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            金屬納米3D打印發(fā)表Nature子刊!小型臺(tái)式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)圖案化基底制備

            時(shí)間:2023-10-16閱讀:819

            論文題目:Metal 3D nanoprinting with coupled fields
            發(fā)表期刊:Nature Communications IF: 17.69
            DOI:https://doi.org/10.1038/s41467-023-40577-3
            【前言】
                  3D納米金屬結(jié)構(gòu)陣列在納米光學(xué),納米電學(xué)等領(lǐng)域有著非常巨大的研究?jī)r(jià)值。由于納米金屬結(jié)構(gòu)陣列的每一個(gè)單元的結(jié)構(gòu)尺寸都為納米級(jí),結(jié)構(gòu)尺寸小于入射光光源的波長(zhǎng),因此能夠?qū)夂臀镔|(zhì)間的相互作用進(jìn)行更深入的研究。傳統(tǒng)的納米金屬結(jié)構(gòu)制造方法主要依賴于光刻技術(shù),該技術(shù)在選擇可加工材料方面比較受限,結(jié)構(gòu)的制備周期較長(zhǎng),同時(shí)僅能制備平面圖案和結(jié)構(gòu)。

                  近日,上海科技大學(xué)課題組通過將流場(chǎng)與電場(chǎng)進(jìn)行耦合,實(shí)現(xiàn)了在納米尺度上的金屬結(jié)構(gòu)3D打印。通過調(diào)整電場(chǎng)和流場(chǎng),可實(shí)現(xiàn)不同幾何構(gòu)型的納米金屬結(jié)構(gòu)的制備。該方法可在20分鐘內(nèi)在4 X 4 mm2的范圍內(nèi)制備3D納米金屬結(jié)構(gòu)陣列,其制備的最細(xì)金屬結(jié)構(gòu)線寬僅為14 nm。此外,課題組通過調(diào)節(jié)打印時(shí)的原材料,實(shí)現(xiàn)了從單一3D納米金屬結(jié)構(gòu)打印,到合金3D納米金屬結(jié)構(gòu)制備。該工作以Metal 3D nanoprinting with coupled fields為題,發(fā)表于Nature Communications上。

                  本文中,不同間距的圖案化結(jié)構(gòu)樣品是由小型臺(tái)式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3制備而成,該設(shè)備的結(jié)構(gòu)小巧緊湊(70 cm x 70 cm x 70 cm)、無需掩膜版、高直寫速度以及高分辨率等特點(diǎn),為本實(shí)驗(yàn)3D納米金屬結(jié)構(gòu)的制備做出了關(guān)鍵的方案支撐。

            小型臺(tái)式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)- MicroWriter ML3
            【圖文導(dǎo)讀】

            圖1. 3D金屬納米打印過程中電場(chǎng)與流場(chǎng)的耦合。(a)在制備3D金屬納米結(jié)構(gòu)過程中,流場(chǎng)與電場(chǎng)間的耦合示意圖。(b)電場(chǎng)和流場(chǎng)耦合后電場(chǎng)分布模擬結(jié)果。(c)電場(chǎng)和流場(chǎng)耦合模擬的放大圖。(d)和(e)3D金屬納米結(jié)構(gòu)打印的SEM結(jié)果。(f)金納米顆粒的粒徑分布圖。圖中灰色部分代表了五次測(cè)量結(jié)果的誤差分布情況。(g)金納米顆粒隨著電場(chǎng)和流場(chǎng)的粒徑分布變換結(jié)果。(h)制備的納米結(jié)構(gòu)在FIB加工前后的SEM結(jié)果。(i)可制備彎曲角度為105°的納米結(jié)構(gòu)。(j)可制備寬度為25 nm的結(jié)構(gòu)。(k-l)寬度為14 nm的金線結(jié)構(gòu)。(n-m)制備符合金屬納米結(jié)構(gòu)。(o)為能譜分析。


            圖2. 不同電壓下的電場(chǎng)分布圖。(a)利用光刻膠獲得局部電場(chǎng)的示意圖。(b)通過SEM表征,所制備出的納米結(jié)構(gòu)顯示出鏡面對(duì)稱性。(c)電壓緩沖區(qū)高度與絕緣區(qū)域間距的關(guān)系。(d)不同絕緣間距條件下,不同電壓所產(chǎn)生的電壓緩沖區(qū)域高度。(e-i)電壓為400V,500V,600V,700V和800V條件下的3D打印納米結(jié)構(gòu)。圖中比例尺為5 μm。


            圖3. 通過耦合場(chǎng)3D打印的方式利用不同金屬材料制備周期性納米結(jié)構(gòu)的SEM表征結(jié)果。圖中所有比例尺為5 μm。


            圖4. 3D納米結(jié)構(gòu)的能譜分析。圖中的比例尺均為1 μm。


            圖5. 通過耦合場(chǎng)的方法制備混合3D結(jié)構(gòu)的SEM成像和能譜分析結(jié)果。圖中的比例尺為1 μm。

            【結(jié)論】

                 
            上??萍即髮W(xué)課題組,通過流場(chǎng)與電場(chǎng)耦合的方式實(shí)現(xiàn)了在納米尺度上對(duì)金屬納米結(jié)構(gòu)的3D打印。通過調(diào)節(jié)電場(chǎng)電壓,實(shí)現(xiàn)了不同幾何構(gòu)型的3D納米金屬結(jié)構(gòu)的打印。從文中可以看到,除了調(diào)節(jié)電場(chǎng)電壓外,作者為了獲得不同的3D納米金屬結(jié)構(gòu),還使用了MicroWriter ML3小型臺(tái)式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)在硅基底上制備了不同間距的圖案化結(jié)構(gòu),從而獲得不同幾何形狀的3D納米金屬結(jié)構(gòu)。從論文中不難看出,MicroWriter ML3小型臺(tái)式無掩膜直寫光刻系統(tǒng)可以根據(jù)科研的實(shí)際需要,迅速地制備出相關(guān)微納結(jié)構(gòu),保證了實(shí)驗(yàn)的順利進(jìn)行,為通過耦合場(chǎng)的方式打印3D納米金屬結(jié)構(gòu)的研究提供了堅(jiān)實(shí)有力的支持。
               


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