泄漏電流包括兩部分，一部分是通過(guò)絕緣電阻的傳導(dǎo)電流I1;另一部分是通過(guò)分布電容的位移電流I2，后者容抗為XC=1/2pfc與電源頻率成反比，分布電容電流隨頻率升高而增加，所以泄漏電流隨電源頻率升高而增加。例如:用可控硅供電，其諧波分量使泄漏電流增大。

漏電流的原理測(cè)量與絕緣電阻基本相同，測(cè)量絕緣電阻實(shí)際上也是一種泄漏電流，只不過(guò)是以電阻形式表示出來(lái)的。不過(guò)正規(guī)測(cè)量泄漏電流施加的是交流電壓，因而，在泄漏電流的成分中包含了容性分量的電流。在進(jìn)行耐壓測(cè)試時(shí)，為了保護(hù)試驗(yàn)設(shè)備和按規(guī)定的技術(shù)指標(biāo)測(cè)試，也需要確定一個(gè)在不破壞被測(cè)設(shè)備(絕緣材料)的最高電場(chǎng)強(qiáng)度下允許流經(jīng)被測(cè)設(shè)備(絕緣材料)最大電流值，這個(gè)電流通常也稱為泄漏電流，但這個(gè)要領(lǐng)只是在上述特定場(chǎng)合下使用。