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            邁可諾技術有限公司

            主營產品: 美國Laurell勻膠機,WS1000濕法刻蝕機,Cargille光學凝膠,EDC-650顯影機,NOVASCAN紫外臭氧清洗機

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            聯(lián)系電話

            13681069478

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            公司信息

            聯(lián)人:
            鄧經理
            話:
            4008800298
            機:
            13681069478
            真:
            址:
            洪山區(qū)珞獅南路147號未來城A棟
            編:
            化:
            www.mycro.net.cn
            網(wǎng)址:
            www.mycro.cn
            鋪:
            http://apwanrong.com/st119375/
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            mr-I 7000E、mr-I 8000E德國Micro Resist納米壓印膠
            德國Micro Resist納米壓印膠
            參考價 面議
            具體成交價以合同協(xié)議為準
            • 型號 mr-I 7000E、mr-I 8000E
            • 品牌
            • 廠商性質 代理商
            • 所在地 北京市

            更新時間:2024-05-17 08:14:13瀏覽次數(shù):3730

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            【簡單介紹】
            供貨周期 一個月以上 應用領域 電子
            德國Micro Resist公司創(chuàng)立于1993年.公司生產的高性能各種用于微納制作的光刻膠,除了生產用于i、g和h線的光刻膠以外,還有電子束刻蝕膠和納米壓印膠以及專門用于光學波導制作的光膠可供選擇。
            【詳細說明】

            品牌

            產地

            型號

            特點

             

            Micro Resist

            德國

            mr-I 7000E系列

            Tg = 60

            優(yōu)異的成膜質量

            由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間

            壓印溫度125 - 150,壓印壓力20 - 50 bar

            Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于PMMA

            可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率(取決于模版分辨率)

             
             

            mr-I 8000E系列

            Tg = 115

            優(yōu)異的成膜質量

            由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間

            壓印溫度170 - 190,壓印壓力20 - 50 bar

            Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于PMMA

            可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率(取決于模版分辨率)

             
             

            mr-I PMMA 35k/75k系列

            Tg = 105

            優(yōu)異的成膜質量

            低分子量從而實現(xiàn)高效的流動性

            壓印溫度150 - 180,壓印壓力50 bar

            可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率(取決于模版分辨率)

             
             

            mr-I T85系列

            Tg = 85

            優(yōu)異的成膜質量

            壓印溫度140 - 170,壓印壓力大于5 bar

            Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于傳統(tǒng)的Novolak基光膠

            非極化熱塑性、具有優(yōu)異的紫外和光學透過率,高化學穩(wěn)定性

            可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率(取決于模版分辨率)

             
             

            mr-I 9000E系列

            熱固化之前Tg = 35

            優(yōu)異的成膜質量
            接近等溫加工處理
            n 壓印溫度120
            n 脫模溫度100
            壓印時溫度從TgTg,Cured增加并固化
            非常低的殘余膠層厚度低至5 nm
            Plasma
            刻蝕阻抗性能優(yōu)于傳統(tǒng)的Novolak基光膠
            可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率(取決于模版分辨率)

             
             

            mr-NIL 6000系列

            光化學固化之前Tg = 40

            優(yōu)質的固體光膠薄膜

            接近等溫加工處理:壓印、紫外曝光固化,壓印與脫模在同一溫度下進行

            非常低的殘余膠層厚度低至10 nm

            圖案轉移時高保真度

            Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于傳統(tǒng)的Novolak基光膠
            可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率(取決于模版分辨率)
            寬帶或i線曝光

             
             

            mr-UVCur06

            旋涂使用

            優(yōu)質的成膜質量和膠厚均一性

            室溫加工處理

            由于快速地填充模版孔隙從而縮短工藝時間

            低劑量紫外曝光快速固化

            可獲得優(yōu)于30 nm的分辨率(取決于模版分辨率)

            Plasma刻蝕高阻抗性能

            O2 Plasma刻蝕可無殘余去除

            寬帶或i線曝光

             
             


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