超高真空磁控濺射外延系統(tǒng) 參考價：面議
超高真空磁控濺射外延系統(tǒng)是一種先進(jìn)的薄膜制備設(shè)備，結(jié)合了超高真空技術(shù)和磁控濺射技術(shù)，用于在襯底上外延生長高質(zhì)量的薄膜材料。
專用電子束光刻系統(tǒng) 參考價：面議
專用電子束光刻系統(tǒng)這些創(chuàng)新、智能配置的電子束光刻系統(tǒng)可以輕松有效地實現(xiàn)納米加工。所有 Raith EBL 系統(tǒng)都配備了高精度激光干涉儀平臺和圖案發(fā)生器，可為您的...
卡爾蔡司電子顯微鏡SEM 參考價：面議
卡爾蔡司電子顯微鏡SEM，將高級的分析性能與場發(fā)射掃描技術(shù)相結(jié)合，利用成熟的 Gemini 電子光學(xué)元件。多種探測器可選：用于顆粒、表面或者納米結(jié)構(gòu)成像。Sig...
便攜式樣品傳送腔體 參考價：面議
便攜式樣品傳送腔體是一種專門設(shè)計用于在超高真空環(huán)境中傳送和處理樣品的設(shè)備。這種設(shè)備通常包括一個或多個關(guān)鍵組成部分，如連接真空計的接口、反射式光電陰極入射光導(dǎo)入口...
全金屬密封磁控濺射靶槍 參考價：面議
全金屬密封磁控濺射靶槍是一種用于磁控濺射技術(shù)的設(shè)備，主要由金屬制成的密封容器和靶材組成。這種設(shè)備廣泛應(yīng)用于各種薄膜制備工藝中，如光學(xué)薄膜、電子薄膜、磁性薄膜等。
定制樣品傳送腔體 參考價：面議
定制樣品傳送腔體，首先需要明確你的具體需求，例如腔體的尺寸、材質(zhì)、功能等。然后，你可以聯(lián)系專業(yè)的制造商或供應(yīng)商，向他們提供你的需求，讓他們?yōu)槟阍O(shè)計和制造符合要求...
4/6英寸輻射式樣品臺系統(tǒng) 參考價：面議
4/6英寸輻射式樣品臺系統(tǒng)"可能指的是一種用于實驗或研究的設(shè)備或組件，特別是在材料科學(xué)、物理學(xué)、工程學(xué)或其他需要精確控制和分析樣品的環(huán)境中的設(shè)備。
插拔式加熱器沉積系統(tǒng) 參考價：面議
插拔式加熱器沉積系統(tǒng)是一種方便、實用的加熱設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和商業(yè)領(lǐng)域。這種加熱器通常具有緊湊的設(shè)計，可以方便地插入到電源插座中，提供快速、高效的加熱功能...
脈沖激光沉積樣品臺 參考價：面議
脈沖激光沉積樣品臺是一種物理氣相沉積技術(shù)，用于在襯底上生長高質(zhì)量的薄膜。脈沖激光沉積系統(tǒng)中的樣品臺是一個關(guān)鍵組件，用于支撐和加熱待沉積的樣品。
脈沖激光沉積靶臺 參考價：面議
脈沖激光沉積靶臺的設(shè)計和應(yīng)用對于脈沖激光沉積系統(tǒng)的性能和實驗結(jié)果具有重要影響。通過綜合考慮穩(wěn)定性、熱隔離、靈活性、靶材均勻性、冷卻機(jī)制以及靶材旋轉(zhuǎn)等因素，可以設(shè)...
脈沖激光沉積系統(tǒng)激光光路 參考價：面議
脈沖激光沉積系統(tǒng)激光光路是一個高度復(fù)雜和精密的系統(tǒng)，需要各個部分的緊密配合和精確控制，才能制備出高質(zhì)量的薄膜。同時，隨著科技的發(fā)展，脈沖激光沉積技術(shù)也在不斷地進(jìn)...
