目錄:北京瑞科中儀科技有限公司>>沉積系統(tǒng)>>激光沉積系統(tǒng)>> 雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)
| 價格區(qū)間 | 10萬-50萬 | 應用領域 | 化工,石油,道路/軌道/船舶,制藥/生物制藥,綜合 |
|---|---|---|---|
| 腔體尺寸 | 球形腔體，直徑：400 mm | 樣品尺寸 | 1 英寸或 2 英寸向下兼容 |
| 樣品加熱 | 輻射式加熱 / 電阻式加熱 / 激光加熱 1000 ℃ / 950 ℃ / 1400 ℃ | 靶臺操控 | 6 靶位，1 英寸靶托，公自轉設計 |
| 抽氣泵組 | 國產： BWVAC油泵，360 l/min KYKY分子泵，600 l/s | 真空測量 | 國產：Reborn電阻電離復合規(guī) |
| 氣路 | 國產：質量流量計Flowmethod，50 / 100 sccm | 控壓方式 | 手動角閥/漏閥控壓 |
| 極限真空 | 手動角閥/漏閥控壓 | 極限真空 | 5 x 10-9 mbar |
雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)（Dual Chamber Pulsed Laser Deposition System）是一種先進的薄膜制備技術，它結合了脈沖激光沉積（PLD）技術和雙腔體設計的優(yōu)勢。這種系統(tǒng)通常用于在實驗室環(huán)境中生長高質量的薄膜材料，廣泛應用于物理、化學、材料科學和工程等領域。
脈沖激光沉積（PLD）是一種物理氣相沉積技術，它利用高能量的脈沖激光束轟擊靶材表面，使靶材物質迅速蒸發(fā)、電離并形成等離子體羽輝。這些高能量的離子和原子隨后沉積在基片表面，經過成核和生長過程形成薄膜。PLD具有生長速度快、薄膜成分易于控制、能夠保持靶材的原始結構等優(yōu)點。
雙腔體設計則進一步提高了PLD系統(tǒng)的靈活性和功能性。該系統(tǒng)通常包含兩個獨立的沉積腔室，每個腔室都可以獨立地進行薄膜生長過程。這種設計允許研究人員在同一臺設備上同時制備不同種類的薄膜，或者在不同的生長條件下進行對比實驗。此外，雙腔體設計還可以減少實驗過程中的污染和交叉污染風險，提高實驗結果的可靠性。
雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)通常配備有先進的光學系統(tǒng)、激光系統(tǒng)、真空系統(tǒng)和控制系統(tǒng)等組件。光學系統(tǒng)用于精確控制激光束的聚焦和定位，確保激光能夠準確地轟擊靶材表面。激光系統(tǒng)則提供高能量的脈沖激光束，激發(fā)靶材物質形成等離子體羽輝。真空系統(tǒng)則用于維持腔室內的高真空環(huán)境，防止外界氣體對薄膜生長的干擾。控制系統(tǒng)則負責整個系統(tǒng)的自動化運行和參數調整，確保實驗過程的穩(wěn)定性和可重復性。
總之，雙腔 體脈沖激光沉積系統(tǒng)是一種高效、靈活且可靠的薄膜制備技術，它在材料科學研究和新材料開發(fā)中發(fā)揮著重要作用。通過精確控制實驗條件和參數，研究人員可以制備出具有優(yōu)異性能的新型薄膜材料，為推動科技進步和創(chuàng)新做出重要貢獻。
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