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CNTs Preparation Technology:HiPCOPurity of semiconductor SWCNTs:99.9wt%Diameter:...

CNTs Preparation Technology:ArcPurity of semiconductor SWCNTs:99.9wt%Diameter: 1...

CNTs Preparation Technology:HipcoPurity of metallic SWCNTs:90wt%Diameter: 0.8-1....

有序介孔碳-cmk-3 Ordered mesoporous carbon cmk-3類型：bet1000比表面積（平方米/克）：1000孔徑（納米）：5.57...

有序介孔碳-cmk-8 Ordered Mesoporous Carbon - cmk-8制備方法：模板法空間群：la3d比表面積（平方米/克）：720孔徑（納...

多孔碳 Porous Carbon密度（g/cm3）：~ 0.3粒徑（µm）（D50）：5或8灰分含量（%）：≤0.5%pH值：6.5-7.5表面積（...

無序介孔碳 Disordered Mesoporous制備方法：硬模板法合成比表面積（平方米/克）：600平均孔徑（納米）：50納米顆粒尺寸：1微米可逆容量（第...

氮摻雜有序介孔碳 N-Doped Mesoporous Carbon制備方法：硬模板氮摻雜的介孔碳 CMK-3平均尺寸：1 um碳/氮（原子）：4.3空間群：二...

羧基石墨烯水溶液 Carboxyl Graphene Water Dispersion直徑：1~5um厚度：0.8~1.2nm羧基比例：5%純度：99%

單層氧化石墨烯乙醇溶液 Single Layer Graphene Oxide Ethanol Dispersion制備方法：改良的H法濃度為5mg/mL 10...

單層氧化石墨烯水溶液 Single Layer Graphene Oxide Water Dispersion新產(chǎn)品：gno1w001制備方法：改良的H法濃度：...

Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D...

氧化石墨烯（進(jìn)口） Graphite Oxide用H法制備，水溶性好直徑：0.5~5um厚度：1~3nm

單層石墨烯（進(jìn)口） Single Layer Graphene高比表面積石墨烯制備方法：熱剝離還原與氫化還原BET比表面積（平方米/克）：400~1000電阻率...

單層石墨烯（石墨烯家族）Single Layer Graphene (Graphene Factory)BET比表面積（平方米/克）：650 ~ 750電導(dǎo)率（...

石墨烯納米薄片（2~10nm） Graphene Nanoplatelets體積特性外觀：黑色和灰色粉末碳含量：＞99.5%體積密度：0.10克/毫升水含量：0...

高比表面積氧化石墨烯 High Surface Area Graphene Oxide制備方法：改良的H法高表面積氧化石墨烯直徑：1 ~ 5um厚度：0.8~1...

氮摻雜石墨烯粉末 Nitrogen-doped Graphene PowderBET比表面積（平方米/克）：500 ~ 700電導(dǎo)率（S/m） 1000（其特征...

工業(yè)級石墨烯 Industrial-Quality Graphene制備方法：熱剝離還原厚度（nm）：≤3BET比表面積（平方米/克）：~ 600電阻率（Ω?c...

羧基化石墨烯 Carboxyl Graphene直徑：1~5um厚度：0.8~1.2nm羧基比例：5%純度：99%