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貨物所在地：北京北京市
更新時(shí)間：2025-04-11 15:11:43
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原子層蝕刻設(shè)備介紹：
原子層蝕刻設(shè)備ALE）是一種先進(jìn)的蝕刻技術(shù)，可精準(zhǔn)的控制其蝕刻深度。隨著元件尺寸的進(jìn)一步減小，需要進(jìn)一步的使用ALE才能達(dá)到其所需的精度。
這就引起了人們對(duì)被稱為原子級(jí)蝕刻（ALE）的技術(shù)的關(guān)注，該技術(shù)克服了原子級(jí)常規(guī)蝕刻的局限性。基於電漿的原子層蝕刻是氣體以定量注入和離子轟擊的周期性蝕刻過(guò)程，並具有去除單個(gè)薄膜層、極低的損壞率等優(yōu)點(diǎn)。
SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與電漿製程，並提供高精準(zhǔn)度的薄膜蝕刻。
原子層蝕刻設(shè)備參數(shù)：
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 腔體 |
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| 配置和優(yōu)點(diǎn) | 選件 |
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(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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