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邁可諾技術(shù)有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品： 美國(guó)Laurell勻膠機(jī),WS1000濕法刻蝕機(jī),Cargille光學(xué)凝膠,EDC-650顯影機(jī),NOVASCAN紫外臭氧清洗機(jī) |
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邁可諾技術(shù)有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品： 美國(guó)Laurell勻膠機(jī),WS1000濕法刻蝕機(jī),Cargille光學(xué)凝膠,EDC-650顯影機(jī),NOVASCAN紫外臭氧清洗機(jī) |
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| 參考價(jià) | 面議 |
更新時(shí)間：2024-05-17 12:30:35瀏覽次數(shù)：2526
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息，謝謝!
| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),電子 |
|---|
用于軟光刻工藝，緊湊型的桌面系統(tǒng)
在 365nm +/- 5nm 處*單色曝光
可處理4英寸或6英寸晶圓
提供硬接觸和軟接觸模式
與所有光刻膠兼容
分辨率：1µm
我們?cè)?/span>Dilase 直接激光寫(xiě)入光刻技術(shù)方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)，因此推出了用于固化紫外光感光材料的 UV-KUB 系統(tǒng)。 UV-KUB 2 是一種基于 UV LED 的曝光和掩膜系統(tǒng)，具有 365nm 的可用光源。 這是一款緊湊型的桌面系統(tǒng)，能夠曝光最大直徑為 4" 或 6" 的晶圓。 UV-KUB 系統(tǒng)與硬（物理）接觸或軟（接近）接觸工藝兼容，并具有可變掩膜到基板距離控制的特點(diǎn)。由觸摸屏控制，UV-KUB 2通過(guò)*封閉的曝光保證安全。由于它的密封配置，該設(shè)備不需要安裝在潔凈室中。
技術(shù)突破：
1、高質(zhì)量準(zhǔn)直器
· 發(fā)散角小于2°，保證了在厚層上實(shí)現(xiàn)分辨率低至 1µm和邊緣垂直度極 jia的圖案。
· 這種高質(zhì)量的準(zhǔn)直允許在不需要真空接觸模式的情況下達(dá)到微米級(jí)的分辨率。
2、LED技術(shù)
·完 mei的單色曝光光源
·冷紫外線源，防止不良熱效應(yīng)
·可以在連續(xù)或脈沖模式下運(yùn)行
·壽命長(zhǎng)：uv-led光源不屬于消耗品
特征：
• 整個(gè)工作表面上的完 mei單色曝光光源：更高的固化效率
• 低溫紫外線照射條件和基板環(huán)境的實(shí)時(shí)原位溫度控制：在整個(gè)表面上提供均勻的照射，從而防止不良的熱效應(yīng)
• 壽命長(zhǎng)（基于 LED 系統(tǒng)）：> 10 000 小時(shí)有效使用
• 用戶友好型觸摸屏界面，可設(shè)置曝光循環(huán)編程
• 提供連續(xù)或循環(huán)曝光模式
• 無(wú)需預(yù)熱時(shí)間
• 紫外線源強(qiáng)度調(diào)節(jié)的計(jì)算機(jī)控制，很直觀
• 紫外線照射室*密封：保證用戶安全
• 自動(dòng)晶圓裝卸系統(tǒng)
• 低消耗
應(yīng)用范圍：
UV-KUB 2 系統(tǒng)非常適合實(shí)驗(yàn)室和研發(fā)團(tuán)隊(duì)的廣泛應(yīng)用，涉及微流體、光學(xué)、生物技術(shù)、微技術(shù)、需要 1 個(gè)掩模層的光刻工藝、晶圓鍵合、簡(jiǎn)單層或粘合劑固化、連接、組裝和生物 或細(xì)胞培養(yǎng)。
技術(shù)參數(shù)：
分辨率 | 1µm |
發(fā)散角 | ＜2° |
可編程周期數(shù) | 10 |
曝光周期（連續(xù)/不連續(xù)） | 從 1 秒到 1 小時(shí) |
接觸模式 | 硬（物理）接觸或軟（接近）接觸 |
UV-LED光源：
波長(zhǎng) | 365nm +/- 5nm |
均勻曝光 | +/- 5% |
LED的壽命 | >10000小時(shí) |
工作處理表面：
處理表面 | 4英寸或6英寸晶圓 |
曝光期間的基板預(yù)熱 | ＜1℃ |
兼容光刻膠 | SU8、Shipley、AZ Resist、K-CL 抗蝕劑 |
其他參數(shù)：
·尺寸：260(L)x 260(W)x 260(H)毫米
·重量：8,2千克/18磅
·彩色觸摸屏：5,7英寸
·功率密度：35 mW/cm2+/-10%
·電源：100 v/240 V-50 Hz/60 Hz
·功率/消耗量：180 W
·掩膜版與晶圓之間的距離控制：10 µm
·全版曝光：6mm
·基片厚度+層數(shù)：最大2mm
