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            QUANTUM量子科學(xué)儀器貿(mào)易(北京)有限公司

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            三維原子層沉積系統(tǒng)ALD

            參   考   價(jià):面議
            具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

            產(chǎn)品型號(hào):GEMStar-4/6/8 XT

            品       牌:其他品牌

            廠商性質(zhì):生產(chǎn)商

            所  在  地:北京市

            更新時(shí)間:2025-04-10 19:07:55瀏覽次數(shù):4424

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            產(chǎn)地類別 進(jìn)口 應(yīng)用領(lǐng)域 化工,電子/電池
            原子層沉積(Atomic layer deposition)是將氣相前驅(qū)體脈沖交替通入反應(yīng)器,化學(xué)吸附在沉積襯底上并反應(yīng)形成沉積膜的種方法,是種可以將物質(zhì)以單原子膜形式層層鍍?cè)谝r底表面的方法,因此,它是種真正的“納米"技術(shù),以精確控制方式實(shí)現(xiàn)納米的超薄薄膜沉積。三維原子層沉積系統(tǒng)ALD用飽和化學(xué)吸附的性,可以確保對(duì)大面積、多空、管狀、粉末或其他復(fù)雜形狀基體的高保形的均勻沉積。

            臺(tái)式三維原子層沉積系統(tǒng)ALD簡(jiǎn)介:

            原子層沉積(Atomic layer deposition, ALD)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替的通入反應(yīng)器,化學(xué)吸附在沉積襯底上并反應(yīng)形成沉積膜的種方法,是種可以將物質(zhì)以單原子膜形式逐層的鍍?cè)谝r底表面的方法。因此,它是種真正的“納米"技術(shù),以精確控制方式實(shí)現(xiàn)納米的超薄薄膜沉積。由于ALD用的是飽和化學(xué)吸附的性,因此可以確保對(duì)大面積、多空、管狀、粉末或其他復(fù)雜形狀基體的高保形的均勻沉積。

            美國(guó)ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列臺(tái)式 ALD系統(tǒng),在小巧的機(jī)身(78 x56 x28 cm)中集成了原子層沉積所需的所有功能,可zui多容納9片8英寸基片同時(shí)沉積。GEMStar XT全系配備熱壁,結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱,管路加熱,橫向噴頭等設(shè)計(jì), 使溫度均勻性高達(dá)99.9%,氣流對(duì)溫度影響減少到0.03%以下。高溫度穩(wěn)定度的設(shè)計(jì)不僅實(shí)現(xiàn)在 8英寸基體上膜厚的不均勻性小于1%,而且更適合對(duì)超高長(zhǎng)徑比的孔徑結(jié)構(gòu)等3D結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)均勻薄膜覆蓋,可實(shí)現(xiàn)對(duì)高達(dá)1500:1長(zhǎng)徑比微納深孔內(nèi)部的均勻沉積。

            GEMStar XT 產(chǎn)品點(diǎn):

            l  300℃ 鋁合金熱壁,對(duì)流式溫度控制

            l  175℃溫控150ml前驅(qū)體瓶,200℃溫控輸運(yùn)支管

            l  可容納多片4,6,8英寸樣品同時(shí)沉積

            l  可容納1.25英寸/32mm厚度的基體

            l  標(biāo)準(zhǔn)CF-40接口

            l  可安裝原位測(cè)量或粉末沉積模塊等選件

            l  等離子體輔助ALD插件

            l  多種配件可供選擇

            GEMStar XT 產(chǎn)品型號(hào):

            GEMStar -4 XT:

            l  zui大4英寸/100 mm基片沉積

            l  單路前驅(qū)體輸運(yùn)支管, 4路前驅(qū)體瓶接口

            l  不可升為等離子體增強(qiáng)ALD

            GEMStar -6/8 XT:

            l  zui大6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉積

            l  雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管, 8路前驅(qū)體瓶和CF-40接口

            l  可升為等離子體增強(qiáng)ALD

             三維原子層沉積系統(tǒng)ALD點(diǎn)

            GEMStar -8 XT-P:

            l  zui大8英寸/200mm基片沉積

            l  雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管, 8路前驅(qū)體瓶和CF-40接口

            l  裝備高性能ICP等離子發(fā)生器

            13.56 MHz 的等離子源非常緊湊,只需風(fēng)冷,zui高運(yùn)行功率達(dá)300W。

            l  標(biāo)配3組氣流質(zhì)量控制計(jì)(MFC)控制的等離子氣源線,和條MFC控制的運(yùn)載氣體線,使難以沉積的氧化物、氮化物、金屬也可以實(shí)現(xiàn)均勻沉積。

