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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
Thorlabs 做為世界四大主要光電探測(cè)器供應(yīng)商之一，THORLABS光電探測(cè)器以質(zhì)優(yōu)價(jià)廉取勝，其推出的DET系列光電探測(cè)器更是具有超低廉的價(jià)格，產(chǎn)品系列較豐富，包含常用納秒上升沿的DET系列探測(cè)器，APD探測(cè)器，平衡性探測(cè)器，探測(cè)器帶寬 MHz-9.5GHz；缺陷是高帶寬產(chǎn)品欠缺。
NIST可追溯校準(zhǔn)的Si光電二極管
Item # | Wavelength | Active Area | Rise/Fall | NEP** | Dark Current | Package | Vbias,max |
FDS100-CAL | 350 - 1100 nm | 3.6 x 3.6 mm | 10 ns @ 20 V | 1.2x10-14 W/Hz1/2 | 20 nA max （20 V） | Ø0.36" Can | 25 V |
FDS1010-CAL | 400 - 1100 nm | 9.7 x 9.7 mm | 45 ns @ 5 V | 5.5x10-14 W/Hz1/2 | 0.6 µA max （5 V） | 0.45" x 0.52" Ceramic Wafer | 20 V |
NIST可追溯校準(zhǔn)的Ge光電二極管
Item # | Wavelength | Active Area | Rise/Fall Time* | NEP** | Dark Current | Package | Vbias,max |
FDG03-CAL | 800 - 1800 nm | Ø3 mm | 500 ns @ 3 V | 1.0x10-12 W/Hz1/2 | 4.0 µA max （1 V） | Ø0.36" Can | 3 V |
FDG05-CAL | 800 - 1800 nm | Ø5 mm | 220 ns @ 5 V | 4.0x10-12 W/Hz1/2 | 40 µA max （3 V） | 0.275" x 0.310" Ceramic Wafer | 5 V |
NIST可追溯校準(zhǔn)的InGaAs光電二極管
Item # | Wavelength | Active Area | Rise/Fall Time* | NEP** | Dark Current | Package | Vbias,max |
FGA21-CAL | 800 - 1700 nm | Ø2 mm | 66 ns @ 0 V | 3.0x10-14 W/Hz1/2 | 200 nA max （1 V） | Ø0.36" Can | 3 V |
SM05螺紋已封裝的光電二極管，陰極接地
Item # | Detector | Rise/Fall | Active Area | NEP | Dark | Spectral | Material | Junction |
SM05PD7A | FGAP71 | 1 / 140b | 4.8 mm2 （Ø2.5 mm） | 1.3 x 10-14 | 40 pAc | 150 - 550 | GaP | 1000 pF @ 0 V |
SM05PD2A | FDS010 | 1d | 0.785 mm2 （Ø1.0 mm） | 5.0 x 10-14 | 0.3 nA | 200 - 1100 | Si | 7 pF @ 5 V |
SM05PD1A | FDS100 | 10d | 13 mm2 （3.6 x 3.6 mm） | 1.2 x 10-14 | 0.3 nA | 350 - 1100 | Si | 65 pF @ 5 V |
SM05PD4A | FGA10 | 7d | 0.8 mm2 （Ø1.0 mm） | 2.5 x 10-14 | 1.1 nAe | 800 - 1700 | InGaAs | 65 pF @ 5 V |
SM05PD5A | FGA21 | 66/ 66f | 3.1 mm2 （Ø2.0 mm） | 3.0 x 10-14 | 70 nAc | 800 - 1800 | InGaAs | 180 pF @ 3 V |
SM05PD6A | FDG03 | 500g | 7.1 mm2 （Ø3.0 mm） | 1.0 x 10-12 | 4.0 µAc | 800 - 1800 | Ge | 3.25 nF @ 1 V |
磷化鎵探測(cè)器—紫外波長(zhǎng)
Item # | Active Area | Wavelength | Rise （Fall） | NEP | Dark Current | Junction |
DET25K | 4.8 mm2 | 150 - 550 nm | 1 ns | 1.6 x 10-14 | 40 nA | 40 pF |
硅探測(cè)器－可見(jiàn)光波長(zhǎng)
Item # | Active Area | Wavelength Range | Rise | NEP | Dark Current | Junction |
DET10A | 0.8 mm2 （Ø1.0 mm） | 200 - 1100 nm | 1 ns | 1.9 x 10-14 | 0.3 nA （2 nA Max） | 6 pF |
DET36A | 13 mm2 （3.6 x 3.6 mm） | 350 - 1100 nm | 14 ns | 1.6 x 10-14 | 0.35 nA （6 nA Max） | 40 pF |
DET100A | 75.4 mm2 （Ø9.8 mm） | 400 - 1100 nm | 43 ns | 5.5 x 10-14 | 600 nA Max | 300 pF |
鍺探測(cè)器—近紅外光波長(zhǎng)
Item # | Active Area | Wavelength | Rise | NEP | Dark Current | Junction |
DET50B | 19.6 mm2 （Ø5.0 mm） | 800 - 1800 nm | 440 ns | 4 x 10-14 | 40 µA | 4000 pF （Max） |
DET30B | 7.1 mm2 （Ø3.0 mm） | 800 - 1800 nm | <545 ns | 1.0 x 10-12 | 0.8 µA | 4000 pF （Max） |
高速光纖探測(cè)器
Item # | Wavelength | Detector | Bandwidth | Max Peak Power | Rise Time | Fall Time |
DET02AFC | 400 - 1100 nm | Si | 1.2 GHz | 18 mW | 50 ps | 250 ps |
SV2-FC | 320 - 1100 nm | Si | 2 GHz | 200 mW | 175 ps | <150 ps |
DET01CFC | 900 - 1700 nm | InGaAs | 1.2 GHz | - | <1 ns* | <1 ns* |
SIR5-FC | 900 - 1650 nm | InGaAs | 5 GHz | 20 mW | <70 ps | <70 ps |
Thorlabs提供一系列自由空間型和光纖耦合型放大探測(cè)器。此外，光纖轉(zhuǎn)接件可用于本公司的自由空間探測(cè)器，以獲得更多的功能和靈活性。
高靈敏度雪崩光電探測(cè)器
Item # | APD110C | APD310 |
Detector Type | InGaAs APD | |
Wavelength Range | 900 - 1700 nm | 850 - 1650 nm |
Active Detector Diameter | 0.2 mm | 0.03 mm |
Transimpedance Gain | 100 kV/A | - |
Max Conversion Gain | 0.9 x 106 V/W | 2.5 x 104 V/W |
Output Bandwidth （3 dB） | DC - 50 MHz | 1 - 1800 MHz |
Minimum NEP | 0.46 pW/√Hz | 0.4 pW/√Hz |
Item # | PDA50B | PDA30B |
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Element Photo | Ge | Ge |
Wavelength Range | 800 - 1800 nm | 800 - 1800 nm |
Detector Size | Ø5.0 mm | Ø3.0 mm |
Gain | 8 x 10 dB Steps | 8 x 10 dB Steps |
Bandwidth Range | DC - 400 kHz | DC - 460 kHz |
NEP （W/Hz1/2） | 5.7x10-12 - 1.4x10-10 | 1.95x10-12 - 4.44x10-11 |
