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            產(chǎn)品展廳

            產(chǎn)品求購企業(yè)資訊會展

            發(fā)布詢價單

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            EM13 LD系列多入射角激光橢偏儀

            具體成交價以合同協(xié)議為準

            聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!


               公司成立于2004年,在同行業(yè)中Z早獲得*,擁有多項,其中“太陽能電池測試系統(tǒng)”、“光譜儀”、“精密位移臺”三大系列產(chǎn)品被市科委、市*等5部門評為“北京市自主創(chuàng)新產(chǎn)品”,并列入政府采購目錄。公司于2009年9月取得ISO9001質(zhì)量體系認證。

            賽凡擁有兩大核心技術:光譜測試技術,精密運動控制技術

                 主要產(chǎn)品系列:太陽能電池光譜響應/IPCE/QE測試儀,太陽能電池I/V性能測試儀,太陽模擬器,橢偏儀,CCD光電性能測試儀,熒光/拉曼/發(fā)射/透反吸/探測器光譜測試系統(tǒng),光柵光譜儀,CCD光譜儀,科研級光源,光電探測器,數(shù)據(jù)采集器,精密定位系統(tǒng),電動/手動精密位移臺,光具座,光學平臺等。

                 公司自成立以來,始終秉持質(zhì)量*,滿足用戶的經(jīng)營理念,在注重提升自身研發(fā)能力的同時,和多家科研院所保持緊密合作關系,共同創(chuàng)建光電實驗室,保證產(chǎn)品的*性和適用性。其中太陽能光伏實驗室,為各類太陽能電池(單晶硅,多晶硅,薄膜電池,染料敏化電池等)的光譜響應測試及膜厚控制提供了完整解決方案。

                  我們始終如一,用心為您提供良好完整的解決方案,為您提供專業(yè)高效的技術支持,為您提供快速響應的售后服務,我們的追求就是讓您始終滿意,始終信任,始終選擇 !


            單色儀,光源,太陽模擬器,太陽能電池測試系統(tǒng),平移臺,精密調(diào)整系統(tǒng),光學平臺

            EM13LD 系列是采用量拓科技*的測量技術,針對普通精度需求的研發(fā)和質(zhì)量控制領域推出的多入射角激光橢偏儀。

            EM13LD 系列采用半導體激光器作為光源,可在單入射角度或多入射角度下對樣品進行準確測量??捎糜跍y量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k; 也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k;亦可用于實時測量納米薄膜動態(tài)生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設計實現(xiàn)了納米薄膜 的厚度測量。

                EM13LD系列采用了量拓科技多項技術。

            特點:

            • 次納米的高靈敏度

              *的采樣方法、穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量極薄納米薄膜,膜厚精度可達到0.5nm。

            • 3秒的快速測量

              水準的儀器設計,在保證精度和準確度的同時,可在3秒內(nèi)快速完成一次測量,可對納米膜層生長過程進行測量。

            • 簡單方便的儀器操作

              用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程,數(shù)據(jù)一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行高級測量設置。

            應用:

            • EM13LD系列適合于普通精度要求的科研和工業(yè)環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。
            • EM13LD系列可用于測量單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k;可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k;可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。
            • EM13LD可應用的納米薄膜領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等??蓱玫膲K狀材料領域包括:固體(金屬、半導體、介質(zhì)等),或液體(純凈物或混合物)。

            技術指標:

             

             

            項目

            技術指標

            儀器型號

            EM13 LD/635 (或其它選定波長)

            激光波長

            635 nm (或其它選定波長,高穩(wěn)定半導體激光器)

            膜厚測量重復性(1)

            0.5nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)

            折射率測量重復性(1)

            5x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)

            單次測量時間

            與測量設置相關,典型3s

            zui大的膜層范圍

            透明薄膜可達1000nm

            吸收薄膜則與材料性質(zhì)相關

            光學結(jié)構(gòu)

            PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有*的準確度)

            激光光束直徑

            2mm

            入射角度

            40°-90°可手動調(diào)節(jié),步進5°

            樣品方位調(diào)整

            Z軸高度調(diào)節(jié):±6.5mm

            二維俯仰調(diào)節(jié):±4°

            樣品對準:光學自準直和顯微對準系統(tǒng)

            樣品臺尺寸

            平面樣品直徑可達Φ170mm

            zui大外形尺寸

            887 x 332 x 552mm (入射角為90º時)

            儀器重量(凈重)

            25Kg

            選配件

            水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺,真空吸附泵

            軟件(ETEM)

            * 中英文界面可選

            * 多個預設項目供快捷操作使用

            * 單角度測量/多角度測量操作和數(shù)據(jù)擬合

            * 方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出

            * 豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫支持

             

                注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量30次所計算的標準差。

             性能保證:

            • 穩(wěn)定性的半導體激光光源、*的采樣方法,保證了穩(wěn)定性和準確度
            • 高精度的光學自準直系統(tǒng),保證了快速、高精度的樣品方位對準
            • 穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設計、可靠的樣品方位對準,結(jié)合*的采樣技術,保證了快速、穩(wěn)定測量
            • 分立式的多入射角選擇,可應用于復雜樣品的折射率和厚度的測量
            • 一體化集成式的儀器結(jié)構(gòu)設計,使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高,并節(jié)省空間
            • 一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據(jù)庫,方便用戶使用  


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