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            邁可諾技術有限公司

            主營產(chǎn)品: 美國Laurell勻膠機,WS1000濕法刻蝕機,Cargille光學凝膠,EDC-650顯影機,NOVASCAN紫外臭氧清洗機

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            公司信息

            聯(lián)人:
            鄧經(jīng)理
            話:
            4008800298
            機:
            13681069478
            真:
            址:
            洪山區(qū)珞獅南路147號未來城A棟
            編:
            化:
            www.mycro.net.cn
            網(wǎng)址:
            www.mycro.cn
            鋪:
            http://apwanrong.com/st119375/
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            AT-410原子層沉積系統(tǒng)
            原子層沉積系統(tǒng)
            參考價60-100/臺
            具體成交價以合同協(xié)議為準
            • 型號

              AT-410
            • 品牌

              其他品牌
            • 廠商性質(zhì)

              代理商
            • 所在地

              國外

            更新時間:2025-03-11 15:35:47瀏覽次數(shù):2345

            聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!

            【簡單介紹】
            價格區(qū)間 50萬-100萬 應用領域 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),電子
            原子層沉積系統(tǒng)(ALD)是一種基于自限制表面化學反應的優(yōu)良薄膜沉積技術。通過交替通入不同前驅(qū)體氣體,在基底表面逐層形成單原子層厚度的薄膜,具有原子級精度控制和三維共形性覆蓋的特點,尤其適用于復雜結(jié)構(gòu)和高深寬比器件的均勻鍍膜。
            【詳細說明】

                   原子層沉積系統(tǒng)(Atomic Layer Deposition,簡稱ALD)是一種優(yōu)良的薄膜沉積技術,通過在基底表面逐層沉積原子級厚度的材料來制備高質(zhì)量、高均勻性的薄膜。它以其精準的厚度控制、優(yōu)異的保形性(對復雜三維結(jié)構(gòu)的覆蓋能力)和低溫沉積特性而著稱。


            一、原子層沉積系統(tǒng)技術參數(shù):

            1.腔體材質(zhì):全鋁鋁質(zhì)腔體;

            2.樣品臺尺寸:處理最大直徑4英寸樣品;

            3.基片加熱溫度:室溫~315℃±1℃;

            4.液體源:一路高蒸氣壓液體氧化劑(H2O或H2O2),3路固體或液體金屬源;

            5.可變過程壓力控制0.1至1.5Torr;

            6.ALD閥:Swagelok快速高溫ALD專用閥;

            7.載氣系統(tǒng):N2,壓力30Psi;

            8.生長模式:連續(xù)和停留沉積模式任意選擇;

            9.控制系統(tǒng):16位7英寸彩色觸摸屏PLC操作控制;

            10.4個世偉洛克熱敏ALD閥門;

            11.5個高溫劑量容積填充閥;

            12.帶輔助彎頭加熱器的保形加熱套,操作溫度室溫至150℃;

            13.帶閥門的50ccSS前體瓶,波紋管密封高溫兼容閥;

            14.Fujikin金屬密封,200sccmMFC流量質(zhì)量控制器,用于N2或Ar吹掃流量控制;

            15.基于雙溫探頭的腔室加熱器控制系統(tǒng)和探頭故障保險;

            16.OEM 2級旋轉(zhuǎn)葉片泵,抽速18 cfm,極限真空3mtorr,包括Flomblin用于PFPE油;

            二、原子層沉積系統(tǒng)技術特點

            精準控制:薄膜厚度可精確至亞納米級(0.1 ?/cycle),重復性誤差<1%。

            高均勻性:在復雜3D結(jié)構(gòu)(如納米線、多孔材料)表面實現(xiàn)均勻覆蓋。

            低溫工藝:部分機型支持室溫至300℃以上,范圍沉積,兼容熱敏感基材(如聚合物、生物材料)。

            前驅(qū)體兼容性:支持金屬有機化合物、鹵化物、等離子體增強(PEALD)等多種反應模式。

            原位監(jiān)測:集成石英晶體微天平(QCM)、橢偏儀或光學反射儀,實時監(jiān)控薄膜生長。

            三、原子層沉積系統(tǒng)應用領域

            半導體制造:高介電材料(HfO?、Al?O?)、晶體管柵極、DRAM電容薄膜。

            新能源:鋰離子電池電極包覆層、燃料電池催化劑涂層。

            光電子器件:OLED封裝層、光伏器件鈍化層。

            納米技術:量子點涂層、MEMS器件防水/防腐蝕膜。

            生物醫(yī)療:生物傳感器表面功能化、植入器械抗菌涂層。

            3.1半導體工業(yè)

                    原子層沉積系統(tǒng)在半導體制造中應用廣泛,尤其是在集成電路(IC)和微電子器件的生產(chǎn)中。隨著器件尺寸不斷縮小至納米級,ALD能夠沉積超薄且均勻的高介電常數(shù)(high-k)材料(如HfO?、Al?O?)作為柵極絕緣層,替代傳統(tǒng)的SiO?。此外,它還用于沉積金屬(如鎢、銅)作為導電層或阻擋層,確保器件性能的穩(wěn)定性和可靠性。

            3.2光電子與顯示技術

                   原子層沉積系統(tǒng)在光電子領域,ALD被用于制備光學薄膜(如抗反射涂層)和透明導電氧化物(如ZnO、ITO),廣泛應用于太陽能電池、LED和OLED顯示屏。例如,ALD可以沉積鈍化層(如Al?O?)以提高太陽能電池的效率,或制備保護層延長器件壽命。

            3.3能源存儲與轉(zhuǎn)換

                   原子層沉積系統(tǒng)在電池和燃料電池領域也有重要應用。例如,在鋰離子電池中,ALD可用于沉積電極表面的保護層,防止電解質(zhì)腐蝕并提高循環(huán)穩(wěn)定性。在催化劑制備中,ALD能夠精確調(diào)控催化劑顆粒的大小和分布,提升能源轉(zhuǎn)換效率。

            3.4生物醫(yī)學

                   原子層沉積系統(tǒng)技術可用于制備生物相容性涂層,應用于醫(yī)療器械(如植入物、支架)的表面改性。例如,通過沉積TiO?或ZrO?薄膜,可以增強器械的耐腐蝕性和生物相容性,同時減少感染風險。

            3.5納米技術

                   原子層沉積系統(tǒng)是制備納米結(jié)構(gòu)(如納米管、納米線)和二維材料(如石墨烯、過渡金屬二硫化物)的關鍵技術。它能夠?qū)崿F(xiàn)原子級精度的表面改性,廣泛應用于傳感器、納米電子器件和量子計算研究。

            3.6其他工業(yè)應用

            防護涂層:ALD可沉積耐腐蝕、耐磨損的薄膜,用于航空航天、汽車零件等領域。

            MEMS/NEMS:在微納機電系統(tǒng)(MEMS/NEMS)中,ALD用于制備功能層或犧牲層。

            四、目前可以沉積的材料包括:

            1)氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2

            2)氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN

            3)氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2

            4)金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni

            5)碳化物: TiC, NbC, TaC  

            6)復合結(jié)構(gòu)材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx

            7)硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS







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