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電漿輔助式化學氣相沉積設備（PECVD）是一種使用電漿的化學氣相沉積(CVD)技術，可為沉積反應提供一些能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會降低薄膜質量。
電漿輔助式化學氣相沉積設備PECVD比半導體行業(yè)中的其他CVD技術更廣泛地使用，且可以在較低的工作溫度（低於350°C）下沉積薄膜，並具有不同形狀的均勻沉積與良好的覆蓋率。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準的控制製程氣體與監(jiān)控其數據(壓力、載臺溫度)，並提供高品質的薄膜。
我們也開發(fā)不同機器但共用零組件，以達到節(jié)省成本。
| 應用領域 | 腔體 |
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| 配置和優(yōu)點 | 選件 |
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