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            目錄:先鋒科技(香港)股份有限公司>>光學(xué)器件/探測器>>線陣探測器>> X射線線陣列探測系統(tǒng)

            X射線線陣列探測系統(tǒng)
            • X射線線陣列探測系統(tǒng)
            參考價 面議
            具體成交價以合同協(xié)議為準
            參考價 面議
            具體成交價以合同協(xié)議為準
            • 品牌
            • 型號
            • 廠商性質(zhì) 代理商
            • 所在地 北京市
            屬性

            >

            更新時間:2025-03-18 19:39:39瀏覽次數(shù):6252評價

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            Sens-Tech 公司目前主要提供四種X 射線數(shù)據(jù)采集產(chǎn)品:XDAS-V3 系列、XDAS-HE 系列、LINX 系列X射線線陣列探測系統(tǒng)

            X射線線陣列探測系統(tǒng)

            英國Sens-Tech 公司是X 射線探測器和信號數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的專業(yè)開發(fā)商、供應(yīng)商,其在X 射線線掃描成像和CT 領(lǐng)域擁有豐富且成功的經(jīng)驗和技術(shù)。Sens-Tech 的系統(tǒng)集成信號探測、模擬信號放大、數(shù)字信號輸出于一體,有多種控制功能可選擇,可方便的與計算機連接,實現(xiàn)圖像或信號的數(shù)字化處理。

            X射線線陣列探測系統(tǒng)

            探測器有硅光電二管陣列和閃爍晶體組成。二管陣列可以是一維或者兩維掃描方式, 由具體應(yīng)用決定。選擇探測器需要充分考慮光譜響應(yīng)、電容、暗電流、靈敏度、探測面積以及串擾的影響,并選用與閃爍晶體的發(fā)射波段相匹配的探測器。并盡可能降低暗噪聲,減小偏移量,獲得的響應(yīng)。同時,讓各探測單元的探測面積和串擾達到*化。

            閃爍晶體根據(jù)探測能量的不同,厚度和尺寸可以根據(jù)用戶的要求進行定制。

            Sens-Tech 公司目前主要提供四種X 射線數(shù)據(jù)采集產(chǎn)品:XDAS-V3 系列、XDAS-HE 系列、LINX 系列

            Sens-Tech 標準產(chǎn)品的參數(shù)

            材料

            厚度

            能量范圍

            每單位能量的信號輸出

            信號衰減時間

            備注

            Silicon

            300μm

            5-30keV

            zui高,直接轉(zhuǎn)化

            1us (非偏置)

            光電二管直接探測,不使用閃爍晶體

            Gadox(Tb)

            0.31mm

            20-100keV

            近似CsI

            2-3ms

            熒光條,無法進行像素分割來防止串擾

            Gadox A

            0.2mm

            低于Gadox(Tb)20%

            1ms

             

            Gadox B

            0.4mm

            高于Gadox(Tb)10%

            1ms

             

            CsI(Tl)

            0.4-4mm

            40-160keV

            光轉(zhuǎn)換效率zui高

            2個不同的衰減時間, 微妙級

            像素被分割成陣列,以減少串擾

            CdWO4

            2.5-30mm

            150keV-9MeV

            約為CsI25%

            20us

            像素被分割成陣列,以減少串擾,價格昂貴

            GOS

            2.9mm

            100-200keV

            20% than CdWO4

            3us

            抗強輻射

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