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            Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE

            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
            • 公司名稱 上海爾迪儀器科技有限公司
            • 品牌 Bruker/布魯克
            • 型號(hào)
            • 產(chǎn)地
            • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
            • 更新時(shí)間 2024/12/2 10:25:25
            • 訪問次數(shù) 2949
            產(chǎn)品標(biāo)簽

            Bruker橢偏儀

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            上海爾迪儀器科技有限公司是一家代理經(jīng)銷國(guó)內(nèi)外儀器的專業(yè)公司。在制藥、化工、環(huán)保、科研、大學(xué)、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域開拓了廣泛的市場(chǎng),并贏得了廣大用戶的支持和信賴。爾迪在今后的發(fā)展中,將貫徹誠(chéng)信、服務(wù)、務(wù)實(shí)、創(chuàng)新的經(jīng)營(yíng)理念,一如既往地把國(guó)內(nèi)外優(yōu)秀的儀器設(shè)備介紹并提供給國(guó)內(nèi)的用戶。孜孜追求,不懈努力,不斷提高服務(wù)水平,為提升用戶的檢測(cè)水平和科研水平貢獻(xiàn)各自的綿薄之力,與廣大用戶共同享受科技成果,在互利協(xié)作中共同進(jìn)步。

             

             

             

             

             

            YAMATO,bruker,Diener,Kashiyama

            產(chǎn)地類別 進(jìn)口 光斑尺寸 50 µmmm
            光譜范圍 190 nm - 1700 nmnm 膜厚測(cè)量準(zhǔn)確度 <0.2%nm
            應(yīng)用領(lǐng)域 石油,電子/電池,綜合

            Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE

            ——用于幾乎所有先進(jìn)薄膜或產(chǎn)品晶片測(cè)量的先進(jìn)多模計(jì)量




            Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE


            FilmTek™ 2000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE光譜橢圓偏振儀/多角度反射儀系統(tǒng)結(jié)合了專有的FilmTek技術(shù),為從研發(fā)到生產(chǎn)的幾乎所有先進(jìn)薄膜測(cè)量應(yīng)用提供了業(yè)界精度、精度和多功能性。其標(biāo)準(zhǔn)的小點(diǎn)測(cè)量尺寸和模式識(shí)別能力使該系統(tǒng)成為表征圖案化薄膜和產(chǎn)品晶片的理想選擇。


            作為我們組合計(jì)量產(chǎn)品線(“標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE”)的一部分,F(xiàn)ilmTek 2000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE能夠地滿足主流應(yīng)用所需的平均厚度、分辨率和光譜范圍之外的測(cè)量要求,并由標(biāo)準(zhǔn)儀器提供。


            它在超薄到薄膜(特別是多層堆疊中的薄膜)上提供了異常精確和可重復(fù)的厚度和折射率測(cè)量。此外,與傳統(tǒng)的橢偏儀和反射儀相比,該系統(tǒng)對(duì)這些樣品中的不均勻性更加敏感。這是FilmTek 2000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE多模設(shè)計(jì)的結(jié)果,該多模設(shè)計(jì)將基于高性能旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器的光譜橢圓偏振儀與我們的多角度差分偏振測(cè)量(MADP)和差分功率譜密度(DPSD)技術(shù)、擴(kuò)展/寬光譜范圍DUV多角度偏振反射儀、我們拋物面鏡光學(xué)設(shè)計(jì)相結(jié)合,以及先進(jìn)的Filmtek軟件。


            允許同時(shí)確定:
            ·多層厚度
            ·折射率[n(λ)]
            ·消光(吸收)系數(shù)[k(λ)]
            ·能帶隙
            ·成分(例如,SiGex中的Ge百分比、GaxIn1-xAs中的Ga百分比、AlxGa1-xAs中的Al百分比等)
            ·表面粗糙度
            ·組分,空隙率
            ·結(jié)晶度/非晶化(例如多晶硅或GeSbTe薄膜)
            ·薄膜梯度


            系統(tǒng)組件:

            標(biāo)準(zhǔn):可選:
            旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器設(shè)計(jì)的橢圓偏振光譜法(295nm-1700nm)
            多角度偏振光譜反射(190nm-1700nm)
            獨(dú)立測(cè)量薄膜厚度和折射率
            多角度差分偏振(MADP)技術(shù)與SCI的差分功率譜密度(DPSD)技術(shù)
            非常適合測(cè)量超薄薄膜(天然氧化物的重復(fù)性為0.03?)
            用于成像測(cè)量位置的攝像機(jī)
            模式識(shí)別
            50微米光斑尺寸
            高級(jí)材料建模軟件
            具有高級(jí)全局優(yōu)化算法的Bruker廣義材料模型
            各向異性測(cè)量(nx、ny、nz)的廣義橢圓偏振法(4×4矩陣泛化法)
            盒式到盒式晶片處理
            FOUP和SMIF兼容
            模式識(shí)別(Cognex)
            SECS/GEM


            Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE典型應(yīng)用領(lǐng)域:
            幾乎所有厚度從小于1?到約150µm的半透明膜都可以高精度測(cè)量。典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:
            硅半導(dǎo)體
            復(fù)合半導(dǎo)體
            LED/OLED
            具有靈活的硬件和軟件,可以輕松修改以滿足
            客戶需求,特別是在研發(fā)和生產(chǎn)環(huán)境中。

            膜厚范圍0 ? to 150 µm
            膜厚精度±1.0 ? for NIST traceable standard oxide 100 ? to 1 µm
            光譜范圍190 nm - 1700 nm (220 nm - 1000 nm is standard)
            光斑尺寸的測(cè)量25 µm - 300 µm (normal incidence); 2 mm (70°)
            樣本量2 mm - 300 mm (150 mm standard)
            光譜分辨率0.3 nm - 2nm
            光源Regulated deuterium-halogen lamp (2,000 hrs lifetime)
            探測(cè)器類型2048 pixel Sony linear CCD array / 512 pixel cooled Hamamatsu InGaAs CCD array (NIR)
            帶自動(dòng)聚焦的自動(dòng)舞臺(tái)300 mm (200 mm is standard)
            電腦Multi-core processor with Windows™ 10 Operating System
            測(cè)量時(shí)間<1 sec per site (e.g., oxide film)


            性能規(guī)格


            Film(s)厚度測(cè)量參數(shù)精確 ()
            氧化物 / 硅0 - 1000 ?t0.03 ?
            1000 - 500,000 ?t0.005%
            1000 ?t , n0.2 ? / 0.0001
            15,000 ?t , n0.5 ? / 0.0001
            150.000 ?t , n1.5 ? / 0.00001
            氮化物 /硅200 - 10,000 ?t0.02%
            500 - 10,000 ?t , n0.05% / 0.0005
            光刻膠 /硅200 - 10,000 ?t0.02%
            500 - 10,000 ?t , n0.05% / 0.0002
            多晶硅  / 氧化物 /硅200 - 10,000 ?t Poly , t Oxide        0.2 ? / 0.1 ?
            500 - 10,000 ?t Poly , t Oxide     0.2 ? / 0.0005





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