鏡M系列,M80型體視顯微鏡,采用平行光路設(shè)計,視覺無疲勞;帶有Ergo-Wedge人體工學(xué)設(shè)計,肩頸背部無疲勞。徠卡EM TIC 3X配套的體視顯微鏡可用于樣品定位校準(zhǔn)和樣品處理過程的觀察,同時可作為手工處理樣品時或裝載樣品時的觀察工具。

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            05

            全套制樣流程

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            提供樣品制備和售后技術(shù)服務(wù)的全套解決方案。在使用徠卡EM TIC 3X之前,可以使用徠卡EM TXP對目標(biāo)區(qū)域進行精準(zhǔn)定位的表面處理,可對樣品進行切割及拋光等。在經(jīng)過離子束加工后,樣品可被轉(zhuǎn)移進入后續(xù)步驟,如進入徠卡EM ACE600進行鍍膜或SEM檢測。

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            徠卡LNT包括超薄切片、組織處理、高壓冷凍、鍍膜、臨界點干燥、機械研磨拋光、離子束研磨等各類技術(shù)手段。適用于TEM/SEM/FIB/LM/AFM樣品制備。目前領(lǐng)拓儀器是徠卡LNT的華南、西南授權(quán)代理商,為透射電鏡/掃描電鏡/工業(yè)材料樣品提供全套樣品制備服務(wù)。



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