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            北京同德創(chuàng)業(yè)科技有限公司

            晶體管參數(shù)測試儀技術(shù)文章

            時(shí)間:2023-2-10閱讀:427
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            晶體管參數(shù)測試儀技術(shù)文章

            JFY3022A晶體管參數(shù)測試儀詳細(xì)介紹
            ※概述:
            JFY3022A晶體管參數(shù)測試儀,是一種**門用于各種電子元件參數(shù)測試的新型多功能測試裝置。該機(jī)采用大規(guī)模MCU設(shè)計(jì),中文界面操作,大容量內(nèi)存,可存2000種元件參數(shù)設(shè)置數(shù)據(jù).儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測量準(zhǔn)確、操作簡單、使用安全方便,適用電子產(chǎn)品生產(chǎn)廠家或電子元件供應(yīng)商來料檢測。
            ※             測量元件類型:
            N型三*管,P型三*管,N型MOS場效應(yīng)管,P型MOS場效應(yīng)管N型結(jié)型場效應(yīng)管,正負(fù)三端穩(wěn)壓IC,三端肖特基,基準(zhǔn)器431,整流二*管,整流橋堆,可控硅,穩(wěn)壓二*管.
            ※             測量參數(shù):
            ■ 整流二*管,三端肖特基,整流橋堆:


            參數(shù)項(xiàng)

            測試參數(shù)

            測試條件設(shè)置

            正向壓降(VF)

            0-2.000V

            0-2.000A

            耐壓(VRR)

            0-1500V

            0-2.000MA


             

            N型三*管:


            參數(shù)項(xiàng)

            測試參數(shù)

            測試條件設(shè)置

            輸入正向壓降(VBE)

            0-2.000V

            0-2.000A

            耐壓(BVCEO)

            0-1500V

            0-2.000MA

            放大倍數(shù)(HEF)

            0-3000

            VCE:0-20V IC:0-2.000A

            飽和壓降(Vsat)

            0-2.000V

            IB:0-2.00A IC:0-2.00A


            P型三*管:


            參數(shù)項(xiàng)

            測試參數(shù)

            測試條件設(shè)置

            輸入正向壓降(VBE)

            0-2.000V

            0-2.000A

            耐壓(BVCEO)

            0-1500V

            0-2.000MA

            放大倍數(shù)(HEF)

            0-3000

            VCE:5.0V IB:100uA

            飽和壓降(Vsat)

            0-2.000V

            IB:0-2.00A IC:0-2.00A


             

            N,PMOS場效應(yīng)管:


            參數(shù)項(xiàng)

            測試參數(shù)

            測試條件設(shè)置

            啟動(dòng)電壓(VGS(th))

            0-20.00V

            0-2.000mA

            耐壓(BVCEO)

            0-1500V

            0-2.000mA

            導(dǎo)通內(nèi)阻(Rson)

            0.1Mr-200R

            Vgs:0-20V Id:0-2.000A


            單雙向可控硅:


            參數(shù)項(xiàng)

            測試參數(shù)

            測試條件設(shè)置

            觸發(fā)電流(IGT)

            0-40.MA

            VD=0-20V,ID=0-2.000A

            觸發(fā)電壓(VGT)

            0-2.000V

            VD=0-20V,ID=0-2.000A

            耐壓(VDRM VRRM)

            0-1500V

            0-2.000mA

            通態(tài)壓降(VTM)

            0-2.000V

            IT:0-2.00A


            三端穩(wěn)壓IC:


            參數(shù)項(xiàng)

            測試參數(shù)

            測試條件設(shè)置

            輸出電壓(Vo)

            0-20.00V

            Vin:0-20V Io:0-2.00A


            基準(zhǔn)IC 431:


            參數(shù)項(xiàng)

            測試參數(shù)

            測試條件設(shè)置

            輸出電壓(Vo)

            0-20.00V

            IZ:0-200mA


             

            ■ 穩(wěn)壓二*管:


            參數(shù)項(xiàng)

            測試參數(shù)

            測試條件設(shè)置

            穩(wěn)壓值(VZ)

            0-20V

            0-100MA

            穩(wěn)壓值(VZ)

            20-200V

            0-2.000MA


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