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氮化鋁粉體純度高、粒徑小、分布均勻、良好的注射成形性能；具有較高的高溫強(qiáng)度及較高的熱導(dǎo)系數(shù)，具有良好的絕緣性、耐高溫、耐腐蝕等特性，較低的介電常數(shù)及 介電損耗，起熱膨脹接近于硅，具有較好的機(jī)械加工性等。是一種具有廣泛應(yīng)用前途的高導(dǎo)熱陶瓷材料。是半導(dǎo)體摩、功率?？?、電子封裝、大規(guī)模集成電路基片，導(dǎo)電蒸發(fā)舟等電子材料領(lǐng)域的重要材料?？梢杂闷渲谱髹釄搴蜐仓＞叩冉Y(jié)構(gòu)材料
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
微米氮化鋁陶瓷粉體 粒徑10微米
氮化鋁粉體純度高、粒徑小、分布均勻、良好的注射成形性能；具有較高的高溫強(qiáng)度及較高的熱導(dǎo)系數(shù)，具有良好的絕緣性、耐高溫、耐腐蝕等特性，較低的介電常數(shù)及 介電損耗，起熱膨脹接近于硅，具有較好的機(jī)械加工性等。是一種具有廣泛應(yīng)用前途的高導(dǎo)熱陶瓷材料。是半導(dǎo)體摩、功率?？?、電子封裝、大規(guī)模集成電路基片，導(dǎo)電蒸發(fā)舟等電子材料領(lǐng)域的重要材料?？梢杂闷渲谱髹釄搴蜐仓＞叩冉Y(jié)構(gòu)材料。
氮化鋁 （AlN）以其*的導(dǎo)熱性而著稱，若您的應(yīng)用有如下的要求， 氮化鋁材料不過：高導(dǎo)熱性；
高電絕緣性；
熱膨脹性與硅相近 （ 耐Ⅲ～Ⅴ族化合物的熔融；
氮化鋁粉體指標(biāo)
樣品名稱 ：AlN粉體測(cè)試指標(biāo)
測(cè)試項(xiàng)目
測(cè)試結(jié)果
分析測(cè)試依據(jù)
備注
D50
0.5um
光透沉降法
AlN
99%
X射線衍射
O
0．8%
惰氣脈沖紅外熱導(dǎo)（QB-Q-02-97）
N
33.5%
惰氣脈沖紅外熱導(dǎo)（QB-Q-02-97）
Fe
40PPM
原子吸收（CKS-HI-65）
比表面積
13.894 m2/g
松裝密度
0.13 g/cm3
主要用途：
1）用作大功率半導(dǎo)體器件的絕緣基片、大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的散熱基 片、鋰電池內(nèi)部的隔板材料、切削工具、封裝材料、高溫潤(rùn)滑劑、熱散板及粘結(jié)劑等。
2)制造集成電路基板、電子器件、光學(xué)器件、散熱器、高溫坩鍋；制備金屬基及高分子基復(fù)合材料，特別是在高溫密封膠粘劑和電子封裝材料中有*的應(yīng)用前景。
3）導(dǎo)熱填料：如金屬、陶瓷及石墨基復(fù)合材料，橡膠、塑膠、涂料、膠粘劑及其它高分子基復(fù)合材料。
注要事項(xiàng)：
氮化鋁粉體應(yīng)貯藏于陰涼、干燥室內(nèi)，避免重壓。未經(jīng)表面處理的粉體，使用過程中不宜暴露空氣中，以免吸濕團(tuán)聚，影響分散性能和使用效果