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FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積：隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加，其制造設備也變得更大，需要越來越大的設備投資。SYSKEY針對中小尺寸的需求開發(fā)串集的PECVD 設備，提供非晶矽（a-Si），氧化矽（SiOx），氮氧化矽（SiON），氮化矽（SiNx）和多層膜沉積。

FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

隨著LCD面板和製造所需玻璃的尺寸的增加，其製造設備也變得更大，需要越來越大的設備投資。SYSKEY針對中小尺寸的需求開發(fā)串集的PECVD 設備，提供非晶矽（a-Si），氧化矽（SiOx），氮氧化矽（SiON），氮化矽（SiNx）和多層膜沉積。

FPD-PECVD 電漿輔助化學氣相沉積

應用領域
非晶矽前驅物（a-Si）。氮化矽 (SiNx)。氧化矽，矽烷基(SiOx)。氧化矽，TEOS (SiOx)。
配置和優(yōu)點	選件
客製化基板尺寸最大為550 x 650 mm2(玻璃)。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。每個製程腔內最多可加裝7組氣體管線。遠程電漿進行腔體清潔。穩(wěn)定的溫度控制，可將基板加熱到380°C。	Cassette傳送站。 TEOS沉積製程。 OES、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口。

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