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            干法刻蝕過程

            來源:深圳市京都玉崎電子有限公司   2025年03月21日 17:09  

            我們可以了解到干法刻蝕的主要過程。反應腔體內氣體等離子體中的離子,在反應腔體的扁壓作用下,對被刻蝕的表面進行轟擊,形成損傷層,從而加速了等離子中的自由活性激團在其表面的反應,經反應后產生的反應生成物,一部分被分子泵從腔體排氣口排出,一部分則在刻蝕的側壁上形成淀積層。干法刻蝕就是在自由活性激團與表面反應和反應生成物不斷淀積的過程中完成的。離子轟擊體現了干法刻蝕的異方性,而由于側壁的淀積,則很好的抑制了自由活性激團反應時,等方性作用對側壁的刻蝕[3]。正因為干法刻蝕這一物理反應和化學反應相結合的du特方式,在異方性和等方性的相互作用下,可以精確的控制圖形的尺寸和形狀,體現出濕法刻蝕的you越性,成為亞微米圖形刻蝕的主要工藝技術之一。 隨著微細化加工的深入發(fā)展,干法刻蝕工藝技術已貫穿了整個制品流程,參與到了各個關鍵的工藝工序中。從器件隔離區(qū)、器件柵極、LDD側壁保護、接觸孔與通孔、孔塞、上下部配線的形成,到金屬鈍化以及光刻膠的剝離與底部損傷層的修復,均涉及了干法刻蝕技術。

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