            豐富配件:


            多樣品托盤:

            l  多樣品夾具,樣品尺寸(8", 6", 4")向下兼容。

            l  多基片夾具,zui多同時(shí)容納9片基片。{C}{C}


            溫控?zé)嵬斜P:

            l  可加熱樣品托盤,zui高溫度500℃,可實(shí)現(xiàn)熱盤-熱壁復(fù)合加熱方式。

            {C}{C}




            尾氣處理系統(tǒng):

            {C}{C}

             

            臭氧發(fā)生器:

            {C}{C}


            粉末旋轉(zhuǎn)沉積罐模塊:

            配合熱壁加熱方式,進(jìn)步實(shí)現(xiàn)對(duì)微納粉末樣品全保型薄膜均勻沉積包覆。

            {C}{C} {C}{C}


            手套箱接口:

            可從側(cè)面或背面*接入手套箱,與從底部接入手套箱不同,不占用手套箱空間。由于主機(jī)在手套箱側(cè)面,反應(yīng)過(guò)程中不對(duì)手套箱有加熱效應(yīng),不影響手套箱內(nèi)溫度。

             

            {C}{C}



            {C}{C}





            {C}{C}{C}{C}{C}{C}

            國(guó)內(nèi)外用戶

            已發(fā)表文獻(xiàn)

            1、  Lo?c Assaud et al. Systematic increase of electrocatalytic turnover over nanoporous Pt surfaces Prepared by atomic layer deposition. J. Mater. Chem. A (2015) DOI: 10.1039/c5ta00205b

            2、  Xiangyi Luo et al. Pd nanoparticles on ZnO-passivated porous carbon by atomic layer deposition: an effective electrochemical catalyst for Li-O2 battery. Nanotechnology(2015) 26, 164003. DOI:10.1088/0957-4484/26/16/164003

            3、 HengweiWang, et al. Precisely-controlled synthesis of Au@Pd core–shell bimetallic catalyst via atomic layer deposition for selective oxidation of benzyl alcohol. Journal of Catalysis (2015) 324, 59–68. DOI: 10.1016/j.jcat.2015.01.019

            4、  Sean W. Smith, et al. Improved oxidation resistance of organic/inorganic composite atomic layer deposition coated cellulose nanocrystal aerogels. J. Vac. Sci. Technol. A (2014) 4, 32 DOI: 10.1116/1.4882239

            5、 Fatemeh Sadat MinayeHashemi et al. A New Resist for Area Selective Atomic and Molecular Layer Deposition on Metal?Dielectric Patterns. J. Phys. Chem. C (2014), 118, 10957?10962. DOI: 10.1021/jp502669f

            6、  Jeffrey B. Chou, et.al Enabling Ideal Selective Solar Absorption with 2D Metallic Dielectric Photonic Crystals. Adv. Mater. (2014), DOI: 10.1002/adma.201403302.

            7、  Jin Xie, et al. Site-Selective Deposition of Twinned Platinum Nanoparticles on TiSi2 Nanonets by Atomic Layer Deposition and Their Oxygen Reduction Activities. ACS Nano (2013), 7, 6337–6345. DOI: 10.1021/nn402385f

            8、 Pengcheng Dai, et al. Solar Hydrogen Generation by Silicon Nanowires Modified with Platinum Nanoparticle Catalysts by Atomic Layer Deposition. Angew. Chem. Int. Ed. (2013), 52, 1 –6. DOI: 10.1002/anie.201303813

            9、 Joseph Larkin et al. Slow DNA Transport through Nanoporesin Hafnium Oxide Membranes. ACS Nano (2013), 11, 10121–10128. DOI: 10.1021/nn404326f

            10、  Thomas M et al. Extended lifetime MCP-PMTs: Characterization and lifetime measurements of ALD coated microchannel plates, in a sealed photomultiplier tube Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A (2013) 732, 388–391. DOI: 10.1016/j.nima.2013.07.023

            11、  Kevin J. Maloney et al. Microlattices as architected thin films: Analysis of mechanical properties and high strain elastic recovery. APL Mater. 1, 022106 (2013) DOI: 10.1063/1.4818168

            12、   Sean W. Smith et al. Improved Temperature Stability of Atomic Layer Deposition Coated Cellulose Nanocrystal Aerogels. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (2012) DOI: 10.1557/opl.2012.


            單細(xì)胞分離

            瑞士Cytosurge是將原子力系統(tǒng)、微流控系統(tǒng)、

            原子層沉積系統(tǒng)

            原子層沉積(Atomic layer deposi

            三維原子層沉積系統(tǒng)ALD

            原子層沉積(Atomic layer deposi

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