單腔體脈沖激光沉積系統(tǒng) 參考價：面議
單腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)是一種先進(jìn)的材料制備技術(shù)，它利用脈沖激光的高能量密度來蒸發(fā)和電離靶材上的物質(zhì)，并在基底上沉積形成各種物質(zhì)薄膜。這種系統(tǒng)通常包括一個沉積室，...
雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng) 參考價：面議
雙腔體脈沖激光沉積系統(tǒng)（Dual Chamber Pulsed Laser Deposition System）是一種先進(jìn)的薄膜制備技術(shù)，它結(jié)合了脈沖激光沉積（...
激光 分子束外延系統(tǒng) 參考價：面議
激光 分子束外延系統(tǒng)是一種用于物理學(xué)、材料科學(xué)領(lǐng)域的工藝試驗儀器，綜合了脈沖激光沉積和分子束外延的特點和優(yōu)勢。它能在高真空、真空條件下實現(xiàn)原位實時監(jiān)控薄膜原子尺...
多功能原位高溫?zé)崤_ 參考價：面議
多功能原位高溫?zé)崤_是一種實驗設(shè)備，主要用于在高溫環(huán)境下進(jìn)行各種實驗。這種熱臺能夠提供精確的溫度控制，并且具有多種功能，例如可以用來研究物質(zhì)在高溫下的反應(yīng)、變化、...
退火爐 參考價：面議
退火爐是用于制造半導(dǎo)體元件的制程方法。該制程包括加熱多個半導(dǎo)體晶片以影響其電性能。熱處理旨在達(dá)到不同的效果?？梢约訜峋约せ顡诫s劑，使沉積的膜至密化，并改變生...
串集多腔鍍膜設(shè)備 參考價：面議
串集多腔鍍膜設(shè)備是一組真空腔系統(tǒng)，這些真空腔系統(tǒng)通過位于系統(tǒng)中心的傳輸腔相互連接。從基材的清潔、鍍膜與封裝的所有過程都在不破壞真空的環(huán)境下連續(xù)進(jìn)行。
原子層蝕刻設(shè)備 參考價：面議
原子層蝕刻設(shè)備是一種先進(jìn)的蝕刻技術(shù)，可精準(zhǔn)的控制其蝕刻深度。隨著元件尺寸的進(jìn)一步減小，需要進(jìn)一步的使用ALE才能達(dá)到其所需的精度。
感應(yīng)耦合電漿蝕刻 參考價：面議
感應(yīng)耦合電漿蝕刻是在標(biāo)準(zhǔn)反應(yīng)離子蝕刻（RIE）的基礎(chǔ)上，添加電感耦合電漿的。感應(yīng)耦合電漿由磁場圍繞石英晶體管所提供。產(chǎn)生的高密度電漿被線圈包圍，將充當(dāng)變壓器中的...
反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備 參考價：面議
反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，并具有重復(fù)性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。
等離子干蝕刻 參考價：面議
等離子干蝕刻是從另一種材料的表面去除材料的過程。該過程是由於于激發(fā)離子與材料的碰撞而發(fā)生的，無需使用任何液體化學(xué)藥品或蝕刻劑即可將其除去。
電漿原子層沉積設(shè)備 參考價：面議
電漿原子層沉積設(shè)備是一種基于常規(guī)ALD的先進(jìn)方法，其利用電漿作為裂化前驅(qū)物材料的條件，而不是僅依靠來自加熱基板的熱能。
原子層沉積設(shè)備 參考價：面議
原子層沉積設(shè)備為一種氣相化學(xué)沉積技術(shù)。大多數(shù)的ALD反應(yīng)，將使用兩種化學(xué)物質(zhì)稱為前驅(qū)物。這些前驅(qū)物以連續(xù)且自限的方式與材料表面進(jìn)行反應(yīng)。
原子層沉積系統(tǒng) 參考價：面議
原子層沉積系統(tǒng)是基于順序使用氣相化學(xué)過程的最重要技術(shù)之一；它可以被視為一種特殊類型的化學(xué)氣相沉積（CVD）。多數(shù)ALD反應(yīng)使用兩種或更多種化學(xué)物質(zhì)（稱為前驅(qū)物，...(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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