壓桿組合實(shí)驗(yàn)臺RXD-GL-Ⅱ-2 

采用砝碼進(jìn)行加載，經(jīng)杠桿及傳動(dòng)機(jī)傳到實(shí)驗(yàn)梁上；壓桿組合試件受力的變形，通過應(yīng)變片由電阻應(yīng)變儀顯示，壓桿組合試件由7件高彈性鋼件組合而成，采用三種連接形式，分別為：鉸接，固接，一端鉸接一端固接?？蓽y彈性模量和泊松比?？勺龉こ虄?nèi)力結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)。根據(jù)平衡方程可求其力值，利用結(jié)點(diǎn)法可求出桿所受的軸力，便于學(xué)生比較三種連接形式的受力特點(diǎn)

壓桿組合實(shí)驗(yàn)臺RXD-GL-Ⅱ-2 

產(chǎn)品名稱：手持式四探針測試儀 產(chǎn)品型號：M-3

手持式四探針測試儀型號：M-3

M-3型手持式四探針測試儀是運(yùn)用四探針測量原理測試電阻率/方阻的多用途綜合測量儀器。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。 
儀器成套組成：由M-3主機(jī)、選配的四探針探頭等二部分組成，也可加配測試臺。 
儀器所有參數(shù)設(shè)定、功能轉(zhuǎn)換全部采用輕觸按鍵輸入；具有零位、滿度自校功能；手動(dòng)/自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程可選；測試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測試儀采用可充電電池供電，適合手持式變動(dòng)場合操作使用！ 
探頭選配：根據(jù)不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有高耐磨碳化鎢探針探頭，以測試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；也有球形鍍金銅合金探針探頭，可測柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測試夾具，還可對電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進(jìn)行測量。配探頭，也可測試電池片等箔上涂層電阻率方阻。  
詳見《四探針探頭特點(diǎn)與選型參考》點(diǎn)擊進(jìn)入 
儀器具有測量精度高、靈敏度高、穩(wěn)定性好、智能化程度高、結(jié)構(gòu)緊湊、使用簡便等特點(diǎn)。  
儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、器件廠、科研單位、高等院校對導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的手持式導(dǎo)電性能的測試。

4) 適配器工作電源：220V±10％, f=50Hz±4％,PW≤5W，或電池供電

5) 外形尺寸：W×H×L=10cm×3.6cm×21cm

凈   重：≤0.3kg

  
三、基本技術(shù)參數(shù) 
1. 測量范圍、分辨率

電    阻：     0.010Ω ～ 50.00kΩ,     分辨率0.001Ω ～ 10 Ω 
電 阻 率：     0.010Ω-cm～ 20.00kΩ-cm， 分辨率0.001Ω ～ 10 Ω-cm 
方塊電阻：     0.050Ω/□ ～ 100.00kΩ/□   分辨率0.001Ω ～ 10 Ω/□  
2. 可測材料尺寸 
手持方式不限材料尺寸，但加配測試臺則由選配測試臺決定如下： 
直    徑：SZT-A圓測試臺直接測試方式 Φ15～130mm。停產(chǎn) 
SZT-C方測試臺直接測試方式180mm×180mm。 
長(高)度：測試臺直接測試方式 H≤100mm。. 
測量方位: 軸向、徑向均可. 
3. 量程劃分及誤差等級

產(chǎn)品名稱：激光功率計(jì)  產(chǎn)品型號：VLP-2000-50W     激光功率計(jì) 型號：VLP-2000-50W 性能參數(shù)  1． 測量對象：連續(xù)激光 脈沖激光 二氧化碳激光ND:YAG等  2． 光譜響應(yīng)范圍：180nm~20μm  3． 大量程：~20W（過量程會(huì)導(dǎo)致功率計(jì)損壞）  4． 探頭敏感面積：Φ18mm  5． 測量不確定度： ±5%  6． 輸入電壓：AC110-220V 50Hz  7． 功耗：<10W  8． 保修期：1年  注意事項(xiàng)  1.測量過程中請不要按“zero”鍵，清零工作請?jiān)跍y量前完成。每次開機(jī)前會(huì)有一個(gè)正數(shù)值出現(xiàn)，是正常現(xiàn)象。主要是提醒用戶要在使用前要按下清零鍵。  2.探測器吸收體不與任何物體接觸，不使用時(shí)注意保持探測器吸收體清潔、干燥。  3.請勿嘗試測量功率出量程范圍的激光，任何人為的損壞不屬于保修范圍