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            岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司

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            FR-Scanner:自動(dòng)化高速薄膜厚度測量儀

            參  考  價(jià):面議
            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

            產(chǎn)品型號:

            品       牌:ThetaMetrisis

            廠商性質(zhì):代理商

            所  在  地:上海市

            更新時(shí)間:2024-11-09 15:24:54瀏覽次數(shù):1433次

            聯(lián)系我時(shí),請告知來自 化工儀器網(wǎng)
            產(chǎn)地類別 進(jìn)口 價(jià)格區(qū)間 面議
            應(yīng)用領(lǐng)域 電子/電池,綜合
            光學(xué)厚度測量儀的光學(xué)模塊可容納所有光學(xué)部件:分光計(jì)、復(fù)合光源(壽命10000小時(shí))、高精度反射探頭。因此,在準(zhǔn)確性、重現(xiàn)性和長期穩(wěn)定性方面保證了優(yōu)異的性能。
             Thetametrisis顯示器薄膜測量儀 FR-Scanner 是一種緊湊的臺式工具,適用于自動(dòng)測繪晶圓片上的涂層厚度。FR-Scanner 可以快速和準(zhǔn)確測量薄膜特性:厚度,折射率,均勻性,顏色等。真空吸盤可應(yīng)用于任何直徑或其他形狀的樣片。
              1、應(yīng)用
              半導(dǎo)體生產(chǎn)制造:(光刻膠, 電介質(zhì),光子多層結(jié)構(gòu), poly-Si, Si, DLC, )
              光伏產(chǎn)業(yè)
              液晶顯示
              光學(xué)薄膜
              聚合物
              微機(jī)電系統(tǒng)和微光機(jī)電系統(tǒng)
              基底:透明 (玻璃, 石英, 等等) 和半透明
              Thetametrisis顯示器薄膜測量儀*的光學(xué)模塊可容納所有光學(xué)部件:分光計(jì)、復(fù)合光源(壽命10000小時(shí))、高精度反射探頭。因此,在準(zhǔn)確性、重現(xiàn)性和長期穩(wěn)定性方面保證了優(yōu)異的性能。
              Thetametrisis顯示器薄膜測量儀 光學(xué)厚度測量儀通過高速旋轉(zhuǎn)平臺和光學(xué)探頭直線移動(dòng)掃描晶圓片(極坐標(biāo)掃描)。通過這種方法,可以在很短的時(shí)間內(nèi)記錄具有高重復(fù)性的精確反射率數(shù)據(jù),這使得FR-Scanner 成為測繪晶圓涂層或其他基片涂層的理想工具。
              2、特征
              單點(diǎn)分析(不需要預(yù)估值)
              動(dòng)態(tài)測量
              包括光學(xué)參數(shù)(n和k,顏色) o 為演示保存視頻
              600 多種的預(yù)存材料
              離線分析
              免費(fèi)軟件更新

              3、性能參數(shù)


              4、測量原理
              白光反射光譜(WLRS)是測量從單層薄膜或多層堆疊結(jié)構(gòu)的一個(gè)波長范圍內(nèi)光的反射量,入射光垂直于樣品表面,由于界面干涉產(chǎn)生的反射光譜被用來計(jì)算確定(透明或部分透明或*反射基板上)的薄膜的厚度、光學(xué)常數(shù)(n和k)等。


             
              1、樣片平臺可容納任意形狀的樣品。450mm平臺也可根據(jù)要求提供。真正的X-Y掃描也可能通過定制配置;
              2、硅基板上的單層SiO2薄膜的厚度值。對于其他薄膜/基質(zhì),這些值可能略有不同;
              3、15天平均值的標(biāo)準(zhǔn)差平均值。樣品:硅晶片上1微米的二氧化硅;
              4、2 X (超過15天的日平均值的標(biāo)準(zhǔn)偏差)。樣品:硅晶片上1微米的二氧化硅;
              5、測量結(jié)果與校準(zhǔn)的光譜橢偏儀比較;
              6、根據(jù)材料;
              7、測量以8 "晶圓為基準(zhǔn)。如有特殊要求,掃描速度可超過1000次測量/每分鐘;
              如果您想要了解更多關(guān)于Thetametrisis膜厚儀的產(chǎn)品信息,請聯(lián)系我們岱美儀器。



             

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